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意法半導體推出一款全新功率 mosfet產品，為設計工程師帶來更多選擇。新產品 stw77n65m5采用意法半導體的超高能效mdmesh v制造工藝和工業(yè)標準to-247 封裝，是業(yè)內通態(tài)電阻最低的650v mosfet產品。 意法半導體功率mosfet產品部市場總監(jiān)maurizio giudice表示：“mdmesh v 系列產品整合了意法半導體專屬的第五代超結技術，和經過應用驗證的 powermesh 水平布局設計，產品性能優(yōu)于同類競爭產品。無論采用何種封裝，業(yè)界最低的單位芯片面積rds(on)都能提供能效優(yōu)勢。設計人員使用很少數(shù)量的mdmesh v器件即可替代多路并聯(lián)的普通mosfet網(wǎng)絡，提高設計性能，降低總體尺寸?！?這款新器件是stw77n65m5，通態(tài)電阻rds(on)為38mω，采用to-247封裝。意法半導體計劃在2010年推出采用max247封裝的22mωrds(on)的sty112n65m5。在今年初的mdmesh v超結mosfet技術發(fā)布會上，意法半導體公布開發(fā)藍圖時曾介紹過這兩款產品。stw77n65m5的最大輸出電流額定69a，現(xiàn)已全面投入量產。
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