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供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運(yùn)行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成硅振蕩器。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立rc振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木取?功耗 選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，hc04反相器門電路的功率耗散電容值是90pf.在4mhz、5v電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8ma的電源電流。再加上20pf的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2ma. 陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。 相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10ma至60ma. 硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如max7375,工作在4mhz時(shí)只需不到2ma的電流。 結(jié)論 在特定的微控制器應(yīng)用中，選擇最佳的時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。下表給出了幾種常用的振蕩器
摘要：本文設(shè)計(jì)了一種低電壓、恒定增益、rail-to-rail的cmos運(yùn)算放大器，整個(gè)電路采用標(biāo)準(zhǔn)的0.6um cmos工藝參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，并經(jīng)過hspice工具仿真，在3v的單電源工作電壓情況下，靜態(tài)功耗約為9.1mw，當(dāng)電路同時(shí)驅(qū)動(dòng)20pf電容和500ω電阻的負(fù)載時(shí)，電路的直流增益達(dá)到62db，單位增益帶寬達(dá)到18mhz，相位裕度為50o。 關(guān)鍵詞：模擬集成電路;cmos;運(yùn)算放大器 引言 隨著信息技術(shù)和微電子制作工藝技術(shù)的高速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，由此構(gòu)成的集成電路的電源電壓也越來越低。1997年，半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)曾對(duì)未來十年cmos電路的電源電壓發(fā)展趨勢作了預(yù)測，如圖1所示。預(yù)計(jì)未來十年集成電路的電源電壓將降至1.5v，甚至更低。 形成這種發(fā)展趨勢的原因很多。其中主要有以下三方面原因：1、隨著集成制作工藝的發(fā)展，器件的特征尺寸將逐漸減小，相同工作電壓下小尺寸器件所承受的電場將逐漸增高，器件工作的安全性要求迫使工作電壓必須相應(yīng)降低，而電路集成規(guī)模或集成密度逐步增大的事實(shí)，導(dǎo)致大功耗、大發(fā)熱量的芯片出現(xiàn)，同樣要求采用降低電源電壓來降低功耗。2、便攜式電子裝置的迅速發(fā)展
的輸出從待機(jī)起在50ms內(nèi)保持穩(wěn)定。降低功耗有助于延長電池使用壽命，簡化熱能管理，縮小外觀尺寸。stcd1040的電流消耗比分立的四路時(shí)鐘方案要低 30%，而且分立四路時(shí)鐘方案需要五個(gè)獨(dú)立的發(fā)射極跟隨電路，印刷電路板占位更高出60%。高通道隔離度還確保通道之間的串?dāng)_降低，這是分立器件難以實(shí)現(xiàn)的。此外，低相噪還能直接提高信號(hào)質(zhì)量。 這幾款時(shí)鐘分配芯片在設(shè)計(jì)上能夠在10mhz到52mhz范圍內(nèi)傳輸一個(gè)單端正弦波或方波。為了進(jìn)一步減少外部元器件的數(shù)量，芯片還集成交流耦合電容器，能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)20pf的負(fù)載，從而簡化輸出電路。標(biāo)準(zhǔn)電源電壓范圍為2.5v到3.6v，同時(shí)1.65v-2.75v電壓選項(xiàng)還可以使用低壓外設(shè)。-40℃到 +85℃的工作溫度范圍使新產(chǎn)品適用于各種商用產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備。 新產(chǎn)品采取tdfn小型封裝節(jié)省更多的空間。stcd1020采用2 x 2mm 8引腳封裝， stcd1030采用 2 x 2.5mm 10引腳封裝， stcd1040采用2 x 3mm 12引腳封裝。 來源:ks99
件。在lcd和用戶之間只有ito和透光度幾乎為100%的玻璃板。投影型電容式傳感硬件包括一個(gè)玻璃頂層（見圖2），下面是一個(gè)x傳感器陣，一層絕緣玻璃，再下面是位于玻璃基片上的y傳感器陣。面板連接到每一個(gè)x和y傳感器，故5 x 6的面板共有11根連線（如下面的圖3所示），而10 x 14面板則有24條傳感器連線。 圖2：用于“電阻式屏”（左）和“電容式屏”（右）的堆疊層 當(dāng)手指或其他傳到物體接近屏幕時(shí)，在傳感器和手指之間產(chǎn)生一個(gè)電容。雖然該電容相對(duì)于系統(tǒng)中的其他電容比較小（大約是20pf中的0.5pf），但還是可以利用集中技術(shù)測量出來的。其中一種技術(shù)就是利用賽普拉斯半導(dǎo)體公司被稱作為csd的psoc器件。它包括快速對(duì)電容器充電，然后測量對(duì)一個(gè)放電電阻的放電時(shí)間。 設(shè)計(jì)一個(gè)投影電容傳感器陣列的目的是在同一時(shí)間使手指能夠與多于一個(gè)的x傳感器和一個(gè)以上的y傳感器發(fā)生作用（見圖3）。這是的軟件能夠通過內(nèi)插來非常精確地確定手指的具體位置。例如，如果傳感器1，2，3感應(yīng)出的信號(hào)強(qiáng)度分別為3，10和7，則手指的中心位置應(yīng)該位于(1*3+2*10+7*3) / (3+10+7) = 2.
