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負(fù)載開關(guān)：按需要提供高效電源
電阻已經(jīng)在一定程度上接近了nmos的水平，可以實(shí)現(xiàn)有效的高壓側(cè)開關(guān)。這三種趨勢(shì)結(jié)合起來，使得在你能夠提供自己的控制信號(hào)的場(chǎng)合使用的負(fù)載開關(guān)非常小巧（圖1）。圖 1 可以用一個(gè)pmos通道元件和一個(gè)合適的驅(qū)動(dòng)器組成一個(gè)簡(jiǎn)單的高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)(a)。另外一個(gè)nmos器件和上拉電阻起到邏輯反相和電平變換作用(b)。一直積極從事開發(fā)分立功率mosfet和封裝技術(shù)的公司有國際整流器公司(ir)和飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)。ir公司的20v、5.1a的irf6100 pmos器件的溝道電阻在vgs 為-4.5v時(shí)為65mw，在vgs為-2.5v時(shí)增大到95mw。售價(jià)為0.35美元（批量1,000件）的irf6100，采用邊長只比1.5mm稍大的4球csp封裝，其最大連續(xù)漏極電流在70℃溫度下為3.5a（圖2）。圖 2 ir公司把一個(gè)20v、5.1a開關(guān)裝在一個(gè)邊長稍大于1.5mm 的4球csp的封裝中。飛兆半導(dǎo)體公司的fdz204p，其尺寸僅為2×2mm，售價(jià)為1.02美元（批量1,000件）。這種20v、4.5a pmos器件的溝道電阻在
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性參數(shù)很有競(jìng)爭(zhēng)力的功率元件，并同時(shí)大量地減少了常規(guī)封裝中那些不需要的特性參數(shù)。在本文中，把這些器件統(tǒng)稱為倒裝芯片器件。圖1是市場(chǎng)上買得到的一些表面貼裝器件的芯片面積與封裝面積比值的發(fā)展趨勢(shì)。可以看到，倒裝芯片的芯片面積與封裝面積的比值是最大的，是特別適合于空間受限制的便攜設(shè)備的封裝技術(shù)。flipfet功率晶體管和flipky肖特基二極管是真正在晶片上進(jìn)行的芯片級(jí)封裝元件，硅芯片本身就是封裝。這些器件上有焊錫球珠，它們之間的距離是0.8 mm，可以用常規(guī)的表面貼裝工藝進(jìn)行裝配。這個(gè)系列最早的產(chǎn)品是irf6100 型flipfet功率晶體管，而最近推出的ir140csp型flipky肖特基二極管是業(yè)界最小的1 a肖特基二極管。這些倒裝芯片器件不需要引線框，也不需要在上面覆蓋模塑材料，這在低功率市場(chǎng)引發(fā)了一場(chǎng)革命。因?yàn)橐€框和覆蓋模塑材料是低功率至中功率二極管流行使用的傳統(tǒng)工藝。同時(shí)倒裝芯片器件與常規(guī)封裝的功率硅芯片在封裝形式上也不相同，在常規(guī)硅芯片的兩個(gè)表面上都有漏極和源極或者陽極和陰極，而倒裝芯片器件的引出端子都在硅芯片的同一個(gè)表面上，這將顯著減小此類器件的封裝尺寸。在連接方式上倒裝芯片器件與傳統(tǒng)器件

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