揭秘閃存和內(nèi)存：特性、應(yīng)用與區(qū)別大揭秘

一、閃存的定義與優(yōu)勢(shì)閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。它之所以備受青睞，是因?yàn)榫邆淇焖僮x寫(xiě)速度、耐用性、低功耗和小型化等顯著優(yōu)點(diǎn)。閃存通過(guò)電荷來(lái)存儲(chǔ)信息，即使在掉電的情...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-08-22 閱讀：365 關(guān)鍵詞：內(nèi)存

開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹

1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，開(kāi)放NAND閃存接口）是一個(gè)由英特爾、美光、海力士等廠商聯(lián)合制定的標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存接口協(xié)議，旨在統(tǒng)一不同廠商的NAND閃存通信規(guī)范，解決早期NAND閃存兼容性問(wèn)題。 ...

時(shí)間：2025-06-13 閱讀：328 關(guān)鍵詞：NAND閃存接口

閃存和固態(tài)硬盤(pán)有什么區(qū)別

閃存（Flash Memory）和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）都是基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)的技術(shù)，但它們?cè)谠O(shè)計(jì)、性能和用途上有顯著區(qū)別。以下是兩者的主要差異： 1. 基本定義閃存（Flash Memory）一種非易失性存儲(chǔ)芯片（斷電后數(shù)據(jù)不丟失），...

時(shí)間：2025-06-13 閱讀：356 關(guān)鍵詞：閃存固態(tài)硬盤(pán)

EMMC和NAND閃存的區(qū)別

EMMC（嵌入式多媒體卡）和NAND閃存是存儲(chǔ)領(lǐng)域的兩種重要技術(shù)，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、用途和性能上有顯著區(qū)別。以下是詳細(xì)對(duì)比：　　2. 核心區(qū)別　　(1) 集成度　　NAND閃存：　　僅是存儲(chǔ)芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2025-04-30 閱讀：1933 關(guān)鍵詞：EMMCNAND閃存

NAND閃存和NOR閃存的解析

NAND閃存和NOR閃存都是常見(jiàn)的閃存類型，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并作為固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備使用。它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面有一些不同之處?！　AND閃存：　　結(jié)構(gòu)： NAND閃存以NAND門(mén)為基礎(chǔ)單元進(jìn)行組織，這種門(mén)結(jié)構(gòu)使得NAND閃...

時(shí)間：2024-03-15 閱讀：553 關(guān)鍵詞：計(jì)算變壓器

TI - OptiFlash 存儲(chǔ)器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對(duì)軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

在寫(xiě)字樓、工廠車(chē)間和汽車(chē)中，軟件正逐步取代機(jī)械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機(jī)械鎖后，用戶可以通過(guò)手機(jī)應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進(jìn)行控制，同時(shí)制造商可通過(guò)軟件更新、改進(jìn)或校正智能鎖的功能。在這種趨勢(shì)下，人...

時(shí)間：2024-01-11 閱讀：341 關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器技術(shù)

SSD產(chǎn)品中的工業(yè)溫度和NAND閃存

介紹當(dāng)今市場(chǎng)上許多基于 NAND 閃存的 SSD 產(chǎn)品都被標(biāo)榜為“工業(yè)級(jí)”或支持“工業(yè)溫度”（通常為 -40°C 至 85°C）操作。這些 SSD 產(chǎn)品通常在發(fā)貨前在整個(gè)溫度范圍內(nèi)進(jìn)行功能屏幕測(cè)試。然而，溫度對(duì) SSD 數(shù)據(jù)保留和...

時(shí)間：2023-10-27 閱讀：694 關(guān)鍵詞：NAND閃存

串行 NAND 閃存接口

串行 NAND 閃存器件是作為串行 NOR 閃存器件的低成本、高密度替代品而推出的。與 NOR 閃存設(shè)備相比，串行 NAND 閃存設(shè)備通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面積和更低的每比特成本。串行 NAND 閃存設(shè)備使用串行外...

時(shí)間：2023-07-20 閱讀：798 關(guān)鍵詞：NAND 閃存

閃存 101：NAND 閃存與 NOR 閃存

嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在選擇閃存時(shí)必須考慮很多因素：使用哪種類型的閃存架構(gòu)，是選擇串行接口還是并行接口，是否需要糾錯(cuò)碼（ECC）等等。如果處理器或控制器只支持一種類型的接口，這會(huì)限制選項(xiàng)，因此內(nèi)存可能很容易...

時(shí)間：2023-03-13 閱讀：623 關(guān)鍵詞：NAND 閃存, NOR 閃存

使用高速 NOR 閃存的 FPGA 配置

NOR 閃存被廣泛部署為 FPGA 的配置設(shè)備。FPGA 在工業(yè)、通信和汽車(chē) ADAS 應(yīng)用中的使用取決于 NOR 閃存的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性。快速啟動(dòng)時(shí)間要求的一個(gè)很好的例子是汽車(chē)環(huán)境中的攝像頭系統(tǒng)。點(diǎn)火時(shí)后視圖像出現(xiàn)在...

分類：通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間：2023-03-03 閱讀：905 關(guān)鍵詞：物聯(lián)網(wǎng)傳感器

英飛凌推出業(yè)界首款面向航天級(jí)FPGA的符合QML-V標(biāo)準(zhǔn)的抗輻射NOR閃存

航天級(jí)可編程邏輯器件（FPGA）需要包含其引導(dǎo)配置的可靠的高容量非易失性存儲(chǔ)器。為滿足對(duì)高可靠性存儲(chǔ)器日益增長(zhǎng)的需求，英飛凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出業(yè)界首款高容量抗輻射（Rad...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-08-10 閱讀：615 關(guān)鍵詞：英飛凌推出業(yè)界首款面向航天級(jí)FPGA的符合QML-V標(biāo)準(zhǔn)的抗輻射NOR閃存NOR閃存

Microchip推出64Mb并行SuperFlash®閃存，豐富旗下應(yīng)用于航天系統(tǒng)的COTS耐輻射產(chǎn)品陣容

新產(chǎn)品豐富了基于COTS的處理器和通信接口，簡(jiǎn)化宇航級(jí)且可擴(kuò)展的整體系統(tǒng)解決方案的開(kāi)發(fā)　　為減少開(kāi)發(fā)航天器系統(tǒng)的時(shí)間、成本和風(fēng)險(xiǎn)，設(shè)計(jì)人員可以在初始階段使用商用現(xiàn)貨（COTS），隨后再將其替換為具有相同引腳分...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2020-12-16 閱讀：657 關(guān)鍵詞：Microchip推出64Mb并行SuperFlash®閃存，豐富旗下應(yīng)用于航天系統(tǒng)的COTS耐輻射產(chǎn)品陣容Microchip,閃存

嵌入式閃存技術(shù)認(rèn)知誤區(qū)

大多數(shù)汽車(chē)MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的典范，但關(guān)于嵌入式閃存技術(shù)仍...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2020-01-09 閱讀：643 關(guān)鍵詞：嵌入式

使用高速NOR閃存配置FPGA

NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來(lái)的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車(chē)ADAS（駕駛輔助系統(tǒng)）等應(yīng)用中得到廣泛采用。汽車(chē)場(chǎng)景中攝像頭系統(tǒng)的快速啟動(dòng)時(shí)間...

時(shí)間：2019-03-12 閱讀：808 關(guān)鍵詞：使用高速NOR閃存配置FPGANOR閃存