DRAM簡(jiǎn)介

什么是DRAM？　　內(nèi)存是計(jì)算機(jī)操作的基礎(chǔ)。與CPU結(jié)合使用時(shí)，可以運(yùn)行一組指令（程序）和存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)的能力。隨機(jī)訪問內(nèi)存（RAM）是一種眾所周知的內(nèi)存類型，由于其能夠訪問記憶中的任何位置，并大致相同的時(shí)間延遲...

時(shí)間：2025-03-06 閱讀：331 關(guān)鍵詞：DRAM

SDRAM、SRAM與DRAM這幾種內(nèi)存的區(qū)別是什么

SDRAM（Synchronous DRAM）、SRAM（Static RAM）和DRAM（Dynamic RAM）是三種常見的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、速度、成本和應(yīng)用等方面有不同的特點(diǎn)。下面是它們之間的主要區(qū)別：1. SDRAM (Synchronous Dynamic Ra...

時(shí)間：2025-02-18 閱讀：501 關(guān)鍵詞：SDRAMSRAMDRAM

SDRAM工作原理_SDRAM布局布線說明

SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是一種廣泛用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它的工作原理涉及到數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀寫過程。以下是SDRAM的基本工作原理：　　同步性：　　SDRAM是同步存儲(chǔ)器，其操...

時(shí)間：2024-05-31 閱讀：523 關(guān)鍵詞：SDRAM

什么是DRAM？DRAM存儲(chǔ)單元原理

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種內(nèi)存芯片，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中作為主存儲(chǔ)器使用。它是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)會(huì)丟失。DRAM通常以集成電路芯片的形式存在，用于...

時(shí)間：2024-02-26 閱讀：779 關(guān)鍵詞：DRAM

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）簡(jiǎn)介

什么是 DRAM？　　內(nèi)存是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的基礎(chǔ)。當(dāng)與 CPU 結(jié)合使用時(shí)，可以運(yùn)行指令集（程序）并存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）是一種眾所周知的存儲(chǔ)器類型，之所以如此稱呼是因?yàn)樗軌蛞源笾孪嗤臅r(shí)間延遲訪問...

時(shí)間：2023-12-07 閱讀：1167 關(guān)鍵詞：DRAM

使用新的 DRAM 進(jìn)步來提高嵌入式系統(tǒng)的性能

對(duì)于主流內(nèi)存，這條路已經(jīng)規(guī)劃好了，也走過了。從快速頁(yè)面 (FP) 模式和擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 (EDO) 到 SDR、DDR 和 DDR2，演變帶來了先進(jìn)的架構(gòu)、更快的速度、更高的密度和帶寬，以及更低的電源電壓和功耗。這些重大進(jìn)步共同...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2023-04-03 閱讀：1591 關(guān)鍵詞： DRAM

Crucial英睿達(dá)：不同DRAM可否混搭？

電腦 DIY 用戶常會(huì)遇到一種情況：想換新的DRAM模塊，但可能還有另外一塊 DRAM，擔(dān)心兩塊互不兼容。那么，不同世代、不同速度、延時(shí)、電壓或制造商的DRAM能否混合搭配起來使用呢？ 的內(nèi)存制造商之一Micron美光旗...

分類：家電/消費(fèi)電子 時(shí)間：2021-01-29 閱讀：8897 關(guān)鍵詞：Crucial英睿達(dá)：不同DRAM可否混搭？RAM

高云半導(dǎo)體推出兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片

廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“高云半導(dǎo)體”）今日宣布，高云半導(dǎo)體小蜜蜂家族新增兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片，分別是GW1NR-LV4MG81 與 GW1NSR-LX2CQN48，其設(shè)計(jì)的初衷是實(shí)現(xiàn)低功率、小封裝尺寸和低...

