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當前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>fm25h20 更新時間:2025-08-27 15:24:04

fm25h20供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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fm25h20價格行情

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歷史最低報價：￥40.0000 歷史最高報價：￥40.0000 歷史平均報價：￥40.0000

fm25h20中文資料

  • 首款2兆位串行F-RAM存儲器

    ramtron international corporation推出業(yè)界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存儲器，采用8腳tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封裝。fm25h20 采用先進的130納米 (nm) cmos工藝生產(chǎn)，是高密度的非易失性f-ram存儲器，以低功耗操作，并備有高速串行外設(shè)接口 (spi)。該3v、2mb串行f-ram器件以最大的總線速度寫入，具有幾乎無限的耐用性，通過微型封裝提供更大的數(shù)據(jù)采集能力，使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠在計量和打印機等高級應(yīng)用中減少成本和板卡空間。 fm25h20是串行閃存的理想替代產(chǎn)品，用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統(tǒng)中，包括便攜式醫(yī)療設(shè)備如助聽器等，它們實際上是微型數(shù)據(jù)處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比，f-ram的優(yōu)勢包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個數(shù)量級。 fm25h20是256k x 8位非易失性存儲器，以高達40mhz的總線速度進行讀寫操作，具有幾乎無限的耐用性、10年的數(shù)據(jù)保存能力，以及低工作電流。該器件設(shè)有工業(yè)標準spi接口，優(yōu)化了f-ram的高速寫入能力。fm2

  • Ramtron推出2兆位串行F-RAM存儲器

    非易失性鐵電存儲器 (f-ram) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商ramtron international corporation推出業(yè)界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存儲器，采用8腳tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封裝。fm25h20 采用先進的130納米 (nm) cmos工藝生產(chǎn)，是高密度的非易失性f-ram存儲器，以低功耗操作，并備有高速串行外設(shè)接口 (spi)。該3v、2mb串行f-ram器件以最大的總線速度寫入，具有幾乎無限的耐用性，通過微型封裝提供更大的數(shù)據(jù)采集能力，使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠在計量和打印機等高級應(yīng)用中減少成本和板卡空間。 fm25h20是串行閃存的理想替代產(chǎn)品，用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統(tǒng)中，包括便攜式醫(yī)療設(shè)備如助聽器等，它們實際上是微型數(shù)據(jù)處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比，f-ram的優(yōu)勢包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個數(shù)量級。 ramtron 戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理 duncan bennett 解釋道：“對于那些需要在其新一代應(yīng)用中提高數(shù)據(jù)采集能力，卻不增加板卡空間的計量和打印機

  • 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的嵌入式網(wǎng)關(guān)硬件設(shè)計

    小半徑在λ／100左右；對于較大的有源損耗體(如aa電池)，最小半徑在λ／10左右(λ為無線通信頻率的波長)。采用的巴倫匹配傳輸線的避讓空間如圖6所示。經(jīng)匹配后的網(wǎng)關(guān)與節(jié)點能在150～200 m的范圍內(nèi)自由通信，傳輸效果令人滿意。 3．4 存儲單元 微處理器自帶128 kb flash不能滿足操作系統(tǒng)的移植存儲的代碼量，以及傳感器節(jié)點每天采集的數(shù)據(jù)量(64個節(jié)點一天大約4．3k)，故必須進行存儲器的擴展。結(jié)合考慮微處理器外設(shè)接口和數(shù)據(jù)存儲讀寫速度，選擇2 mb的非易失性鐵電隨機存儲器fm25h20。其硬件原理圖如圖7所示。 fm25h20具有無限的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)多達10年保持時間，寫數(shù)據(jù)無延時，快速spi串行協(xié)議，高達40 mbps的總線速度，完善的軟、硬件寫保護，極低的靜態(tài)工作電流(5μa)，非常適合本嵌入式網(wǎng)關(guān)設(shè)計的需要。 3．5 電源模塊 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點一般工作在無人值守的環(huán)境下，所以選擇能源非常重要；另外，自然界的能源補充也至關(guān)重要。設(shè)計中采用太陽能電池板實現(xiàn)整個系統(tǒng)的能源供給。比較當今常用電池性能，分析計算設(shè)計節(jié)點各模塊的功耗，選擇額定電壓為3．7

