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TSSOP-8
Microwire
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低功率CMOS工藝;‘A’版本裝置128×8位結構(無ORG);‘B’版本裝置64×16位結構(無ORG);自定時擦/寫周期;在執(zhí)行指令WRAL(全部寫入)之前自動執(zhí)行ERAL(全部擦除)指令;符合工業(yè)標準的3線串行I/O;設備狀態(tài)信號(Ready/Busy);有序的讀出功能;保證1000000次的擦/寫操作;數據保留)200年;可用溫度范圍:-40~+85℃/-40~+125℃;VCC范圍:4.5~5.5V;ORG引腳:無;字大?。?位;引腳分布:標準;溫度范圍:-40~+125℃;引腳鍍層:無鉛-錫