時(shí)間：2019-01-19 閱讀：1184 關(guān)鍵詞：高云半導(dǎo)體推出兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片半導(dǎo)體

利用CPLD技術(shù)和80C196XL時(shí)序特征實(shí)現(xiàn)DRAM控制器的設(shè)計(jì)

0C186XL16位嵌入式微處理器［1］是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAM RCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動(dòng)...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2019-01-08 閱讀：239 關(guān)鍵詞：利用CPLD技術(shù)和80C196XL時(shí)序特征實(shí)現(xiàn)DRAM控制器的設(shè)計(jì)DRAM控制器

高云半導(dǎo)體推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGA

今日宣布，高云半導(dǎo)體小蜜蜂家族新增兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片，分別是GW1NR-LV4MG81 與 GW1NSR-LX2CQN48，其設(shè)計(jì)的初衷是實(shí)現(xiàn)低功率、小封裝尺寸和低成本等特性。 　　隨著邊緣計(jì)算的興起，相應(yīng)芯片的市場(chǎng)需求...

時(shí)間：2018-09-17 閱讀：564 關(guān)鍵詞：高云半導(dǎo)體推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGADRAM

ARM開發(fā)步步深入之SDRAM編程示例

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模焊淖儭包c(diǎn)燈大法”的執(zhí)行地點(diǎn)，從NandFlash的Steppingstone轉(zhuǎn)到SDRAM中執(zhí)行，借此掌握存儲(chǔ)控制器的使用。 　　實(shí) 驗(yàn)環(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410板擴(kuò)展有64MB的SDRAM，用于設(shè)置程序堆棧和存...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2018-08-30 閱讀：125 關(guān)鍵詞：ARM開發(fā)步步深入之SDRAM編程示例ARM

微控制單元器MCU、ARM及SDRAM簡(jiǎn)介

它是美國(guó)愛荷華州立大學(xué)的約翰·文森特·阿塔納索夫（John Vincent Atanasoff）教授和他的研究生克利福特·貝瑞（Clifford Berry）在1937年設(shè)計(jì)的。 　　遺憾的是當(dāng)時(shí)僅僅用于求解線性方程組，也沒有申請(qǐng)專利，愛荷...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2018-08-03 閱讀：996 關(guān)鍵詞：微控制單元器MCU、ARM及SDRAM簡(jiǎn)介ARM,SDRAM

為什么2440與SDRAM地址線錯(cuò)兩位相連？

為什么2440與SDRAM地址線錯(cuò)兩位相連？　　網(wǎng)上說，錯(cuò)兩位是為了32位對(duì)齊（地址為8位數(shù)據(jù)地址，2440位寬為32，錯(cuò)兩位，一次跳4byte）?！　∠旅媸锹犇戏酱蟾绲慕坛虝r(shí)記錄的：　　由于兩個(gè)內(nèi)存合起來“數(shù)據(jù)位寬”是32...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2018-07-24 閱讀：879 關(guān)鍵詞：2440,SDRAM,地址線

S3C2440 SDRAM寄存器初始化設(shè)置

板子是s3c2440，使用兩片容量為32MB、位寬16bit的EM63A165TS-6G芯片拼成容量為64M、32bit的SDRAM存儲(chǔ)器。根據(jù)2410datasheet，要使用SDRAM需配置13個(gè)寄存器，以下逐個(gè)來看： 　　1、 BWSCON：Bus width & wait ...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2018-07-23 閱讀：180 關(guān)鍵詞：S3C2440,,SDRAM,寄存器,初始化設(shè)置

ARM外設(shè)flash及SDRAM的地址連接

先提一下位寬的概念，對(duì)于具體器件而言，它的位寬是一定的，所謂位寬，指的是“讀/寫操作時(shí)，最小的數(shù)據(jù)單元”──別說最小單元是“位”，一般設(shè)備上沒有單獨(dú)的“位操作”，修改位時(shí)通過把整個(gè)字節(jié)、字或雙字讀出來...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2018-07-23 閱讀：653 關(guān)鍵詞：ARM,外設(shè)flash,SDRAM,地址連接