IR發(fā)布全新第八代1200V IGBT平臺
出處：電子技術設計 發(fā)布于：2014-11-19 08:27:58
功率半導體和管理方案供應商國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 技術平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT平臺適用于符合行業(yè)標準的TO-247封裝，并采用IR新一代溝道柵極場截止技術，為工業(yè)及節(jié)能應用提供卓越性能。
全新的Gen8組件提供從8A到高達60A的電流額定值，加上1.7V典型VCE（ON） 和10μs短路額定值，能夠減少功耗，有效增加功率密度并帶來卓越的耐用性。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR通過開發(fā)全新基準技術及的IGBT硅平臺，彰顯其數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達實現百分百變頻，從而更有效地使用電能，并且綠化環(huán)境?！?/FONT>
新技術為電機驅動應用提供更理想的軟關斷功能，通過盡量降低dv/dt來減少電磁干擾和過壓情況，有助于提升可靠性及耐用性。該平臺的參數分布狹窄，在進行多個IGBT并聯時便可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻，還可達到175°C的結溫。
潘大偉指出：“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業(yè)應用提供卓越的技術。該IGBT平臺憑借的VCE（ON）、卓越的耐用性及的開關功能，使工業(yè)市場所面臨的難題迎刃而解?！?/FONT>
產品現正接受批量訂單。新器件符合電子產品有害物質管制規(guī)定 （RoHS）。
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