這個(gè)想法是，組件冗余（在這種情況下是配對的 MOSFET）將允許一個(gè) MOSFET 仍然正常工作，即使由于宇宙射線事件、單粒子翻轉(zhuǎn)或 SEU（圖 1）導(dǎo)致開關(guān)電源中的配對 MOSFET 無法正常開關(guān)。

　　圖 1宇宙射線產(chǎn)生的 SEU 可導(dǎo)致組件故障。
　　然而，SEU 不一定來自宇宙射線。CMOS 集成電路有時(shí)會(huì)無緣無故地出現(xiàn)閂鎖現(xiàn)象。閂鎖現(xiàn)象來自內(nèi)部四層結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)看起來非常像 SCR，觸發(fā)時(shí)幾乎可以將 +Vcc 導(dǎo)軌引腳短路至地面。與功率 MOSFET 的情況不同，組件冗余可能是不可能的。在這種情況下，SEU 恢復(fù)可能是答案?！　D 2是概念性的，但它源自于在更復(fù)雜的設(shè)計(jì)中使用的實(shí)際電路。

　　圖 2 SEU 恢復(fù)概念，其中綠色電路容易發(fā)生閂鎖。
　　基本思路是，綠色的 Q1、Q2 等代表容易發(fā)生閂鎖的集成電路，可能是 CMOS，而藍(lán)色的 V1 等代表閂鎖觸發(fā)器。黃色的 RC 對延遲了閂鎖恢復(fù)過程，因此可以在示波器上更輕松地看到恢復(fù)場景，但我們很快就會(huì)移除該 RC 對。
　　當(dāng) IC 鎖存時(shí)，它會(huì)拉低 +5 伏穩(wěn)壓器的輸出。當(dāng)該電壓低于比較器閾值（如圖所示為 +3 伏）時(shí)，比較器會(huì)向功率 MOSFET 發(fā)送驅(qū)動(dòng)脈沖，從而進(jìn)一步降低軌電壓，使 IC 鎖存器無法維持。當(dāng)功率 MOSFET 再次關(guān)閉時(shí)，+5 伏穩(wěn)壓器輸出電壓恢復(fù)正常?！　∪绻覀儸F(xiàn)在消除該 RC 延遲，情況將以相同的方式進(jìn)行，但在這個(gè)模擬中，一切都發(fā)生得太快，以至于閂鎖器件的飽和電壓無法在示波器顯示屏上看到（圖 3）。

　　圖 3 SEU 恢復(fù)，其中 RC 延遲現(xiàn)已消除。