過(guò)壓保護(hù)電路通常可以保護(hù)電子設(shè)備免受電源瞬變的影響，例如插入電池或外部電源適配器時(shí)產(chǎn)生的電壓升高。盡管這些器件傳統(tǒng)上用作遲滯開(kāi)關(guān)控制器，但您可以重新配置 LM3485（圖 1）以提供強(qiáng)大的過(guò)壓保護(hù)電路?！　∵t滯開(kāi)關(guān)控制器圖 1遲滯開(kāi)關(guān)控制器可以發(fā)揮過(guò)壓保護(hù)電路的雙重作用。

　　通過(guò)使用公式 V IN =1.252(R 1 +R 2 )/R 2選擇反饋電阻，您可以對(duì) IC 進(jìn)行編程，使其在 4.5 至 35V 之間的任何電平下觸發(fā)。在圖 1 中，當(dāng) V IN超過(guò) 13.8V時(shí)，R 1和 R 2關(guān)閉 PFET 。您可以使用公式 V HYS =0.01(R 1 +R 2 )/R 2計(jì)算遲滯（圖 2）。在此示例中，表達(dá)式計(jì)算出 110 mV 的滯后。附帶的 V OUT與 V IN的示波器圖顯示了示例電路的遲滯約為 800 mV（2V/格，最低線路處的 0V 電平，500 納秒/格）。
　　為什么計(jì)算出來(lái)的不是 110 mV？我們測(cè)量了示例電路的關(guān)斷傳播延遲約為 450 納秒，幾乎是一個(gè)完整的時(shí)間劃分，而開(kāi)啟傳播延遲僅為 70 納秒（均使用 40Ω 負(fù)載測(cè)量）。考慮到這些傳播延遲，示波器圖接近計(jì)算出的磁滯和 13.8V 跳閘電平。然而，將這些時(shí)間與具有較大典型傳播延遲（500 至 6000 納秒關(guān)斷時(shí)間和 1800 至 7000 微秒開(kāi)啟時(shí)間）的競(jìng)爭(zhēng) IC 進(jìn)行比較。改進(jìn)的傳播延遲是 LM3485 驅(qū)動(dòng)器的結(jié)果，該驅(qū)動(dòng)器可吸收 320 mA 電流并提供 440 mA 電流，而其他過(guò)壓保護(hù)電路僅吸收約 60 mA 電流。
　　LM3485 還具有可調(diào)節(jié)的過(guò)流保護(hù)功能。在示例電路中，當(dāng)電流超過(guò)1.1A時(shí)，LM3485關(guān)閉FET。 9 ?s 后，LM3485 重新打開(kāi) FET，并開(kāi)始通過(guò) FET 的導(dǎo)通電阻再次感測(cè)電流。為了實(shí)現(xiàn)更精確的電流檢測(cè)，請(qǐng)?jiān)?FET 和 V IN之間添加一個(gè)外部電流檢測(cè)電阻，然后將 LM3485 的 I SENSE線移至 FET 的源極。圖 1 中的示例電路源自標(biāo)準(zhǔn) LM3485 評(píng)估板。您可以輕松修改該板，通過(guò)移除一些組件（電感器、二極管和 C FF電容器）來(lái)創(chuàng)建過(guò)壓保護(hù)電路，方法是將反饋線從 V OUT移至 V IN，并選擇合適的電阻值。