IGBT充電電路

出處：何以解憂發(fā)布于：2011-09-03 08:03:49 | 1707 次閱讀

IGBT充電電路

　　采用IGBT作開關(guān)元件時(shí)，逆變器電路采用率聯(lián)諧振逆變電路，如圖3-33所示。這種電路的設(shè)計(jì)和工作原理與用SCR作開關(guān)的電路相同。要注意的是，IGBT和VMOS的控制極脈沖寬度必須等于或稍大于諧振電流的流通時(shí)間。
　　采用IGBT或VMOS器件后，由于它們的導(dǎo)通受柵極控制，因而一般情況下，負(fù)載不短路是不會發(fā)生連通現(xiàn)象的，因此對這種器件做的電源主要的防止負(fù)載短路造成過流事故。
　　電路中，對VMOS和IGBT的保護(hù)很重要，為了防止過壓采用RC吸收電路和其它過壓保護(hù)電路。半橋電路對開關(guān)元件的耐壓要求降低。所以常被選用。在逆變器回路中，電感元件很關(guān)鍵，它的大小決定了電流的峰值和平均值的大小，因此在諧振回路中C3一定時(shí)，盡可能選用大的電感。

0次

上一篇：觸摸式互鎖程控電源電路圖

下一篇：開關(guān)型YAG激光器電源方框圖

版權(quán)與免責(zé)聲明

凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://www.udpf.com.cn，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。

本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。

如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

相關(guān)電路圖