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材料指定熱阻抗 (單位為℃/w),這些材料還能儲存熱量,它們稱為熱容量 (j/℃),并以電容來代表。 圖2是功率放大器的單晶粒封裝模型。在執(zhí)行靜態(tài)分析時,應(yīng)將電容忽略,此時接合溫度就如同方程式 (3) 所示,相當于環(huán)境溫度ta加上功耗與系統(tǒng)熱阻抗的乘積。動態(tài)分析則必須將熱容量一并列入考慮。 將組件的參數(shù)代入方程式(3)即可求出接合溫度,例如無線網(wǎng)絡(luò)功率放大器rf3220的參數(shù)值為:rth=76 ℃/w;p_diss = 0.997 w;ta = 85 ℃,將其代入方程式即可得到接合溫度為160.8℃。如前所述,接合溫度會受到功耗的影響,只要偏壓電流、輸出功率或效率改變,功耗就會跟著改變,使得接合溫度出現(xiàn)變化。 上述分析適用于封裝導(dǎo)熱性良好并在250 mw輸出功率下操作的功率放大器。由于無線網(wǎng)絡(luò)輸出功率較小,設(shè)計人員很容易將溫度控制在適當范圍內(nèi),使產(chǎn)品擁有更長壽命。