本電路是由IR2127組成的欠飽和檢測電路原理圖。

　　圖中所示的電流檢測電路是所謂的欠飽和檢測電路。它起初用于IGBT，用來檢測由于過流而過飽和的 IGBT 的電壓。這就是說，它也可以用于MOSFET。對于 MOSFET，原理相似，因為過載時 FET 上的電壓將會顯著增加。
　　圖中欠飽和檢測電路圖計算電阻值用下面的方法。
　　Rg 是門極電阻，選擇適當阻值以優(yōu)化開關速度和開關損耗。
　　R1 典型值為 20k；高的阻值有助于限度地減小由于二極管 D1 而增加的彌勒電容，確保沒有顯著電流從 HO 流出。注意二極管 D1 應具有和自舉二極管一樣的特性。
　　當 HO 輸出為高時，MOSFET（也可以是 IGBT）Q1 開通。則圖 6 中的 X點被拉低至一個電壓，此電壓等于 FET 上的壓降 Vds 加上二極管 D1 壓降。所以，當 FET Q1 上的壓降達到你所設定的指示過載故障的限值時，我們將關掉驅動器輸出。
　　所以 Q1 上 Vds 電壓為 10V。一個的超快恢復二極管的典型電壓值為1.2V。
　　Vx=VD1+VDSVx=1.2+10Vx=11.2VIR2127 CS 端開啟電壓為 250mV，所以我們需要對 Vx 分壓，使 Vx=11.2V 時，Vy=250mV。
　　VY=Vx * R3/(R2+R3)          設 R2=20k     R3=457PCB布板注意事項以下是在應用電流傳感驅動器時布板需要注意的幾點。
　　1）盡可能縮短輸出到門極的連線（小于 1 inch 比較合適）。
　　2）使電流檢測電路盡可能靠近 IC 以使由電路耦合噪聲引起誤觸發(fā)的可能性降到。
　　3）所有大電流連線盡可能加寬以減小電感。
　　4）更進一步的布線提示可以參考設計提示 97-3“由控制 IC 驅動的功率電路中的瞬態(tài)問題的處理”