  • 簡述嵌入式系統(tǒng)的高速度大容量非易失隨機數(shù)據(jù)存儲

    2c、spi接口的串行fram.fram器件以fmxxx開頭，其封裝和引腳分布與同類sram、e2prom器件兼容。i2cfram的速度可達1mhz,容量可達512 kb.spifram的速度可達40 mhz,容量可達2 mb.并行fram的速度可達55 ns,讀/寫周期為110 ns,容量可達4 mb.使用并行fram,由于存在"預(yù)充",讀/寫操作時要特別注意微處理器與存儲器的時序的對應(yīng)統(tǒng)一。典型的高速度大容量fram器件有16位并行fm22l16、8位并行fm20l08、fmm24c512、fm25h20等。 2.6 磁阻式隨機存儲器mram 磁阻性隨機存儲器mram（magnetic-resistiveram）基于gmr（giant magneto resistive）薄膜技術(shù)，與硬盤驅(qū)動器原理相同，以磁性的方向為依據(jù)存儲數(shù)據(jù)。其基本存儲單元是磁隧道結(jié)（mtj）結(jié)構(gòu)，mtj由固定磁層、薄絕緣隧道隔離層和自由磁層組成。向mtj施加偏壓時，被磁層極化的電子會通過一個稱為"穿遂（tunneling）"的過程，穿透絕緣隔離層；當自由層的磁矩與固定層平行時mtj結(jié)構(gòu)具有低電阻；而當自由層的磁矩方

  • FM25H20

    FM25H20引腳圖2M位非易失性鐵電存儲器，結(jié)構(gòu)容量為256K×8位，讀/寫次數(shù)無限制，掉電數(shù)據(jù)保持10年，寫數(shù)據(jù)無延時，采用先進的高可靠性的鐵電制造工藝； 快速串行外設(shè)接口SPI，總線速度最大可達40MHz，硬件上可直接取代串行的閃存，SPI模式0和3（CPOL，CPHA＝0，0和1，1）；寫保護模式：硬件保護，軟件保護；低功耗操作：2.7～3.6V操作電壓，待機電流5μA；工業(yè)標準配置：工業(yè)級溫度－40～＋85℃，引腳兼容SOIC-8

  • Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存儲器FM25H20

    ramtron推出首款2兆位串行f-ram存儲器，采用8腳tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封裝。fm25h20 采用先進的130納米cmos工藝生產(chǎn)，是高密度的非易失性f-ram存儲器，以低功耗操作，并備有高速串行外設(shè)接口(spi)。該3v、2mb串行f-ram器件以最大的總線速度寫入，具有幾乎無限的耐用性，通過微型封裝提供更大的數(shù)據(jù)采集能力，使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠在計量和打印機等高級應(yīng)用中減少成本和板卡空間。 fm25h20是串行閃存的理想替代產(chǎn)品，用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統(tǒng)中，包括便攜式醫(yī)療設(shè)備如助聽器等，它們實際上是微型數(shù)據(jù)處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比，f-ram的優(yōu)勢包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個數(shù)量級。 ramtron 戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理 duncan bennett 解釋道：“對于那些需要在其新一代應(yīng)用中提高數(shù)據(jù)采集能力，卻不增加板卡空間的計量和打印機客戶而言，這款 2mb 串行 f-ram 是自然的產(chǎn)品延伸。fm25h20 以相同的小占位面積，為半兆位串行 f-ram 客戶提供高達四倍的存儲能力。除提

fm25h20替代型號

FM25CL64-GA FM25CL64 FM25C160 FM25640-GA FM25640 FM25256 FM25160 FM25040A-GA FM25040 FM24V10

FM25L04-G FM25L04-GA FM25L16 FM25L16-G FM25L16-GA FM25L256 FM25L256B FM25L512 FM25V02 FM25V05

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