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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>12.5m 更新時間:2025-04-04 10:21:28

12.5m供應商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • 利用多片DSP圖像處理識別系統(tǒng)的海洋搜救

    二進制數(shù)字信息的過程。在視頻采集工作中,視頻采集卡是主要設備,它分為專業(yè)和家用兩個級別。專業(yè)級視頻采集卡不僅可以進行視頻采集,并且還可以實現(xiàn)硬件級的視頻壓縮和視頻編輯。家用級的視頻采集卡只能做到視頻采集和初步的硬件級壓縮,而更為"低端"的電視卡,雖可進行視頻的采集,但它通常都省卻了硬件級的視頻壓縮功能。 基于2812-dsp的視頻信號采集原理框圖如圖4所示,其中包括視頻預處理模塊和2812 模塊。視頻預處理模塊包括y/c分離、電平鉗位、同步分離、幅度調(diào)整處理電路。2812-dsp片上a/d以12.5m的速度采集視頻信號,達到了極限采樣速率(采樣間隔時間為80ns)。 y/c分離、視頻鉗位、同步分離電路原理圖見圖5。 tms320c6416t子模塊 此模塊是本系統(tǒng)處理部分的核心模塊。按照通用性強、接口清晰簡捷、資源引出最大化、兼顧構(gòu)建多6416系統(tǒng)的設計思想來設計6416子模塊,如圖6所示。通過emifa接口擴展了兩片4m×32bit sdram, 可一次讀寫64bit數(shù)據(jù)。 圖像傳輸接口設計 圖像可以定義為景物在某種介質(zhì)上的再現(xiàn),例如圖片、

  • 8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ

    日前,vishay intertechnology, inc.宣布,推出新款8v n溝道trenchfet功率mosfet---sia436dj。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型powerpak sc-70封裝,具有n溝道器件中最低的導通電阻。 新的sia436dj在4.5v、2.5v、1.8v、1.5v和1.2v下具有9.4mω、10.5mω、12.5mω、18mω和36mω的超低導通電阻。導通電阻數(shù)值比前一代方案最多低18%,比2mm x 2mm占位面積的最接近的n溝道器件最多低64%。 sia436dj可用于智能手機、平板電腦,以及移動計算應用等便攜式電子產(chǎn)品中的負載切換。器件的超小尺寸powerpak sc-70封裝可在這些應用中節(jié)省pcb空間,同時其低導通電阻可以減少傳導損耗,達到降低功耗、提高效率的目的。 mosfet在1.2v電壓下就可導通,使mosfet可以采用手持設備中常見的低壓電源軌進行工作,簡化了電路設計,使電池在兩次充電周期之間的工作時間更長。sia436dj的低導通電阻還可以減低負載開關上的電壓降,防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。

  • 使用于嵌入式功率系統(tǒng)的先進100V MOSFET器件

    dc前端同步整流開關(輸出電壓12v~20v)、48v寬范圍電源母線上的功率開關以及利用48v電源母線進行操作的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的原邊側(cè)主開關。極低的rds(on) 值對以上所有應用都有利。100v optimos2技術的其他功能適用于其中的一些具體應用。 電荷平衡的應用使optimos2 100v技術在大多數(shù)應用領域都具有很強的競爭力。這種技術可在單一器件里同時實現(xiàn)基準性關鍵參數(shù)如rds(on) 、qg、qgd、crss/ciss比值和卓越的抗雪崩能力等。低導通電阻rds(on) [12.5mω(max)@d-pak,5.1mω(max)@d2-pak]加上快速開關能力,以及卓越的抗雪崩能力使optimos2 100v成為安全、高性能和高功率密度應用的正確選擇。 1.抗雪崩能力 雖然電感負載在電機控制及類似應用中存在,但在嵌入式功率系統(tǒng)中并沒有, 因此mosfet安全處理雪崩事件的能力至關重要。上述所有應用可能要面對諸如雷擊或其他不可預見性事件所造成的故障,使這些器件處于雪崩狀態(tài)??煽康目寡┍滥芰Υ_保系統(tǒng)安全運行,即使在這些糟糕狀況下。 在硅技術級,有兩種機制可以在雪崩期

