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  • ST推出全新快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品

    意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)mosfet晶體管新產(chǎn)品系列，為滿足包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求，新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過18%的降幅。 stw55nm60nd是新的超結(jié)fdmesh™ ii系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600v n溝道m(xù)osfet晶體管，0.060歐姆的導(dǎo)通電阻在快速恢復(fù)mosfet晶體管市場上創(chuàng)下最低記錄，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的to-247封裝。由于最大漏極電流達(dá)到51a，在對空間有嚴(yán)格要求的電信設(shè)備和服務(wù)器系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器中，可以用一個mosfet晶體管替代多個標(biāo)準(zhǔn)器件。再加上降低的損耗實(shí)現(xiàn)更高的熱管理效率，新產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師大幅度提高功率密度。 為把這些改進(jìn)的性能變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，st對fdmesh超結(jié)架構(gòu)進(jìn)行了技術(shù)改進(jìn)，在傳統(tǒng)的帶狀mosfet結(jié)構(gòu)中融合垂直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強(qiáng)的本征體二極管。除降低導(dǎo)通電阻和恢復(fù)時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓?fù)渲校ㄔ诘拓?fù)載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt

  • ST新推快速恢復(fù)MOSFET晶體管STW55NM60ND

    意法半導(dǎo)體(st)推出超結(jié)fdmesh ii系列快速恢復(fù)mosfet晶體管新產(chǎn)品stw55nm60nd，為滿足包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求，新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過18%的降幅。 stw55nm60nd是新的超結(jié)fdmesh ii系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600v n溝道m(xù)osfet晶體管，0.060歐姆的導(dǎo)通電阻，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的to-247封裝。由于最大漏極電流達(dá)到51a，在對空間有嚴(yán)格要求的電信設(shè)備和服務(wù)器系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器中，可以用一個mosfet晶體管替代多個標(biāo)準(zhǔn)器件。再加上降低的損耗實(shí)現(xiàn)更高的熱管理效率，新產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師大幅度提高功率密度。 為把這些改進(jìn)的性能變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，st對fdmesh超結(jié)架構(gòu)進(jìn)行了技術(shù)改進(jìn)，在傳統(tǒng)的帶狀mosfet結(jié)構(gòu)中融合垂直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強(qiáng)的本征體二極管。除降低導(dǎo)通電阻和恢復(fù)時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓?fù)渲?，包括在低?fù)載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。

  • 快速恢復(fù)MOSFET新品，面向高功率密度和超低功耗的應(yīng)用

    stw55nm60nd快速恢復(fù)mosfet晶體管新產(chǎn)品系列提高了開關(guān)性能，使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過18%的降幅。 stw55nm60nd是新的超結(jié)fdmesh ii系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600v n溝道m(xù)osfet晶體管，0.060歐姆的導(dǎo)通電阻在快速恢復(fù)mosfet晶體管市場上創(chuàng)下最低記錄，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的to-247封裝。由于最大漏極電流達(dá)到51a，在對空間有嚴(yán)格要求的電信設(shè)備和服務(wù)器系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器中，可以用一個mosfet晶體管替代多個標(biāo)準(zhǔn)器件。再加上降低的損耗實(shí)現(xiàn)更高的熱管理效率，新產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師大幅度提高功率密度。 新的fdmesh超結(jié)架構(gòu)在傳統(tǒng)的帶狀mosfet結(jié)構(gòu)中融合垂直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強(qiáng)的本征體二極管。除降低導(dǎo)通電阻和恢復(fù)時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓?fù)渲?，包括在低?fù)載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。 采用這項(xiàng)技術(shù)的未來產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復(fù)mosfet晶體管具有極低的導(dǎo)通電阻。其中，st

  • ST推出全新快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品

    意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)mosfet晶體管新產(chǎn)品系列，為滿足包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求，新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過18%的降幅。 stw55nm60nd是新的超結(jié)fdmesh™ ii系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600v n溝道m(xù)osfet晶體管，0.060歐姆的導(dǎo)通電阻在快速恢復(fù)mosfet晶體管市場上創(chuàng)下最低記錄，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的to-247封裝。由于最大漏極電流達(dá)到51a，在對空間有嚴(yán)格要求的電信設(shè)備和服務(wù)器系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器中，可以用一個mosfet晶體管替代多個標(biāo)準(zhǔn)器件。再加上降低的損耗實(shí)現(xiàn)更高的熱管理效率，新產(chǎn)品讓設(shè)計(jì)工程師大幅度提高功率密度。 為把這些改進(jìn)的性能變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，st對fdmesh超結(jié)架構(gòu)進(jìn)行了技術(shù)改進(jìn)，在傳統(tǒng)的帶狀mosfet結(jié)構(gòu)中融合垂直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強(qiáng)的本征體二極管。除降低導(dǎo)通電阻和恢復(fù)時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓?fù)渲?，包括在低?fù)載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值

stw55nm60nd替代型號

STW5095 STW5093 STW26NM60 STW25NM60N STW25NM50N STW20NM60FP STW20NM60 STW15NB50 STV9379FA STV9379

STW77N65M5 STW7N95K3 STW81102 STX-RLINK STZT2222A SUB60N06 SUM110N04 SUM40N15-38 SUM45N25-58 SUMIDA

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STPS30H100CT SN75189ADR STPS20H100CFP SAA7121H SBR1045CTL-13 SI2316DS-T1-E3 SUM2016GAS2 STS2306 STPS3L25S SN74LV123APWR

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