S／R脈沖即置位／復(fù)位脈沖，其幅度取決于所用MR傳感器的測量靈敏度。例如，由HMC1001／1002構(gòu)成的特斯拉計(jì)，當(dāng)最小可測磁通密度為50nT時(shí)，要求脈沖電流的幅度不低于3A；最小可測10nT時(shí)，脈沖電流幅度不得小于4A。測量靈敏度愈高，脈沖電流幅度也愈高。利用微處理器產(chǎn)生S／R脈沖的電路如圖所示。該電路采用+16～+20V電源，可產(chǎn)生4A以上的脈沖電流。電路中使用一個(gè)HEXFET驅(qū)動(dòng)器IRF7105，內(nèi)含互補(bǔ)型N溝道、P溝道功率場效應(yīng)管(、V1、V2)。由μP發(fā)出的復(fù)位信號(hào)直接送至V2的柵極，置位信號(hào)則經(jīng)過2N3904型NPN晶體管接V1的柵極。V1和V2交替地通、斷。輸出電流通過微分電容C3后，可得到如圖(b)所示的S／R信號(hào)，送至HMC1001／1002的S／R+端，S／R-端應(yīng)接地。產(chǎn)生S／R脈沖的電路必須靠近MR傳感器并且要與電源和地接線良好。