于ne564的13腳電壓為1．3v，i2一般為幾百毫安，調(diào)節(jié)電位器rp使環(huán)路增益和vco的鎖定范圍達(dá)到最佳值。r4是vco輸出端必須接的上拉電阻。c3、c4與內(nèi)部兩個(gè)對(duì)應(yīng)電阻(阻值r=1．3kω)分別組成一階rc低通濾波器。其截止角頻率為： 濾波器的性能對(duì)環(huán)路入鎖時(shí)間的快慢有一定影響，可根據(jù)要求改變c3、c4的值。vco的固有振蕩頻率fv與定時(shí)電容ct的關(guān)系為： 工作頻率為41．4mhz時(shí)，由式(3)或振蕩頻率fv與ct的關(guān)系曲線圖5，得出ct≈11pf，可用6pf和3／20pf電容并聯(lián)使用。c5和c6用來濾除電源中的高低頻交流分量。c7、c8和r5組成π型濾波器，用來濾除輸出信號(hào)中的諧波分量。 該電路通過調(diào)試，中心頻率工作在41．4mhz，頻偏可達(dá)1mhz以上，輸出電壓在o．4v以上。 來源:2008前進(jìn)
調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。 9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）
3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。 5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。 6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用c0表示。 7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fl的有效外界電容，通常用cl表示。負(fù)載電容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就應(yīng)選推薦值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 負(fù)載諧振頻率（fl）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。 9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用r1表示。 10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 1
4-2），針對(duì) vcc 線的一線泡罩包裝 esd 保護(hù)，以及用于卡檢測等相關(guān)功能的兩個(gè)額外的不連續(xù) esd 二極管。此外，cmd 已經(jīng)整合了 25k ohms 上拉電阻，幫助偵測存儲(chǔ)卡的存在。 電容有限情況下的 emi 濾波 隨著用于生產(chǎn)基帶和應(yīng)用處理器的工藝幾何轉(zhuǎn)向日益縮小的規(guī)模，系統(tǒng)工作電壓也變得更低，因此數(shù)據(jù)線上的電容負(fù)載量成為手機(jī)設(shè)計(jì)人員面臨的主要問題。microsd 接口規(guī)格使得總電容負(fù)載達(dá)到 40 pf，而傳統(tǒng)的濾波器架構(gòu)占據(jù)了有限的設(shè)計(jì)空間的大部分。cm1624 具有 20pf 的規(guī)格 0v dc 電容，并在工作電壓下低于 12 pf--針對(duì) microsd 接口設(shè)計(jì)的 emi 濾波器中可用的最低電容。更低的濾波器線路電容使手機(jī)設(shè)計(jì)人員在 pcb 布線和改進(jìn)設(shè)計(jì)方面獲得更大的設(shè)計(jì)自由。 cm1624-08de 特征 -- 工作電壓下極低的線路電容 (12 pf) -- 卓越的信號(hào)完整性，5 nsec 的上升時(shí)間，50 ohms 環(huán)境中 75 mhz 時(shí)鐘頻率 -- 所有端口上業(yè)界領(lǐng)先的 >15 kv 接觸 esd 保護(hù) -- 完美匹配 micr
