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SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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NAND Flash EEPROM
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系統(tǒng)的資源消耗來講,主要包括程序代碼開銷、處理器占用時間、運行時內存開銷以及額外的flash存儲器消耗。其中,運行時內存開銷最限制flash文件系統(tǒng)的應用,同時設計結構的改善與運行時內存開銷直接相關。所以針對資源消耗的結構優(yōu)化主要著重于降低運行時的內存開銷。 flash存儲器的擦除單位是區(qū)塊(block),這是本flash文件系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲分配的最小單元。如果不采用任何措施的話,運行時內存開銷中將至少包括備份一個完整區(qū)塊數(shù)據(jù)的緩沖區(qū)。但一個flash存儲器的區(qū)塊可能很大(sumsung[tm]km29u128是16kb),這在很多嵌入系統(tǒng)中都是過大的資源開銷(最通用的8位微處理器mcs-51系列,總線尋址的能力只有64kb),必須進行改進。 為此,采用交換緩沖區(qū)(swap buffer)技術來解決這個困難。當需要準備某一個區(qū)塊的數(shù)據(jù)時,并不直接向該區(qū)塊寫入,而是首先擦除用于做交換緩沖區(qū)的區(qū)塊,然后逐步向交換緩沖區(qū)填入目的數(shù)據(jù)內容。因為此時,任何有用數(shù)據(jù)內容都未被破壞,所以運行內存中的緩沖就可以做得比較小。當交換緩沖區(qū)填寫完成后,再擦除目的區(qū)塊,拷貝交換緩沖區(qū)內容到目的區(qū)塊。 采用交換緩沖區(qū)后,對
cache_end>>12)<<16)|(non_cache_start>>12); /*所有的外部硬件中斷為低電平觸發(fā)*/rextint=0x0;}#define rb (0x08)#define ce (0x10)#define cle (0x04)#define ale (0x08) #define rkm29uxdata (*(volatile unsigned char *)0x02000000) //bank1 /*km29u128操作宏定義*/#define fc_cmd {rpdatc|= cle; rpdatf&=~ce; rpdatc&=~ale;} //{rpdatc |= cle; rpdatc &= ~(ale|ce);}#define fc_addr {rpdatc|= ale; rpdatf&=~ce; rpdatc&=~cle;} //{rpdatc |= ale; rpdatc&=~(cle|ce);}#define fc_data