高頻開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器所采用的開關(guān)器件，主要是功率場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管IGBT，它們共同的特點(diǎn)是都是電壓型控制器件，柵-源或柵-射極之間是絕緣的，不需要靜態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)功率??；其柵-源之間有輸人電容，在快速PWM控制時(shí)，要求有充電尖峰電流和放電尖峰電流。這就需要對(duì)它們的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行特殊的設(shè)計(jì)。

　　由MOSFET和IGBT組成的高頻開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器，常常是AC／DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器。其主電路一般由下列環(huán)節(jié)組成：即輸人端EMI濾波器，整流電路、功率因數(shù)校正電路、DC／DC PWM轉(zhuǎn)換器、輸出端低通濾波器，如圖1所示。高頻開關(guān)式功率轉(zhuǎn)換器的控制電路主要包括兩部分：一是PF校正器的控制與驅(qū)動(dòng)電路；二是DC／DC PWM轉(zhuǎn)換器的控制與驅(qū)動(dòng)電路。為了使PWM轉(zhuǎn)換器的輸出電壓自動(dòng)穩(wěn)定，不隨工作條件（如輸人市電交流電壓或負(fù)載）或環(huán)境條件、參數(shù)等的變化而變化，必須采用某種控制方式，使功率開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)脈沖寬度（占空比）或頻率能自動(dòng)調(diào)節(jié)。開關(guān)轉(zhuǎn)換器的控制模式分為閉環(huán)和開環(huán)兩種，閉環(huán)反饋控制常用的有電壓型控制和電流型控制（包括電荷控制）兩大類。新開發(fā)的單周控制等，也是閉環(huán)反饋控制。前饋補(bǔ)償是典型的開環(huán)控制，一般不單獨(dú)應(yīng)用于開關(guān)轉(zhuǎn)換器的控制。