標(biāo)準(zhǔn) AB 類音頻功率放大器允許直接耦合 放大器輸出到揚(yáng)聲器。這非常好，因?yàn)闆](méi)有電容器或 變壓器妨礙了音質(zhì)的流出。演講者是 直接（或多或少?。┻B接到放大設(shè)備。這有 不幸的是，如果輸出設(shè)備發(fā)生故障，這通常會(huì)導(dǎo)致 要連接到揚(yáng)聲器的原始直流電源。大多數(shù)揚(yáng)聲器燒壞或 很快被機(jī)械損壞。
    保護(hù)電路旨在防止這種損壞，并且 有多種口味。它們的范圍從簡(jiǎn)單 - 例如在 與放大器輸出串聯(lián) - 到復(fù)雜，具有各種監(jiān)控。 目前最喜歡的是放大器輸出端的串聯(lián)繼電器電路， 由某種直流檢測(cè)電路驅(qū)動(dòng)。
    不過(guò)，繼電器也有自己的一系列問(wèn)題，其中最重要的是 可靠性。繼電器觸點(diǎn)會(huì)隨著時(shí)間的推移而腐蝕、電弧和粘連。更糟糕的是，每次 他們被測(cè)試很可能是他們最后一次操作，所以有一些 內(nèi)置問(wèn)題。保險(xiǎn)絲也是有問(wèn)題的，因?yàn)樗鼈儽仨毞浅Ｍ纯?尺寸適中，可提供良好的保護(hù)，完成后，保險(xiǎn)絲電阻 由保險(xiǎn)絲中散發(fā)的熱量調(diào)制接近最大功率，因此有 可聽(tīng)見(jiàn)的副作用。
    功率MOSFET的一些最新進(jìn)展使其具有替代或替代或 回避功率放大器輸出端的繼電器和保險(xiǎn)絲。功率 MOSFET 使效果很好 開(kāi)關(guān)，從完全不導(dǎo)電狀態(tài)變?yōu)榉謹(jǐn)?shù)歐姆 電阻（以納秒為單位）具有正確的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。與雙極晶體管不同，沒(méi)有失調(diào)電壓 或與 MOSFET 的導(dǎo)通狀態(tài)相關(guān)的整流。只要 通過(guò) MOSFET 的電流足夠低，不會(huì)造成明顯的壓降 在電流峰值期間，MOSFET 兩端的 MOSFET 本身不會(huì) 聽(tīng)得見(jiàn)的。
    但是，將MOSFET作為交流繼電器驅(qū)動(dòng)存在一些困難。那里 是所有MOSFET中固有的基底二極管，面向外界 就像連接在源極至漏極的二極管。該二極管在 相反的方向。這實(shí)際上可以幫助保護(hù)某些MOSFET 但這意味著單個(gè)MOSFET無(wú)法阻斷兩者的電流 方向。但是，將兩個(gè)MOSFET放在源到源之間就可以了?；?然后二極管在任一信號(hào)極性上交替反向偏置。合適 柵源電壓的增強(qiáng)為我們提供了一個(gè)雙向交流開(kāi)關(guān)。
    但是，信號(hào)源始終依賴于瞬時(shí)信號(hào)電平，并且 兩個(gè)柵極必須比移動(dòng)信號(hào)高出約10-12V的正電壓 水平。對(duì)于大多數(shù)浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路來(lái)說(shuō)，這是非常困難的。

    國(guó)際整流器有 發(fā)布了幾款光伏MOSFET驅(qū)動(dòng)器。這些單元包括一個(gè) LED 至 產(chǎn)生光，并串聯(lián)幾個(gè)光伏二極管。當(dāng) LED 亮起時(shí) 光電二極管，它們?cè)趩卧妮敵鲆_上產(chǎn)生電壓。
    直接替代輸出繼電器時(shí)，兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET 連接源到源和門(mén)到門(mén)。排水端子用作 開(kāi)關(guān)的輸入和輸出。當(dāng)柵極-源端子的兩種 MOSFET 之間的電壓為 0V，器件關(guān)斷，沒(méi)有電流可以流動(dòng)，向上 到MOSFET的擊穿電壓。當(dāng) MOSFET 的柵極 相對(duì)于源極的幾伏正電壓，兩個(gè) MOSFET 都得到增強(qiáng)， 電流可以流動(dòng)?，F(xiàn)代MOSFET可以從漏極到源極具有電阻 在毫歐姆區(qū)域。
