-
-
- 手機版
-
- 芯視頻 APP
-
- 微信公眾號
-
- 維庫官方抖音
-
- 微信頭條號
-
- |
- |
- |
- |
IRF6611
8000
TO220AB/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6611
20000
SOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
IRF6611
9000
DirectFET Isometric MX/23+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6611
28000
-/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6611
1680
SMDQFN/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
IRF6611
6000
DirectFET Isometric MX/23+
原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢庫存 自家?guī)齑?/p>
IRF6611
15988
DPAK/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單
IRF6611
6000
DirectFET Isometric MX/22+
終端可免費供樣,支持BOM配單
IRF6611
9000
DirectFET Isometric MX/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6611
3160
ROHS/23+
原裝現(xiàn)貨需要的加QQ3552671880 2987726803
IRF6611
4800
DIRECTFET MX/19+/20+
100%進口原裝長期供應(yīng)絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)
IRF6611
50000
MOSFET NCH 30V 32A DIRECTFET/2020+
原裝現(xiàn)貨配單
IRF6611
10000
DIRECTFET MX/22+
代理直銷進口原裝
IRF6611
9000
DirectFET Isometric MX/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6611
1200
ECDIRECTFET/20+
現(xiàn)貨 如非原裝 假一罰十
IRF6611
9000
DirectFET Isometric MX/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6611
8000
DirectFET MX/22+
只做原裝
IRF6611
5000
-/21+
原廠代理，終端免費提供樣品
IRF6611
3000
DIRECTFET MX/20+
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢渠道
IRF6611
DirectFET Power MOSFET
IRF
IRF6611PDF下載
IRF6611
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6611PDF下載
IRF6611PBF
DirectFET Power MOSFET
IRF
IRF6611PBFPDF下載
IRF6611PBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6611PBFPDF下載
ir）近日推出兩款新型的30v directfet mosfet同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于安裝了最新款intel和amd處理器的筆記本電腦設(shè)計，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。 新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設(shè)計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導(dǎo)損耗更低（低導(dǎo)通電阻），逆向恢復(fù)電荷也很低。 其中一款芯片組包含irf6617控制場效應(yīng)管和irf6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應(yīng)管和irf6678同步場效應(yīng)管，適用于每個功率通道高于20a的應(yīng)用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應(yīng)管采用小罐（st）directfet封裝，irf6637控制場效應(yīng)管則采用中罐（mp）directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐（mx）directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為irf6678，滿足更大電流和散
al rectifier，簡稱ir)近日推出兩款新型30v directfet mosfet同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新產(chǎn)品適用于安裝了最新款intel和amd處理器的筆記本電腦設(shè)計。 新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設(shè)計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導(dǎo)損耗更低(低導(dǎo)通電阻)，逆向恢復(fù)電荷也很低。 其中一款芯片組包含irf6617控制場效應(yīng)管和irf6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應(yīng)管和irf6678同步場效應(yīng)管，適用于每個功率通道高于20a的應(yīng)用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應(yīng)管采用小罐(st) directfet封裝，irf6637控制場效應(yīng)管則采用中罐(mp) directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為irf6678，滿足更大電流和散熱性能
只需單個控制和單個同步mosfet便可在大電流下工作，因此功率密度高于傳統(tǒng)封裝。也就是說，這些芯片組具有更好的熱性能，面積也更小，最適用于體積超小、需要提高電池使用效率的移動計算應(yīng)用。 新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設(shè)計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能。控制mosfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導(dǎo)損耗更低(低導(dǎo)通電阻)，逆向恢復(fù)電荷也很低。 其中一款芯片組包含irf6617控制場效應(yīng)管和irf6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應(yīng)管和irf6678同步場效應(yīng)管，適用于每個功率通道高于20a的應(yīng)用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應(yīng)管采用小罐(st)directfet封裝，irf6637控制場效應(yīng)管則采用中罐(mp)directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐(mx)directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為irf6678，滿足更大電流
聯(lián)系人：
聯(lián)系方式：