  • 基于軟開關技術的DC/DC功率變換器的設計

    56a。 輸出濾波電感電流主要是直流分量,交流分量較少,集膚效應影響不是很大,濾波電感選用線徑較大的導線繞制,電感量計算值為1.76mh,為2mh。 輸出電壓紋波系數(shù)<1%,變壓器原邊漏感為1.5μh,濾波電容的計算值為243μf,而耐壓值決定于輸出電壓的最大值,考慮到電解電容有等效串聯(lián)電阻(esr),因此,實際選用470μf/450v的電解電容6并2串。 3 試驗結(jié)果 試驗參數(shù)如下: 開關管s1~s4為mosfet ixfkl50n15導通電阻為12.5mω; 整流橋d1~d8選用快速恢復二極管dsel30-12; 移相控制控制器的工作頻率為60khz; 隔直電容為470μf,輸入側(cè)共模電感3mh; 系統(tǒng)功率3 kw,低壓直流輸入60v。 圖3、圖4為試驗波形,從圖3的波形可知無論在開通還是關斷時刻,s1兩端電壓均為零(其他功率開關管的端電壓和觸發(fā)脈沖波形也類似),實現(xiàn)了零電壓開關,減少了功率器件的開關損耗,提高了系統(tǒng)的效率,圖4所示的是高頻變壓器原邊電壓波形。 4 結(jié)語 這種基于

  • 泰克推出全新的混合信號示波器

    波器的許多最受歡迎的功能,并第一次以僅僅13,700美元的價格把它們提供給大中華區(qū)客戶。其功能特點包括:最大波形捕獲率大于250,000 wfm/s的fastacq功能——用來發(fā)現(xiàn)瞬間信號;fastframe?分段存儲器采集和長記錄長度以高分辨率捕獲長時間周期;大量內(nèi)建工具用于深入分析復雜信號;基于windows的用戶界面,能輕松聯(lián)網(wǎng),操作直觀。 該系列示波器共有八個型號,范圍為從350 mhz模擬帶寬和5 gs/s采樣率到針對高端應用的2 ghz帶寬和10 gs/s采樣率。記錄長度范圍從12.5m直到用于深入分析和調(diào)試的250m。每個型號都有4個模擬通道。mso機型還提供16個數(shù)字通道和內(nèi)建并行總線觸發(fā)與解碼功能。另外,如果客戶需要的話,dpo機型可現(xiàn)場升級至mso機型。 mso/dpo5000系列提供了關鍵工具用于加快調(diào)試的每個階段。帶fastacq功能的dpx?技術使工程師能夠以高達2 ghz的業(yè)內(nèi)最迅速采樣率之一的速度看見其信號中的問題,然后使用超過350種觸發(fā)組合在第一時間捕獲相關事件。用于串行和并行總線內(nèi)容的大量觸發(fā)器支持對總線操作的快速驗證,并使工程師迅速追蹤至嵌入式設

  • Flash的讀寫問題

    flash的讀寫問題現(xiàn)在采用的flash芯片是m25p16,通過dsp的spi串口連接,現(xiàn)在調(diào)試的時候發(fā)現(xiàn),每次只能單步執(zhí)行的時候?qū)lash的讀寫結(jié)果是正確的,但是一次執(zhí)行的時候,總是在讀flash的狀態(tài)寄存器的時候發(fā)生錯誤,導致程序死掉。我們的單板采用的是bf532的芯片,系統(tǒng)時鐘是100m,spi的速率是12.5m,而flash最高的速度是50m,現(xiàn)在調(diào)試用的是jtag,有人說這是因為高速設備和低速設備之間不匹配造成的,我想問下各位大俠,這樣的原因究竟是什么?多謝

12.5m替代型號

12.352MHZ 12.288MHZ 12.288M 12.0MHZ 12.000MHZ 12.0000M 11N90 11N60 11DQ06 11DF4

12.5MHZ 12.8M 12.8MHZ 120/180 12000KHZ 12000M 12000MHZ 12002A 1200AP40 1200AP60

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