    光伏隔離器提供了一種簡(jiǎn)單易行的方法來(lái)轉(zhuǎn)動(dòng)兩個(gè)單元 打開(kāi)或關(guān)閉，因?yàn)楦綦x器的電壓源側(cè)與 源端子，而 LED 側(cè)可以連接到任何必要的水平 操作。要打開(kāi)“繼電器”，只需強(qiáng)制電流通過(guò) LED。 要將其關(guān)閉，只需中斷 LED 的電流。
    有些人會(huì)本能地不信任任何活躍的固態(tài)。 與音頻信號(hào)串聯(lián)的設(shè)備。對(duì)于這些人，有兩種可能 替代方案：繼電器用于“短路”電路的兩個(gè)功率MOSFET 以上和中斷直流電源的第二個(gè)MOSFET保護(hù)電路 電源，而不是揚(yáng)聲器輸出。第一個(gè)想法很簡(jiǎn)單——接力病往往是 由中斷持續(xù)電流的磨損引起。如果我們使 系列 MOSFET 在繼電器觸點(diǎn)閉合并保持之前稍微導(dǎo)通 之后的一小部分時(shí)間，MOSFET承受所有電壓和 實(shí)際關(guān)閉和打開(kāi)連接的當(dāng)前壓力。繼電器用于 只是為了在 MOSFET 的聲音。

    這 第二個(gè)版本插入了 N 溝道 MOSFET 進(jìn)入直流電源線，從電源到 放大器本身。每個(gè)MOSFET都有自己的光伏隔離器。當(dāng)前時(shí) 流經(jīng)隔離器中的 LED，MOSFET 導(dǎo)通，電流 流向放大器。
    此版本的保護(hù)最容易被認(rèn)為是非?？焖俚睦^電器 可以在幾微秒內(nèi)關(guān)閉放大器的電源。而放大電路 可能有旁路電容器，仍然會(huì)通過(guò)揚(yáng)聲器排出，這 將比主電源少得多的能量，因?yàn)樗艽?濾波電容器將為 演講者，所以他們應(yīng)該井井有條地生存。
    在此應(yīng)用中，反向基板二極管無(wú)關(guān)緊要，因?yàn)?電壓始終處于正確的方向以反向偏置它。
    此版本使用兩個(gè)光伏隔離器，因?yàn)橹绷麟妷?在柵極/源極上，兩個(gè)MOSFET相距甚遠(yuǎn)。
    這種方法的另一種變體是在+Vcc中使用P溝道MOSFET 線和 -Vcc 線路中的 N 溝道 MOSFET，并驅(qū)動(dòng)兩個(gè)柵極朝向 帶“ON”保護(hù)電路接地并釋放驅(qū)動(dòng)器 對(duì)于“關(guān)閉”。這種方法有效，并且僅在該P(yáng)通道中受到影響 MOSFET 器件通常具有比 N 通道設(shè)備。它們也可能更貴。
    但是，如果您愿意交易更昂貴的功率MOSFET等 廣泛的驅(qū)動(dòng)電路與成本和可用性相對(duì)應(yīng) 光伏隔離器，這個(gè)電路可以很好地工作。
    驅(qū)動(dòng)電路值得討論。要使功率 MOSFET 完全導(dǎo)通， 柵極電源通常需要10至12V的增強(qiáng)電壓。但是，如果您 在此之上，柵氧化層可以被刺穿。只是為了確保 柵極永遠(yuǎn)不會(huì)超出安全區(qū)域，每個(gè) MOSFET 都有一個(gè) 12V 齊納二極管來(lái)箝位 柵極電壓不超過(guò)12V。與齊納二極管并聯(lián)的電阻器 確保在沒(méi)有其它驅(qū)動(dòng)器的情況下將柵極拉至源電壓 在上面。10K 到 100K 在那里效果很好。
    中間的NPN/PNP晶體管對(duì)的集電極連接到 MOSFET 柵極的下拉電阻。這些電阻器的尺寸使 Vcc電壓減去12V柵極增強(qiáng)電壓產(chǎn)生合理的電流， 完全在齊納的額定電流和電壓范圍內(nèi)。這需要調(diào)整大小 適合每個(gè)不同的 Vcc 級(jí)別。
    PNP 晶體管的基極通過(guò)電阻接地，NPN 晶體管的基極是控制點(diǎn)。兩個(gè)發(fā)射器綁在一起，以便 無(wú)論NPN晶體管傳導(dǎo)什么電流，也會(huì)通過(guò)PNP。當(dāng) NPN晶體管的基極被拉到兩個(gè)二極管壓降上方，每個(gè)基極發(fā)射極一個(gè)基極發(fā)射極 晶體管，兩個(gè)晶體管的基極開(kāi)始導(dǎo)電。兩個(gè)基地 電阻器是一種安全網(wǎng)，可確保基座不會(huì)被 基極電流過(guò)大。高于約 1.4V 時(shí)，控制引腳使 NPN/PNP 飽和 對(duì)照對(duì)。相同的控制信號(hào)打開(kāi)兩個(gè) NPN（在公共發(fā)射器中） 模式）和PNP（在公共基座模式下），它們都拉動(dòng)各自的 MOSFET柵極完全增強(qiáng)，因此完全導(dǎo)通。
