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進口原裝
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Vishay Siliconix [N-Channel 30-V (D...
VISAY
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vishay推出單片功率 mosfet 與肖特基二極管器件，該器件在直流到直流轉換應用中可將運行效率提高 6%。 新型 vishay siliconix si4642dyskyfet器件已經過測試，可匹敵競爭的單片 mosfet/肖特基器件，以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的業(yè)界標準分立 mosfet 與肖特基二極管組合。無論在輕負載還是在重負載情況下，使用 skyfet 器件的電路在運行時均具有更高效率。例如，在 300khz、6a 時，效率超過 91%。這些優(yōu)勢是通過以下特性實現的：si4642dy整合肖特基二極管的低正向壓降與反向恢復電荷，以及通過將兩器件整合到單個芯片中實現的更低 pcb 寄生電感。 新型 si4642dyskyfet 功率 mosfet 一般將在面向筆記本電腦內核電壓與 vrm 應用的同步降壓轉換器、顯卡、負載點功率轉換及計算機與服務器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。該新型器件將 30v 擊穿電壓與 10v 柵極驅動時 3.75 毫歐的 mosfet 導通電阻進行了完美結合。 與使用單獨元件或共同封裝的元件相比，將肖特基二極管與 mosf
vishay推出單片功率mosfet與肖特基二極管器件，與使用任何先前此類單片器件的電路相比，該器件在直流到直流轉換應用中可將運行效率提高6%。新型vishay siliconix si4642dyskyfet器件已經過測試，可匹敵競爭的單片mosfet/肖特基器件，以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的業(yè)界標準分立 mosfet 與肖特基二極管組合。無論在輕負載還是在重負載情況下，使用skyfet器件的電路在運行時均具有更高效率。例如，在 300khz、6a 時，效率超過 91%。這些優(yōu)勢是通過以下特性實現的：si4642dy整合肖特基二極管的低正向壓降與反向恢復電荷，以及通過將兩器件整合到單個芯片中實現的更低 pcb 寄生電感。 新型si4642dyskyfet功率mosfet 一般將在面向筆記本電腦內核電壓與 vrm 應用的同步降壓轉換器、顯卡、負載點功率轉換及計算機與服務器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。該新型器件將 30v 擊穿電壓與 10v 柵極驅動時 3.75 毫歐的 mosfet 導通電阻進行了完美結合。 與使用單獨元件或共同封裝的元件相比，
vishay推出單片功率mosfet與肖特基二極管器件，與使用任何先前此類單片器件的電路相比，該器件在直流到直流轉換應用中可將運行效率提高6%。新型vishay siliconix si4642dyskyfet器件已經過測試，可匹敵競爭的單片mosfet/肖特基器件，以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的業(yè)界標準分立 mosfet 與肖特基二極管組合。無論在輕負載還是在重負載情況下，使用skyfet器件的電路在運行時均具有更高效率。例如，在 300khz、6a 時，效率超過 91%。這些優(yōu)勢是通過以下特性實現的：si4642dy整合肖特基二極管的低正向壓降與反向恢復電荷，以及通過將兩器件整合到單個芯片中實現的更低 pcb 寄生電感。 新型si4642dyskyfet功率mosfet 一般將在面向筆記本電腦內核電壓與 vrm 應用的同步降壓轉換器、顯卡、負載點功率轉換及計算機與服務器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。該新型器件將 30v 擊穿電壓與 10v 柵極驅動時 3.75 毫歐的 mosfet 導通電阻進行了完美結合。 與使用單獨元件或共同封裝的元件相比，將肖
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