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低功率CMOS工藝;‘A’版本裝置128×8位結(jié)構(gòu)(無ORG);‘B’版本裝置64×16位結(jié)構(gòu)(無ORG);自定時擦/寫周期;在執(zhí)行指令WRAL(全部寫入)之前自動執(zhí)行ERAL(全部擦除)指令;符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3線串行I/O;設(shè)備狀態(tài)信號(Ready/Busy);有序的讀出功能;保證1000000次的擦/寫操作;數(shù)據(jù)保留)200年;可用溫度范圍:-40~+85℃/-40~+125℃;VCC范圍:4.5~5.5V;ORG引腳:無;字大小:8位;引腳分布:標(biāo)準(zhǔn);溫度范圍:-40~+85℃;引腳鍍層:無鉛-錫