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DirectFET MOSFET芯片組最大化總線轉(zhuǎn)換器
ir的新芯片組方案只有6個mosfet (4個初級和2個次級)和1個單獨(dú)的集成電路，節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為9.5mω，可針對初級橋式電路拓?fù)溥M(jìn)行定制。irf6635 30v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為1.8mω ，是特別為次級同步整流優(yōu)化的。這組mosfet可與最新面世的ir2086s全橋直流總線轉(zhuǎn)換器集成電路和現(xiàn)有的irf6608 30v directfet mosfet結(jié)合起來用作次級柵鉗位。

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FET 型:

FET 特點(diǎn):

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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

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輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應(yīng)商設(shè)備封裝:

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其它名稱:

DirectFET MOSFET芯片組最大化總線轉(zhuǎn)換器

irf6608替代型號

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