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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-20...
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40...
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9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power...
INTERSIL
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N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO...
STMICROELECTRONICS
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N-channel TrenchMOS transistor
PHILIPS
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MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
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N-channel mosfet transistor
ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40...
IRF [International Rectifier]
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9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power...
INTERSIL [Intersil Corporation]
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N-channel TrenchMOS transistor
PHILIPS [Philips Semiconductors]
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對(duì)于一定的反饋電壓量,可使pwm調(diào)節(jié)器的輸出脈寬不同,從而影響輸出電壓調(diào)節(jié)幅度,即影響指標(biāo)中輸出的動(dòng)態(tài)響應(yīng)調(diào)節(jié)幅度。積分器的電容c305的大小影響系統(tǒng)的調(diào)節(jié)速度,即影響指標(biāo)中輸出的動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間。 4.2 功率器件的選取 變換器的開(kāi)關(guān)器件采用功率mosfet,依據(jù)單管變換器計(jì)算電壓的經(jīng)驗(yàn)公式,取 式中:udmax為漏源極的最大電壓; d為占空比。 所以,功率mosfet的反向電壓應(yīng)選用大于144v的,電流按高頻變壓器一次繞組的最大電流來(lái)確定。圖1中v101選用耐壓200v、電流9a的irf630。 4.3 高頻變壓器的設(shè)計(jì) 4.3.1 磁芯的選用 多路輸出變壓器一般要求有較大的窗口面積,dc/dc模塊電源可選用fey型、fee型、eui型等磁芯,對(duì)于正激變換器,理論上變壓器初級(jí)須有復(fù)位繞組nr,這里考慮到變壓器腳位的問(wèn)題,選取高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度的磁材,去掉復(fù)位繞組,這樣使每次磁芯都在磁化曲線的下部工作,避免磁芯飽和。 先確定最大磁感應(yīng)強(qiáng)度bm,以計(jì)算并初選磁芯型號(hào)。 1)考慮高溫時(shí)飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度bs會(huì)下降,同時(shí)為降低高頻工作時(shí)磁芯損耗,最大工作磁感應(yīng)強(qiáng)度一般選為0.2~0.25
用者更快、更準(zhǔn)確地掌握它的各項(xiàng)功能。 在這近半年的時(shí)間里,我?guī)е鴈t521a 表走了許多用戶,它幫助我解決了許多疑難故障,讓我能夠更準(zhǔn)確地判斷和解決問(wèn)題。 記得一次上門維修一臺(tái)tcl2927u 型彩電,其故障現(xiàn)象是開(kāi)機(jī)“三無(wú)”,指示燈亮。打開(kāi)機(jī)殼,用et521a 表測(cè)量“行管”沒(méi)有擊穿,開(kāi)機(jī)測(cè)主電源電壓為97 v,是行輸出變壓器損壞了嗎?還是先測(cè)一下其他元件在說(shuō)吧!經(jīng)過(guò)測(cè)量原來(lái)是上阻尼二極管d402 損壞了。更換后,試機(jī),發(fā)現(xiàn)已有圖像,但圖像有嚴(yán)重的枕形失真。于是先將枕校管q447(irf630)和無(wú)極性電容c541(4.7 μf)分別拆下測(cè)試,都是好的。用手摸電感l(wèi)441 有些發(fā)熱,難道是l441 壞了嗎?馬上拆下l441,將et521a 表?yè)苤羖x 檔,插上專用測(cè)試線,把電感夾上,表頭顯示只有91 μh(與標(biāo)稱值600 μh 相差了509 μh),看來(lái)確實(shí)是電感l(wèi) 損壞了。拆開(kāi)線圈發(fā)現(xiàn)已燒毀。由于電感不容易買到,看來(lái)只能自制了。于是在附近找了一家電機(jī)修理部,跟師傅要了一些直徑接近的漆包線,繞了102 圈,用et521a 表測(cè)量一下電感量為559 μh,裝上試機(jī),恢復(fù)正常。 還
