什么是DRAM？
　　內(nèi)存是計(jì)算機(jī)操作的基礎(chǔ)。與CPU結(jié)合使用時(shí)，可以運(yùn)行一組指令（程序）和存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)的能力。隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存（RAM）是一種眾所周知的內(nèi)存類(lèi)型，由于其能夠訪問(wèn)記憶中的任何位置，并大致相同的時(shí)間延遲。
　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器或DRAM是一種特定類(lèi)型的隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，可以以較低的成本允許更高的密度。筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)中發(fā)現(xiàn)的內(nèi)存模塊使用DRAM。
　　DRAM與SRAM
　　將來(lái)的文章可能會(huì)討論其他類(lèi)型的記憶，例如SRAM，MRAM和FLASH。簡(jiǎn)而言之，在DRAM代表 動(dòng)態(tài) 隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存的地方，SRAM代表 靜態(tài) 隨機(jī)訪問(wèn)記憶。的區(qū)別是DRAM利用電容器（正如我們?cè)诒疚纳院笥懻摰哪菢樱?，盡管SRAM也沒(méi)有，盡管也有不同的考慮，例如不同的處理，不同的速度和開(kāi)發(fā)人員的成本不同。
　　DRAM如何工作？
　　Robert Dennard于1966年在IBM發(fā)明，DRAM的工作方式與其他類(lèi)型的記憶差異很大。 DRAM中的基本存儲(chǔ)單元由兩個(gè)元素組成：晶體管和一個(gè)電容器。

　　當(dāng)需要放入記憶中時(shí)，晶體管將用于充電或排放電容器。帶電的電容器代表邏輯高或“ 1”，而放電電容器表示邏輯低或“ 0”。充電/放電是通過(guò)文字線和位線完成的，如圖1所示。

　　圖1。 在DRAM中，將其作為電容器上的存在或不存在電荷存儲(chǔ)在讀取或?qū)懭肫陂g，文字線變高，晶體管將電容器連接到位線。位點(diǎn)上的任何值（'1'或'0'）從電容器中存儲(chǔ)或檢索。
　　每個(gè)電容器上存儲(chǔ)的電荷太小，無(wú)法直接讀取，而是由稱(chēng)為“感覺(jué)放大器”的電路測(cè)量。感官放大器檢測(cè)到電荷的分鐘差異，并輸出相應(yīng)的邏輯水平。從比特線讀取的行為迫使電荷從電容器流出。因此，在DRAM中，讀取具有破壞性。為了解決這個(gè)問(wèn)題，完成了一個(gè)稱(chēng)為預(yù)先進(jìn)行的操作，以使從位線讀取的值重新讀回電容器。
　　同樣有問(wèn)題的是，電容器隨著時(shí)間的流逝而泄漏充電。因此，要維護(hù)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的數(shù)據(jù)，必須定期對(duì)電容器進(jìn)行刷新。令人耳目一新的作品就像閱讀一樣，確保數(shù)據(jù)永遠(yuǎn)不會(huì)丟失。這是DRAM從中獲得“動(dòng)態(tài)”綽號(hào)的地方 - DRAM電池上的電荷經(jīng)常動(dòng)態(tài)刷新。將其與SRAM（靜態(tài)RAM）保留狀態(tài)而無(wú)需刷新的SRAM（靜態(tài)RAM）對(duì)比。
　　DRAM如何組織？
　　DRAM可以取決于應(yīng)用程序。圖2顯示了一個(gè)DIMM（雙線內(nèi)存模塊），該模塊包含多個(gè)車(chē)載DRAM芯片。
　　該DIMM包含1 GB的內(nèi)存，但請(qǐng)注意貼紙上打印的“ 2RX8”。 2R表示該模塊為等級(jí)2，而X8（發(fā)音為“八個(gè)”）表示來(lái)自每個(gè)DRAM芯片的數(shù)據(jù)的輸出寬度。等級(jí)是單獨(dú)尋址的一組DRAM。在這種情況下，一個(gè)是四個(gè)DRAM芯片。由于總共有八個(gè)（前/后部），因此我們有2個(gè)等級(jí)。

　　DRAM模塊的等級(jí)是DIMM中組織的別。在此之下，每個(gè)芯片都會(huì)組織成許多包含行和列的存儲(chǔ)器陣列。圖3顯示了有四個(gè)銀行的DRAM芯片。

　　圖3。 與四個(gè)銀行一起的DRAM芯片
　　每個(gè)銀行獨(dú)立于其他銀行運(yùn)營(yíng)。這意味著可以在一家銀行上完成閱讀，寫(xiě)作和預(yù)處理，而不會(huì)影響另一個(gè)銀行。
　　等級(jí)，銀行，行和專(zhuān)欄

　　如前所述，DRAM的是一組單獨(dú)解決的DRAM芯片。每個(gè)DRAM芯片都進(jìn)一步組織到包含一組內(nèi)存陣列的許多銀行中。每個(gè)銀行的內(nèi)存陣列數(shù)量等于輸出寬度的大小。因此，在X4 DRAM芯片中，內(nèi)部銀行每個(gè)都有四個(gè)內(nèi)存陣列。圖4顯示了單個(gè)X4銀行的示例。

　　圖4。 由解碼器，感官放大器和內(nèi)存數(shù)組組成的X4銀行灰色部分是設(shè)計(jì)為行和列的網(wǎng)格的內(nèi)存陣列。一組解碼器用于訪問(wèn)行和列，選擇內(nèi)存數(shù)組中的一個(gè)相交。正是在此交叉點(diǎn)，一個(gè)小電容器存儲(chǔ)代表所訪問(wèn)數(shù)據(jù)的電荷。