基于3G手機(jī)的RF屏蔽設(shè)計(jì)

高q槽路所受到的影響將明顯大于給單一共振帶來的簡(jiǎn)單變化。 最后的任務(wù)是對(duì)不帶屏蔽的txm進(jìn)行輻射測(cè)量并將結(jié)果與采用microshield集成rf屏蔽技術(shù)的txm進(jìn)行對(duì)比。為實(shí)施準(zhǔn)確測(cè)量，必須避免待測(cè)pcb上從連接器和其它板上電路造成的rf功率泄漏；因此，為進(jìn)行這些測(cè)量所設(shè)計(jì)的測(cè)試板包含若干獨(dú)立屏蔽容器，如圖5所示。 全部輻射測(cè)量都是在丹麥哥本哈根的delta technologies進(jìn)行的。被測(cè)設(shè)備放在不吸收和不反射材料的表面(圖6)。在該測(cè)試中，rfmd的另一款txm產(chǎn)品(rf3282)用作測(cè)試載體。 圖7顯示的是發(fā)自rf3282 txm的輻射功率。紅色圖表示沒有屏蔽的txm，藍(lán)色圖表示的是采用microshield屏蔽的txm。注意：為更清楚地顯示兩種被測(cè)器件的差異，藍(lán)色圖被稍微右移。如圖所示，microshield集成rf屏蔽顯著降低了輻射功率。在10.5ghz僅有一個(gè)示警。它昭示著這兩種情況：或是存在另一種模式(腔模式)，或是結(jié)果也許與流經(jīng)屏蔽表面的地電流相關(guān)。但無論如何，對(duì)輻射功率的平均衰減可達(dá)15db或更高。 我們討論了microshield屏蔽