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MOS Field Effect Transistor
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MOS Field Effect Transistor
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分量按奇偶場(chǎng)分開存儲(chǔ),奇場(chǎng)在前,偶場(chǎng)在后。dm642外部共有20根地址線,即ce1空間的最大尋址范圍為1 mb×8,映射到ce1空間的除了flash,還有在cpld中實(shí)現(xiàn)的控制/狀態(tài)寄存器以及8位異步靜態(tài)uart口。所以,最大只能將1/2的ce1空間配置給flash,即512 kh×8。但是所選用的flash芯片am29lv320db的物理存儲(chǔ)空間為4 mb×8,所以利用有限的地址線訪問大物理空間時(shí),要采用分頁(yè)技術(shù),即將整個(gè)4 mb×8的flash分成8個(gè)512 kb×8的頁(yè),而頁(yè)地址pa20、pa19、pa18則有位于cpld中的頁(yè)地址寄存器提供。 2.2 串口通信電路設(shè)計(jì) 該設(shè)計(jì)將信號(hào)通過emif接口并行引出,經(jīng)過異步收發(fā)器tl16c752b的移位寄存器實(shí)現(xiàn)串行傳輸,然后由多協(xié)議收發(fā)器max3160將異步串口接口電平配置為rs232標(biāo)準(zhǔn)。tl16c752b采用8位異步并行存儲(chǔ)器接口,可以與dm642的外部存儲(chǔ)器接口無(wú)縫連接。tl16c752b具有兩個(gè)異步串行轉(zhuǎn)換通道,每個(gè)通道包含18個(gè)寄存器,通過地址線a0、a1、a2以及l(fā)cr寄存器的第7位對(duì)寄存器進(jìn)行字節(jié)尋址。波特率是由晶振