MOSFET高頻放大電路圖
出處:ewolf 發(fā)布于:2009-12-03 00:00:00 | 6154 次閱讀
單閘極MOS FET 前置放大器(1)VHF高頻放大電路以往都是以雙極電晶體(Bipolar Transistor)為主流,但是現(xiàn)在大都以FET取代之。圖2-1便是其代表性電路,2SK241(東芝)系VHF用的FET,功率增益可達(dá)28dB(@100MHz),是最適於VHF接收器的高頻放大級(jí)使用的。由於閘極的動(dòng)作點(diǎn)是零偏壓(Zero Bias),所以電路的結(jié)構(gòu)相當(dāng)簡(jiǎn)單,電路的全部元件共有六個(gè),配合表2-1所示之電感及電容就能適用於各種頻率的高頻放大電路。泄極電流為9mA,在電源電壓為6~12V之范圍內(nèi),泄極電流都保持一定。

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