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功率晶體管

對(duì)寬禁帶功率晶體管進(jìn)行測(cè)試

電力電子的快速發(fā)展得益于寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料的發(fā)展,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。這些材料與傳統(tǒng)硅相比具有優(yōu)越的性能,包括更高的擊穿電壓、更高的熱導(dǎo)率...

分類:電子測(cè)量 時(shí)間:2025-04-22 閱讀:195 關(guān)鍵詞:功率晶體管

Nexperia推出了四個(gè)40V雙向GAN功率晶體管。

使用5V門驅(qū)動(dòng)器,可用的最大電阻值為1.2、4.8、8或12MΩ,請(qǐng)參見下表 - 操作最高為125°C。包裝是VQFN16,WLCSP22,WLCSP16或WLCSP12?! ≡摴痉Q,他們“支持移動(dòng)設(shè)備和筆記本電腦中的過(guò)電壓保護(hù),負(fù)載開關(guān)和電池...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2025-03-19 閱讀:371 關(guān)鍵詞:GAN功率晶體管

選擇和操作開關(guān)功率晶體管:SiC 元件

碳化硅元件  與 GaN 相比,SiC 擁有超過(guò) 15 年的二極管實(shí)際制造和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)以及超過(guò) 10 年的晶體管實(shí)際制造和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。 SiC JFET 和共源共柵構(gòu)成了堅(jiān)實(shí)的技術(shù),SiC 增強(qiáng)...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2024-11-01 閱讀:599 關(guān)鍵詞:開關(guān)功率晶體管

開關(guān)功率晶體管的選擇和正確操作:第 2 部分

當(dāng)晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時(shí),晶體管將跨越其線性區(qū)域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導(dǎo)非常高,漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此,驅(qū)動(dòng)器在跨越線性...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2024-09-13 閱讀:309 關(guān)鍵詞:開關(guān)功率晶體管

開關(guān)功率晶體管的選擇和正確操作

Si MOSFET 正常工作的驅(qū)動(dòng)電路?! £P(guān)于制造商的應(yīng)用說(shuō)明和電路圖的一般性說(shuō)明:除少數(shù)例外,這些都不適合任何系列生產(chǎn)?! 』旧?,驅(qū)動(dòng)電路必須對(duì)柵極輸入電容進(jìn)行充電...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2024-07-16 閱讀:370 關(guān)鍵詞:開關(guān)功率晶體管

GaN 功率晶體管的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)量技術(shù)

GaN 功率晶體管的“電流崩潰”行為  雖然 GaN 功率晶體管因其低能量損耗和高功率密度能力而在電力電子應(yīng)用中變得越來(lái)越流行,但設(shè)計(jì)工程師仍然對(duì)其可靠性存在一些擔(dān)憂。G...

分類:電子測(cè)量 時(shí)間:2023-12-28 閱讀:1590 關(guān)鍵詞:GaN功率晶體管

功率晶體管應(yīng)用的三個(gè)維度

幫助我們了解哪種功率晶體管技術(shù)最適合您的功率級(jí)設(shè)計(jì)。重申一下,這些是最大工作電壓、最大工作電流和最大開關(guān)頻率。 這些和其他數(shù)據(jù)表參數(shù)為設(shè)計(jì)人員提供了做出深思熟慮的設(shè)計(jì)決策所需的技術(shù)信息。但設(shè)計(jì)人員通...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-05 閱讀:983 關(guān)鍵詞:功率晶體管

EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低

氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì),在極小的芯片級(jí)封裝中,實(shí)現(xiàn)350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值電流,是多電平轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電、太陽(yáng)能逆變器、激光雷達(dá)和LED 照明的理想器件。 宜...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2022-04-11 閱讀:739 關(guān)鍵詞:EPC

意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管

意法半導(dǎo)體的STPOWER LDMOS晶體管產(chǎn)品家族新 近新增多款產(chǎn)品,該產(chǎn)品家族有三個(gè)不同的產(chǎn)品系列,均是針對(duì)各種商用和工業(yè)用射頻功率放大器(PA)優(yōu)化設(shè)計(jì)?! TPOWER LDMOS的產(chǎn)品特色是高能效和低熱阻,封裝芯片可處...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2021-08-13 閱讀:461 關(guān)鍵詞:意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管LDMOS功率晶體管

為增強(qiáng)型GaN功率晶體管匹配門極驅(qū)動(dòng)器

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固,因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用,集成正確的門極驅(qū)動(dòng)...

