交替?zhèn)魈?hào)反轉(zhuǎn) (AMI) 編碼通常用于電纜上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸，因?yàn)樗鼪](méi)有直流分量。此外，AMI 信號(hào)的帶寬低于等效的歸零 (RZ) 格式。通常，要生成 AMI 等雙極性波形，需要正電源和負(fù)電源。此外，該電路可能會(huì)采用雙極性波形的模擬元件 一代。然而，該設(shè)計(jì)理念消除了所有這些要求，僅使用幾個(gè)門(mén)、一個(gè)觸發(fā)器和一個(gè) 5V 電源從 NRZ 輸入生成 AMI 波形。

    參考圖 1，NRZ 信號(hào)（圖 2a）使用 AND1 門(mén)與時(shí)鐘進(jìn)行門(mén)控，生成 RZ 波形（圖 2b）。RZ 信號(hào)為作為分頻器連接的 D-FF 計(jì)時(shí)。然后，RZ 信號(hào)與 觸發(fā)器的Q 和/Q輸出進(jìn)行門(mén)控，在 AND2 和 NAND 門(mén)的輸出端將兩條線上的交替脈沖分開(kāi)。NAND 門(mén)用于第二行以獲得反相波形（圖 2c）。

    圖 1  產(chǎn)生雙極性脈沖的 NRZ 到 AMI 轉(zhuǎn)換器使用單電源

    由于 NAND 的延遲大于 AND 門(mén)，因此在 AND3 的輸出端使用 AND4 進(jìn)行補(bǔ)償（這可以根據(jù)所使用的邏輯系列進(jìn)行更改）。 AND4 和 NAND 門(mén)的輸出驅(qū)動(dòng) 75? 有效地增加?xùn)艠O輸出電壓的電阻器。如果兩個(gè)輸出都為高電平，則電阻結(jié)點(diǎn)處的電壓為高電平。如果其中一個(gè)輸出為低電平而另一個(gè)為高電平，則結(jié)點(diǎn)處的電壓為高電平電壓的一半。當(dāng)兩個(gè)輸出均為低電平時(shí)，結(jié)點(diǎn)電壓接近 0V。因此，R1 和 R2 連接處的波形顯示直流電平附近的正脈沖和負(fù)脈沖。該信號(hào)通過(guò) DC 模塊 C1，我們?cè)谳敵龆说玫揭粋€(gè)直流電平為零的真正雙極性波形（圖 2d）。

    圖 2  波形：(a) NRZ 輸入；(b) AND4 輸出；(c) 與非輸出；(d) AMI 輸出
    圖 2 顯示了仿真電路的波形。模擬器確實(shí)捕獲了出現(xiàn)在門(mén)輸出端的非常小的尖峰，這在實(shí)際使用中不會(huì)造成問(wèn)題。NRZ 信號(hào)以 2.048 Mb/s 的速度生成。由于 TTL 器件和 5V 電源，峰-峰信號(hào)電平小于 ±2.5V。如果需要更高的振幅，可以使用具有更高邏輯擺幅的 CMOS 器件。