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當(dāng)前位置:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>nx6035sa 更新時(shí)間:2025-08-15 15:43:25

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nx6035sa中文資料

  • TDK5110與TlDA5220的無(wú)線溫度采集系統(tǒng)

    cv2值改變晶振負(fù)載電容來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率變化的。當(dāng)fskdta=0,開(kāi)關(guān)閉合,cv2和csw都被短路,cv1和l構(gòu)成等效負(fù)載電容;當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí),csw、cv2都計(jì)入回路,cv1、csw、cv2和l構(gòu)成等效負(fù)載電容。晶振振蕩頻率與負(fù)載電容之間的關(guān)系為: 其中: cl為晶體振蕩在中心頻率f時(shí)所要求的負(fù)載電容。 c0、c1為晶振內(nèi)部等效電容值。 f'=32f,為晶振振蕩在中心頻率f時(shí)的發(fā)射頻率。 △f為想要實(shí)現(xiàn)的距離晶振中心振蕩頻率的頻偏。 當(dāng)采用tdk5110推薦的nx6035sa晶振時(shí),f=13.568 75 mhz,c0=1.5 pf,c1=5.8 pf,cl=12 pf。 假設(shè)為實(shí)現(xiàn)“o”的發(fā)射△f,計(jì)算得到cl0值。但由于芯片內(nèi)部等效電感的存在,需要修正cv1值,此時(shí)開(kāi)關(guān)閉合,所以修正式子: 其中ω0為發(fā)射“0”時(shí)晶振振蕩角頻率。 得到: 在晶振f=13.568 75 mhz時(shí),芯片等效電感l(wèi)=4.6μh,所以計(jì)算可得cv1=10 pf。 同樣實(shí)現(xiàn)“1”的發(fā)射△f,計(jì)算得到cl1值為此時(shí)晶振回路中cv2和csw并聯(lián)后再與cv1

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NX25P40 NVS280 NVP2010 NVIDIA NV43 NV2A NV20 NV18 NV17 NUS5530MNR2G

NX8045GB NXT2004 NZ10150 NZF220DFT1G NZF220TT1 NZL5V6ATT1 NZL5V6ATT1G NZL5V6AXV3T1 NZL6V8AXV3T1 NZL7V5AXV3T1

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