度水平。由于溫度或濕度的變化，pcb材料的特性將會(huì)發(fā)生變化，因此，印刷電路電容傳感器的輸出水平將發(fā)生漂移。例如，當(dāng)用戶從開著空調(diào)的汽車中來到一個(gè)濕熱環(huán)境中時(shí)，就可能出現(xiàn)上述情況。為了避免發(fā)生斷續(xù)接觸錯(cuò)誤，cdc必須包括實(shí)時(shí)的漂移補(bǔ)償。 隨著環(huán)境條件的變化(例如，溫度或濕度上升)，傳感器的環(huán)境參數(shù)會(huì)發(fā)生漂移。在用戶沒有與傳感器接觸期間，由cdc對(duì)環(huán)境參數(shù)加以測量。為了進(jìn)行補(bǔ)償，需對(duì)高端和低端閾值水平進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，以確定有效的傳感器接觸。 pcb還可能受到寄生電容的困擾，這種電容最大可達(dá)20pf，它會(huì)使閾值發(fā)生偏移。當(dāng)電容處于閾值時(shí)，電容觸摸傳感器就被視為遭到按壓，因此閾值偏移改變了它的靈敏度。為了對(duì)寄生電容進(jìn)行補(bǔ)償，可以采用對(duì)dac編程的方法，以抵消進(jìn)入cdc的輸入。對(duì)于各pcb來說，這種寄生電容是一致的，因此可以在制造pcb的時(shí)候進(jìn)行簡單的調(diào)整，這樣就不需要外部rc調(diào)諧元件，從而使材料、裝配和測試方面的成本最小化。單獨(dú)調(diào)整每個(gè)傳感器的偏移，使設(shè)計(jì)者可以充分利用轉(zhuǎn)換器的分辨率。 此外，主機(jī)處理器板發(fā)射的電磁噪聲如果耦合進(jìn)入電容傳感器和傳感器線跡之中，將導(dǎo)致不可預(yù)知的傳感器動(dòng)作。
據(jù)介紹，東芝的1ss420二極管在反向電流(ir)最大為5μa (電壓為30v)時(shí)，與傳統(tǒng)產(chǎn)品1ss388 (40v/100ma)相比，正向電壓(vf)約減少17% (@100ma)。 這款肖特基勢壘二極管的泄漏電流、正向電壓較小，有助于系統(tǒng)降低功耗。其反向電壓=30v時(shí)，最大反向電流=5μa，正向電流=200ma時(shí)，最大正向電壓=0.6v；可搭載于小型封裝(esc)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化；并提供無鉛型產(chǎn)品。該器件的平均整流電流為200ma，反向電壓為0v且f=1mhz時(shí)，端子間容量為20pf。
如圖所示的高頻振蕩器，可作為高頻信專發(fā)生器，選擇不同的電容值能夠在56～484khz范圍內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)高頻正弦波。該電路具有剃出波形好、頻率穩(wěn)定度高，輸出阻抗低等特點(diǎn)。 元器件選擇： 三極管vtl、vt2：3dg6d,65≤β《115，vt3、vt4：3dgl308、60≤β≤85。半可調(diào)電容c4：ccwx-3-5／20pf。石英晶體sjt：be-42型。k：jzx-10m(小型繼電器)。發(fā)光二極管vd4：bt-605(紅、綠雙色)。變量器t：選用mxd-2000型鐵氧體、gv-30×19磁芯。ll-2φ0．21mm高強(qiáng)度漆包線，繞制l33匝，l3-4φ0．21mm高強(qiáng)度漆包線，繞制11匝，l5-6φ0．21mm高強(qiáng)度漆包線，繞制80匝。電阻標(biāo)稱功率除r27采用l／2wrj型號(hào)外，別的均采用1／8wrj型電阻。其它元器參數(shù)值如圖標(biāo)注，無特殊要求。 頻率與電容值的關(guān)系如下表所示。 來源:university
蕩信號(hào)由tl的6～7繞組輸出。其中，c6是頻率微調(diào)電容。vd3穩(wěn)定振蕩級(jí)工作電壓，穩(wěn)定電壓為6．8v±0．2v。 元器件選擇： 三極管vt1：3dg6c、β=65～85。二極管vd1、vd2：2cpl4，vd5：2ck18。穩(wěn)壓二極管vd3：2cwl4。變?nèi)荻O管vd4：2cc5。電阻r1：3．6k，r2：3．3k，r3：5．1k，r4：510ω，r5：3．9k，r6：3k，r7：100k，其型號(hào)均為rtx-0．125w。電容cl、c2：5μf30v，c3：51pfl00v，c4：820pfl00v，c5：(調(diào)測時(shí)選配)，c6：20pf。變量器t1：型號(hào)為l22、a=100。l1-4：φ0．29mm，繞27匝，l2-3：φ0．29mm，繞l8匝，l4-2：φ0．29ram，繞9匝，l5-8：φ0．29mm，繞7匝，l6-7：φo．29mm，繞6匝。l1-3=292μh，允許誤差范圍：0～10μh。