    MOSFET 的額定電壓和電流必須達(dá)到功率 預(yù)計(jì)供應(yīng)將產(chǎn)生。對(duì)于具有 +/- 50V Vcc 電源軌的放大器，請(qǐng)獲得 MOSFET具有大于100V的電壓，最好大于120V Vdsmax。此外，由于 MOSFET 的額定電流很便宜，獲得確保有足夠的器件 電流處理能力，不會(huì)“扼流”輸出級(jí) 放大 器。如有必要，您可以自由并聯(lián) MOSFET 以獲得更大的電流 能力。由于這些設(shè)備不處理任何音頻（除了該音頻 通過(guò)電源），并且由于它們始終是完全的 飽和或完全關(guān)閉，MOSFET的音頻性能實(shí)際上不是問(wèn)題。只要MOSFET的導(dǎo)通電阻與 電源的源電阻，這應(yīng)該是相當(dāng)透明的，特別適用于具有大電源抑制比的現(xiàn)代功率放大器。
    MOSFET 額定電流也是一個(gè)問(wèn)題。功率MOSFET有一些 您花費(fèi)的美元具有令人驚訝的高電流額定值，并且它們平行 美麗地。如果你有一個(gè)非常高的功率放大器，可能有+/- 100V 電源，則需要 200V 或更高額定電壓的 MOSFET。您可以簡(jiǎn)單地并行為 許多相同類型的MOSFET需要獲得足夠高的額定電流。他們 將安全地共享它們攜帶的電流。設(shè)置MOSFET的一個(gè)有趣的點(diǎn) 除了雙極晶體管作為電源開(kāi)關(guān)外，還并聯(lián)了額外的 設(shè)備不需要更多的驅(qū)動(dòng)電流或功率。所有并聯(lián) MOSFET 您使用的將像單個(gè)一樣完全飽和（在其限制范圍內(nèi) 當(dāng)然，個(gè)人跨導(dǎo)評(píng)級(jí)）。 所有改變的是 驅(qū)動(dòng)到柵極的電壓必須充電的總柵源電容和 當(dāng)您并聯(lián)更多的柵極-源極電容時(shí)，放電會(huì)上升。這意味著 關(guān)閉到打開(kāi)和打開(kāi)到關(guān)閉之間的轉(zhuǎn)換再次減慢，而不是 設(shè)備不太完全打開(kāi)或關(guān)閉。由于過(guò)渡已經(jīng)如此之快， 保險(xiǎn)絲在它旁邊看起來(lái)像冰川運(yùn)動(dòng)，這不是什么大問(wèn)題。它 MOSFET 上可能只需要很少或不需要散熱，因?yàn)樗鼈?僅在它們實(shí)際切換時(shí)散發(fā)大量熱量 - 這 他們不經(jīng)常這樣做。簡(jiǎn)單的工程謹(jǐn)慎要求你不要 只是假設(shè)它們不散熱，但與 輸出設(shè)備。水槽的熱電容（即 需要多長(zhǎng)時(shí)間 加熱水槽本身）可能比熱阻更重要 灌電流，因?yàn)?MOSFET 通常每個(gè)會(huì)話只切換兩次 - 一次 開(kāi)，一次關(guān)。
    IRF540 n 通道和 IRF9540 p 通道等器件是很好的類型 用這個(gè)做這個(gè)。根據(jù)制造商的不同，IRF540 的額定電流高達(dá) 27 安培 IRF9540 的額定電流為 19A。正導(dǎo)軌中的兩個(gè) 9540 和兩個(gè) 540 在負(fù)電源軌中可實(shí)現(xiàn)非常高效和高額定電流 保護(hù)開(kāi)關(guān)。
    至于檢測(cè)故障條件并轉(zhuǎn)動(dòng)光伏隔離器的電路 指示燈亮起和熄滅，有 實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的方法有很多，事實(shí)上，任何直流保護(hù)器的電路 驅(qū)動(dòng)繼電器可以重新排列以驅(qū)動(dòng)光伏隔離器 LED 也。這些電路通常包含一個(gè)單極點(diǎn)RC低通濾波器，具有 它的滾降安排使最高電平和最低頻率的低音音符 不會(huì)導(dǎo)致電路跳閘，但直流電平會(huì)導(dǎo)致跳閘 幾毫秒。對(duì)于此處顯示的任何電路，檢測(cè)器電路 只需在沒(méi)有故障時(shí)為L(zhǎng)ED通電，并降低電流 發(fā)生故障時(shí)。
    值得注意的是，您不僅限于直流過(guò)流檢測(cè)作為行程 條件?？捎糜诩せ畋Ｗo(hù)的其他良好條件 電路是過(guò)熱的散熱器或電源變壓器，檢測(cè)RF（振蕩） 在輸出上，依此類推。使用適當(dāng)?shù)倪壿嫞–MOS在這里工作得很好） 這些可以幫助您的放大器保持活力。