金屬接近開關(guān)
出處:zmmhmily 發(fā)布于:2008-09-14 00:00:00 | 3283 次閱讀
電路工作原理
該金屬接近開關(guān)電路由高頻振蕩器電路、倍壓整流電路和電子開關(guān)電路組成,如圖8-131所示。

高頻振蕩器電路由高頻變壓器T、電位器RPl、電阻器Rl-R3、電容器Cl-C3和晶體管Vl組成。
倍壓整流電路由二極管VDl與VD2、電容器C4和電阻器R4組成。
電子開關(guān)電路由晶體管V2與V3、電位器Rm、光耦合器VLC和電阻器R5、R6組成。
高頻變壓器T作為檢測探頭對金屬物體進行檢測。在金屬物體未靠近檢測探頭時,高頻振蕩器振蕩工作,其輸出的振蕩信號經(jīng)倍壓整流電路倍壓整流后,產(chǎn)生一直流電壓使V2飽和導通,V3和VLC截止,電子開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)。當有金屬物體靠近檢測探頭時,將產(chǎn)生渦流損耗,使高頻振蕩器停振,V2因基極的百流電壓消失而截止,V3導通,VLC內(nèi)部的發(fā)光二極管點亮,當光敏晶體管導通,電子開關(guān)處于接通狀態(tài)。
調(diào)節(jié)RPl和RP2的阻值,可改變探測距離及探測靈敏度。
元器件選擇
Rl-R6選用1/4W的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。
RP1選用有機實心電位器或可變電阻器;RP2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。
Cl、C2和C4均選用獨石電容器;C3選用高頻瓷介電容器。
VDl和VD2均選用1N4148型硅開關(guān)二極管。
Vl和V2選用S9013或3DG6型硅NPN晶體管;V3選用S8050型硅NPN晶體管。
VLC選用4N25或4N26型光輛合器。
T使用φ5mmx4mm的磁心和φO.12mm的漆包線繞制:Wl繞25匝,W2繞11匝,W3繞60匝。
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