和晶體管串聯(lián)的c1可用來調(diào)整振蕩器的輸出頻率。頻率可以在20pf到0.01μf的范圍內(nèi)變化，或者用作調(diào)整電容器，并且與晶體管負(fù)載電容近乎相等。x的值是一個(gè)近似值，可以為了大多數(shù)電路和頻率改變。 來源:zhenglili
00k，r40：1m，r42、r46：9．1k，r44：4．3k，r45：5．1k，r51：100k。電阻型號(hào)均采用rtx-0．125w即可。電位器rpl：4．7k，rp2：150ω，rp3：680ω，rp4：2．2kω。電容cl、c3、c7、cl5、cl6、c26～c29：0.047pf，c2、cl9、c30：0．1μf，c4：510pf，c5、c8、c9、c20、c21～c24：5μf30v，c6：2400pf，cl0(調(diào)測時(shí)選用)，cll、cl4、cl7、c21、c25，參考下表，cl2：20pf，cl3：680pf，cl7：5500pf，cl8，c31、c32：50μf30v，c33、c34：0．22μf。二極管vdl、vd2、vd5、vd7～vdll、vdl4、vdl5：2ckl8或2ck72c，vdl2、vdl3、vdl7、vd20：2cpl4。穩(wěn)壓管vd3、vdl6：2cw5(工作電流6ma，穩(wěn)壓12．5±0．5v)，vd4：2cwl4(電壓6.8±0.2v)，vdl9：2dw7c。變?nèi)荻O管vd6i 2cc5。發(fā)光二極管vdl8：bt-201。三極管vtl、vt4～vt6、vt
如圖所示的高頻振蕩器，可作為高頻信專發(fā)生器，選擇不同的電容值能夠在56～484khz范圍內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)高頻正弦波。該電路具有剃出波形好、頻率穩(wěn)定度高，輸出阻抗低等特點(diǎn)。元器件選擇：三極管vtl、vt2：3dg6d,65≤β《115，vt3、vt4：3dgl308、60≤β≤85。半可調(diào)電容c4：ccwx-3-5／20pf。石英晶體sjt：be-42型。k：jzx-10m(小型繼電器)。發(fā)光二極管vd4：bt-605(紅、綠雙色)。變量器t：選用mxd-2000型鐵氧體、gv-30×19磁芯。ll-2φ0．21mm高強(qiáng)度漆包線，繞制l33匝，l3-4φ0．21mm高強(qiáng)度漆包線，繞制11匝，l5-6φ0．21mm高強(qiáng)度漆包線，繞制80匝。電阻標(biāo)稱功率除r27采用l／2wrj型號(hào)外，別的均采用1／8wrj型電阻。其它元器參數(shù)值如圖標(biāo)注，無特殊要求。頻率與電容值的關(guān)系如下表所示。 來源:university
要是用20pf 的電容可以嗎？要是用20pf 的電容可以嗎？
20pf ，對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率是？弱弱的問：20pf ，應(yīng)用在什么樣的頻率范圍內(nèi)
起振電容在實(shí)際中12m晶振用30pf ，6m晶振用20pf
是否你的復(fù)位沒有接好與一般cpu的低電平復(fù)位方式比較，他是高電平復(fù)位。另外加兩個(gè)20pf的匹配電容試試。
關(guān)于tms320lf2407a的時(shí)鐘問題我想用有源晶振來驅(qū)動(dòng)tms320lf2407，對(duì)于從市面上買的有源晶體振蕩器能否可用？？感覺市面上的有源晶振都是5v供電的。請推薦一下。如果用無源晶振，震蕩電容一般取多大，以10m為例，20pf可以嗎？？
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