1200V超快二極管及其應(yīng)用

在電能傳輸中眾所周知的事實(shí)是，低壓系統(tǒng)中的歐姆損耗對(duì)效率的影響比高壓系統(tǒng)中的更大。正是出于這個(gè)原因，手機(jī)和平板電腦充電的新標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)制定（USB-PD），允許這些設(shè)備通過 9V、12V 甚至 20V 電源充電，而早期的標(biāo)...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-01-14 閱讀：612 關(guān)鍵詞：二極管

S7-1200和CP343-1的Profinet通信方法

S7-1200 和 CP343-1 的 Profinet 通信方法　　S7-1200 PLC 和 CP343-1 模塊是西門子自動(dòng)化控制系統(tǒng)中的重要組件，它們可以通過 Profinet 網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信。Profinet 是一種以太網(wǎng)協(xié)議，專為工業(yè)自動(dòng)化設(shè)計(jì)，支持設(shè)備之...

分類：通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間：2024-12-12 閱讀：398 關(guān)鍵詞：S7-1200CP343-1

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

早期的電動(dòng)汽車 (EV) 由于難以存儲(chǔ)足夠的能量來驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的主驅(qū)電機(jī)，行駛里程較為有限。為了延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車制造商增加了車輛電池的能量容量。然而，更大的電池意味著更長(zhǎng)的充電時(shí)間。要能快速高效地為電動(dòng)車...

分類：汽車電子/智能駕駛 時(shí)間：2023-06-14 閱讀：562 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET 模塊

采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)

逆變焊機(jī)通常是通過功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢(shì)一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的...

分類：工業(yè)電子 時(shí)間：2023-06-09 閱讀：823 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET單管

談S7-1200 PLC系統(tǒng)接地規(guī)范

1、S7-1200 PLC系統(tǒng)的接地總原則中S7-1200 PLC屬于中小型的PLC，在接地過程中，應(yīng)注意以下原則：◆ 將應(yīng)用設(shè)備接地的最佳方式是確保S7-1200 PLC和相關(guān)設(shè)備的所有公共端和接地連接在同一個(gè)點(diǎn)接地?！?該點(diǎn)應(yīng)該直接連...

分類：EDA/PLD/PLC 時(shí)間：2022-11-01 閱讀：2206

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)常見于電動(dòng)車車載充電器、工...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-05-12 閱讀：539 關(guān)鍵詞：碳化硅

英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強(qiáng)特性進(jìn)一步提高系統(tǒng)能效

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-05-11 閱讀：457 關(guān)鍵詞：芯片

儒卓力提供英飛凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V電源模塊

英飛凌CIPOS Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC?發(fā)射極開路智能電源模塊，采用36x23D DIP封裝。該模塊具有優(yōu)良導(dǎo)熱性和高開關(guān)速率范圍(高達(dá)80 Hz)，提供了功能齊全的緊湊型逆變器解決方案。這個(gè)產(chǎn)...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-08-30 閱讀：779 關(guān)鍵詞：儒卓力提供英飛凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V電源模塊電源模塊

ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到最佳水平，提高高頻逆...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2019-05-21 閱讀：1240 關(guān)鍵詞：ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗整流器,開關(guān)損耗

ROHM開發(fā)出滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)壓縮機(jī)※2）的逆變器電路和PTC加熱器※3）的開關(guān)電路，而且...

分類：汽車電子/智能駕駛 時(shí)間：2019-05-13 閱讀：990 關(guān)鍵詞：ROHM開發(fā)出滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”半導(dǎo)體

Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

電路保護(hù)領(lǐng)域的企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2018-03-16 閱讀：1407 關(guān)鍵詞：Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

1200W正弦波逆變器圖解分析

正弦波逆變器原理圖,有方波的輸出和正弦波輸出的區(qū)別.方波輸出的逆變器效率高,但對(duì)于都是為正弦波電源設(shè)計(jì)的電器來說,使用總是不放心,雖然可以試用于許多電器,但部分電器就不適用,或用起來電器的指標(biāo)會(huì)變化.正弦波輸...

分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2011-08-27 閱讀：4389 關(guān)鍵詞：逆變器

解析國外高端1200W工頻逆變器

工頻逆變器是一種DC/AC的轉(zhuǎn)換器，采用高頻脈寬調(diào)制技術(shù)和微電腦控制技術(shù)設(shè)計(jì)，將電池組的直流電源轉(zhuǎn)化成輸出電壓和頻率穩(wěn)定的交流電源。而具有較高的轉(zhuǎn)換效率（在滿負(fù)載狀態(tài)下可高達(dá)80%以上）。同時(shí)還有很強(qiáng)的非線性...

分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2011-08-27 閱讀：2405 關(guān)鍵詞：逆變器