尖峰電流的形成在數(shù)字電路中，數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流 Ioh 和低電平輸出時(shí)灌入的電流 Iol 大小通常不同，一般 Iol＞Ioh。以 TTL 與非門為例，輸出電壓如右圖...
深度解析：柵極驅(qū)動(dòng)電路 VCC 電源去耦電容容值計(jì)算方法
在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。而在該電路中，為 VCC 電源添加去耦電容這一操作，并非隨意為之。去耦電容容值的計(jì)算需要綜合考慮電路需求和實(shí)...
在硬件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，搞硬件的人員通常會(huì)注意到芯片電源引腳旁一般會(huì)放置一個(gè)電容，且這個(gè)電容大多為 100nF，該電容也被稱為去耦電容（Decoupling Capacitor）。這一設(shè)計(jì)在硬件電路設(shè)計(jì)中極為常見，但為何常選 100nF 呢...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2023-11-23 閱讀：0
時(shí)鐘數(shù)字IC通常需要大的瞬態(tài)電源電流。例如，大型微處理器可以在很短的時(shí)間內(nèi)消耗高達(dá) 10 A 的電流。隨著 IC 輸出的上升/下降時(shí)間縮短，我們需要以更高的速率提供瞬態(tài)能量...
分類：PCB技術(shù) 時(shí)間：2023-11-01 閱讀：1941 關(guān)鍵詞：去耦電容器
熱環(huán)路 PCB ESR 和 ESL 與去耦電容器位置的關(guān)系
LTM4638 是一款集成的 20 V IN、15 A 降壓轉(zhuǎn)換器模塊，采用微型 6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm BGA 封裝。它具有高功率密度、快速瞬態(tài)響應(yīng)和高效率。該模塊內(nèi)部集成了一個(gè)...
分類：PCB技術(shù) 時(shí)間：2023-07-10 閱讀：1171 關(guān)鍵詞： PCB
不良的電容器去耦會(huì)增加失真PCB 的電源和接地導(dǎo)體確實(shí)存在一些電感。如果我們?cè)噲D直接通過電源和接地導(dǎo)體提供設(shè)備的高頻電流，這種電感可能會(huì)導(dǎo)致問題。回想一下，電感兩端...
1、輸入電阻和輸出電阻 輸入電阻是用來衡量放大器對(duì)信號(hào)源的影響的一個(gè)性能指標(biāo)。輸入電阻越大，表明放大器從信號(hào)源取的電流越小，放大器輸入端得到的信號(hào)電壓也越大，即信號(hào)源電壓衰減的少。理論基礎(chǔ)：Us=(Rs+Ri...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-12-09 閱讀：424 關(guān)鍵詞：電阻
電路的設(shè)計(jì)中存在很多 電磁干擾(EMI) 問題， 去耦電容 的應(yīng)用場(chǎng)景就是減小電磁干擾，這一過程衍生出了另一個(gè)概念—— 電磁兼容(EMC) 。 電磁干擾(EMI)的例子? 1、靜電放電(ESD) 冬天的時(shí)候，尤其是空氣比較...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-04-01 閱讀：862 關(guān)鍵詞：去耦電容
去耦電容的有效使用方法的第二個(gè)要點(diǎn)是降低電容的ESL（即等效串聯(lián)電感）。雖說是“降低ESL”，但由于無法改變單個(gè)產(chǎn)品的ESL本身，因此這里是指“即使容值相同，也要使用ESL...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-09-17 閱讀：886 關(guān)鍵詞：如何降低去耦電容的ESL（等效串聯(lián)電感）去耦電容
去耦電容有效使用方法的要點(diǎn)大致可以分為以下兩種。另外，還有其他幾點(diǎn)需要注意。 要點(diǎn)1：使用多個(gè)去耦電容 要點(diǎn)2：降低電容的ESL（等效串聯(lián)電感） 其他注意事項(xiàng) 要點(diǎn)1：使用多個(gè)去耦電容 去耦電容的...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-08-04 閱讀：383 關(guān)鍵詞：去耦電容的有效使用方法去耦電容
EMC基礎(chǔ)：去耦電容的有效使用方法-要點(diǎn)2
上一篇文章介紹了“去耦電容的有效使用方法”的要點(diǎn)1“使用多個(gè)去耦電容”。本文將介紹“要點(diǎn)2”。 要點(diǎn)2：降低電容的ESL 去耦電容的有效使用方法的第二個(gè)要點(diǎn)是降低...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-03-24 閱讀：625 關(guān)鍵詞：EMC基礎(chǔ)：去耦電容的有效使用方法-要點(diǎn)2去耦電容
旁路和去耦是指防止有用能量從一個(gè)電路傳到另一個(gè)電路中，并改變?cè)肼暷芰康膫鬏斅窂剑瑥亩岣唠娫捶峙渚W(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)。它有三個(gè)基本概念：電源、地平面，元件和內(nèi)層的電源連接...