時(shí)間:2019-11-08 閱讀:511 關(guān)鍵詞:驅(qū)動(dòng)器

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz頻率時(shí)可實(shí)現(xiàn)97%效率的氮化鎵(eGaN®)功率晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其占板面積只是1.1平方毫米、最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為25 m?及脈沖輸出電流高達(dá)37 A 以支持高效功率轉(zhuǎn)換。   要求更高的效率及更高的功率密度的...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2018-09-14 閱讀:1141 關(guān)鍵詞:宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz頻率時(shí)可實(shí)現(xiàn)97%效率的氮化鎵(eGaN®)功率晶體管效硅器件

英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管

導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200MHz~1400MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少所需的組件,降低系統(tǒng)成本,提高可...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2014-04-11 閱讀:1514 關(guān)鍵詞:英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管英飛凌 射頻功率晶體管 PTVA127002EV

ST新增SD2931-12MR和SD4933MR兩款防潮RF功率晶體管

導(dǎo)讀:近日,意法半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“ST”)新增兩款防潮RF功率晶體管SD2931-12MR和SD4933MR.此兩款新器件是在以提高目標(biāo)應(yīng)用在高潮濕環(huán)境內(nèi)的耐用性和可靠性的情況下而推出,并且成為了高成本效益的功率射頻解決方案...

分類:物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間:2013-12-30 閱讀:2682 關(guān)鍵詞:ST新增SD2931-12MR和SD4933MR兩款防潮RF功率晶體管STSD2931-12MRSD4933MRRF功率晶體管

飛思卡爾推出AFT27S0系列兩款全新射頻功率晶體管

導(dǎo)讀:日前,飛思卡爾半導(dǎo)體發(fā)布了AFT27S006N和AFT27S010N兩款全新的射頻功率晶體管,此兩款新器件的推出在滿足效率提升、峰值功率和信號(hào)帶寬需求的同時(shí),還能應(yīng)對(duì)降低成本的持續(xù)壓力,完美的成為Airfast射頻功率解...

分類:安防監(jiān)控 時(shí)間:2013-12-12 閱讀:2175 關(guān)鍵詞:飛思卡爾推出AFT27S0系列兩款全新射頻功率晶體管飛思卡爾大功率射頻晶體管

驗(yàn)證射頻功率晶體管的耐用性

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2012-05-25 閱讀:2469 關(guān)鍵詞:驗(yàn)證射頻功率晶體管的耐用性

開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)

摘要: 本文分析了晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因, 并結(jié)合開關(guān)電源的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)實(shí)際, 介紹了緩沖回路的應(yīng)用及其它有關(guān)晶體管防護(hù)措施?! ‰S著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2011-10-19 閱讀:6139 關(guān)鍵詞:開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)開關(guān)電源功率晶體管

飛思卡爾擴(kuò)大RF功率晶體管產(chǎn)品陣容

隨著基于LDMOS(laterally-diffusedmetaloxidesemiconductor,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的三個(gè)高性能RF功率晶體管的推出,飛思卡爾(Freescale)半導(dǎo)體擴(kuò)展了它在GSMEDGE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)方面的投入。

分類:物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間:2009-06-16 閱讀:3013 關(guān)鍵詞:飛思卡爾擴(kuò)大RF功率晶體管產(chǎn)品陣容RF功率晶體管

飛思卡爾首推L-Band雷達(dá)用50V LDMOS功率晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體業(yè)已推出了全球首款用于L-Band(L波段)雷達(dá)應(yīng)用的50VLDMOS功率晶體管產(chǎn)品線,從而繼續(xù)推動(dòng)了大功率射頻(RF)技術(shù)的發(fā)展。該產(chǎn)品線是各種大功率RF應(yīng)用的理想選擇,包括:空中交通管理和長(zhǎng)距離氣象雷...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2008-08-22 閱讀:2521 關(guān)鍵詞:飛思卡爾首推L-Band雷達(dá)用50V LDMOS功率晶體管晶體管功率

英飛凌發(fā)布用于700MHz頻段的全新射頻功率晶體管系列

英飛凌(Infineon)在近期舉行的IEEEMTT-S國(guó)際微波研討會(huì)上,發(fā)布了專門面向700MHz頻段無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國(guó)將用于承載4G(第四代)蜂窩、移動(dòng)電視廣播和其他移動(dòng)寬帶服務(wù),其中...

分類:物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間:2008-08-13 閱讀:2608 關(guān)鍵詞:英飛凌發(fā)布用于700MHz頻段的全新射頻功率晶體管系列射頻功率晶體管

飛思卡爾為L(zhǎng)波段雷達(dá)推出50V LDMOS功率晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體推出適用于L波段雷達(dá)應(yīng)用的50VLDMOSRF功率晶體管產(chǎn)品的神秘面紗。這一產(chǎn)品線非常適合于各種高功率RF應(yīng)用,包括空中交通管理和長(zhǎng)射程氣象雷達(dá)。RF產(chǎn)品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅(qū)動(dòng)。當(dāng)...

分類:物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間:2008-06-10 閱讀:2556 關(guān)鍵詞:飛思卡爾為L(zhǎng)波段雷達(dá)推出50V LDMOS功率晶體管LDMOS功率晶體管波段雷

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