9.0A/200V
對(duì)于一定的反饋電壓量,可使pwm調(diào)節(jié)器的輸出脈寬不同,從而影響輸出電壓調(diào)節(jié)幅度,即影響指標(biāo)中輸出的動(dòng)態(tài)響應(yīng)調(diào)節(jié)幅度。積分器的電容c305的大小影響系統(tǒng)的調(diào)節(jié)速度,即影響指標(biāo)中輸出的動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間。 4.2 功率器件的選取 變換器的開(kāi)關(guān)器件采用功率mosfet,依據(jù)單管變換器計(jì)算電壓的經(jīng)驗(yàn)公式,取 式中:udmax為漏源極的最大電壓; d為占空比。 所以,功率mosfet的反向電壓應(yīng)選用大于144v的,電流按高頻變壓器一次繞組的最大電流來(lái)確定。圖1中v101選用耐壓200v、電流9a的irf630。 4.3 高頻變壓器的設(shè)計(jì) 4.3.1 磁芯的選用 多路輸出變壓器一般要求有較大的窗口面積,dc/dc模塊電源可選用fey型、fee型、eui型等磁芯,對(duì)于正激變換器,理論上變壓器初級(jí)須有復(fù)位繞組nr,這里考慮到變壓器腳位的問(wèn)題,選取高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度的磁材,去掉復(fù)位繞組,這樣使每次磁芯都在磁化曲線的下部工作,避免磁芯飽和。 先確定最大磁感應(yīng)強(qiáng)度bm,以計(jì)算并初選磁芯型號(hào)。 1)考慮高溫時(shí)飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度bs會(huì)下降,同時(shí)為降低高頻工作時(shí)磁芯損耗,最大工作磁感應(yīng)強(qiáng)度一般選為0.2~0.25
0 6 50 彩顯行阻尼 表五:場(chǎng)效應(yīng)管 型號(hào) 反壓v 電流a 功率w 放大倍數(shù) 頻率m 類型 型號(hào) 反壓v 電流a 功率w 放大倍數(shù) 頻率m 類型 2sk2485 900 6 100 n 2sk2718 900 2.5/7.5 40 2sk2645 600 9 50 2sk798 100 40 150 irf630 200 9 75 * * nmos 2sk799 450 12 120 irf730 400 5.5 75 * * nmos 2sk850 100 40 125 mtp5p25 250 5 75 pmos 2sk1522 500 50 250 n 2sk1629 500 30 200 n
irf630請(qǐng)問(wèn)irf630(200v/9a,rds=0.4歐),有與之對(duì)應(yīng)的對(duì)管嗎?
tp7nk80zfp stp9nk60z stps20h100ct hcf4060bey stth12r06fp stth15r06fp stth2003cfp hcf4094bey stth3003cw stw20nm60 stw26nm60 irf540 tda7439ds tda7561 irf630 irf640 irf730 lm324dt lm393dt m24c02-wbn6p m24c02-wbn6tp m24c04-wbn6p m24c08-wbn6p m24c08-wbn6tp m29w400bb90n1 ne555n st13003-k st13005 stp24nf10 st
有沒(méi)有用cmos管驅(qū)動(dòng)的步進(jìn)電機(jī)電路能不能用irf630驅(qū)動(dòng)小功率的步進(jìn)電機(jī)?
菜鳥(niǎo)求助,如何區(qū)分irf630這個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極?
irf630導(dǎo)通電阻僅零點(diǎn)幾歐通過(guò)200ma電流不應(yīng)該發(fā)熱??峙履愕膍osfet并沒(méi)有充分導(dǎo)通(沒(méi)有達(dá)到飽和),應(yīng)該設(shè)法提高控制電壓。按說(shuō),200ma電流用irfu110或irfd110已經(jīng)夠了。
IRF630N IRF630NPBF IRF640 IRF640B IRF640N IRF640NPBF IRF650 IRF6604 IRF6607 IRF6608
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