分類：PCB技術(shù) 時(shí)間：2021-01-08 閱讀：876 關(guān)鍵詞：淺談PCB中的去耦電容設(shè)計(jì)PCB
值得學(xué)習(xí)，常見的去耦電容的一些使用方法的詳細(xì)解析
各類用電設(shè)備都要求供給其額定電壓才能正常工作。若電源電壓超標(biāo)準(zhǔn)降低或升高時(shí)，輕則不能正常工作，嚴(yán)重時(shí)會(huì)引起設(shè)備損壞等事故。電源電壓偏高或偏低對(duì)用電設(shè)備的主要影響如下： （1）照明設(shè)備 白熾燈電源電...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2020-11-10 閱讀：428 關(guān)鍵詞：值得學(xué)習(xí)，常見的去耦電容的一些使用方法的詳細(xì)解析去耦電容
電容及其寄生效應(yīng) 圖 1 所示為實(shí)際電容的模型。電阻 RP 代表絕緣電阻或泄漏，與標(biāo)稱電容(C)并聯(lián)。第二個(gè)電阻 RS（等效串聯(lián)電阻或 ESR）與電容串聯(lián)，代表電容引腳和電容...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2020-04-20 閱讀：745 關(guān)鍵詞：IC高頻噪聲太大？教你最優(yōu)的去耦電容選型方法電容
電源設(shè)計(jì)中的去耦電容應(yīng)用實(shí)例
電源往往是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實(shí)，作為一款的設(shè)計(jì)，電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本?！ ∵@里，只介紹一下電路板電...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2020-03-06 閱讀：560 關(guān)鍵詞：電源設(shè)計(jì)中的去耦電容應(yīng)用實(shí)例電源設(shè)計(jì)
單片機(jī)中去耦電容在電路中的應(yīng)用 首先來看圖 1，這是 USB 接口和供電電路。 圖 1 USB 接口和供電電路 左邊這張圖，過了保險(xiǎn)絲以后，接了一個(gè) 470uF 的電容 C16...
分類：單片機(jī)與DSP 時(shí)間：2019-07-16 閱讀：1722 關(guān)鍵詞：單片機(jī),電容
首先來看圖 1，這是 USB 接口和供電電路?！? 圖 1 USB 接口和供電電路 左邊這張圖，過了保險(xiǎn)絲以后，接了一個(gè) 470uF 的電容 C16，右邊這張圖，經(jīng)過開關(guān)后，接了一...
分類：單片機(jī)與DSP 時(shí)間：2019-07-13 閱讀：1831 關(guān)鍵詞：單片機(jī)
在擔(dān)任應(yīng)用工程師之前，我是 IC 測(cè)試開發(fā)工程師。我的項(xiàng)目之一是對(duì) I2C 溫度傳感器進(jìn)行特性描述。在編寫一些軟件之后，我手工焊接了一個(gè)原型設(shè)計(jì)電路板。由于時(shí)間倉促，我...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-04-13 閱讀：815 關(guān)鍵詞：去耦電容器真的是你所需的嗎？去耦電容器
前段時(shí)間有跟大家分享過去耦電容的有效使用方法——“要點(diǎn)一”使用多個(gè)去耦電容，今天為大家繼續(xù)介紹“要點(diǎn)二”降低電容的ESL（等效串聯(lián)電感）去耦電容的有效使用方法要點(diǎn)...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-04-04 閱讀：764 關(guān)鍵詞：去耦電容的有效使用方法要點(diǎn)二去耦電容
