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國半超小型AB類放大器采用0.4mm間距封裝
美國國家半導體公司(national semiconductor，以下簡稱國半)宣布推出兩款boomer ab類放大器，其特點是采用間距只有0.4mm的micro smd封裝，據(jù)稱是目前全球最小巧的音頻放大器。型號為lm4941的1.25w音頻放大器及型號為lm4985的立體聲耳機放大器不但具有低靜態(tài)電流及高輸出功率的優(yōu)點，還可以延長mp3播放機、移動電話以及其他便攜式電子產(chǎn)品的電池壽命。據(jù)介紹，國半的0.4mm間距封裝占用印制電路板極少的板面空間，因此即使電路板空間有限，工程師也可輕易完成線路設(shè)計。國半于1999年便已率先推出micro smd封裝，后來更以此為基礎(chǔ)開發(fā)出間距只有0.4mm的新一代micro smd封裝。新封裝除了采用生產(chǎn)硅芯片所必要的先進工藝技術(shù)之外，也引進新一代的焊接和硅基體研磨技術(shù)。 1.2w ab類音頻放大器lm4941 型號為lm4941的1.2w ab類音頻放大器內(nèi)置國半獨有的射頻信號抑制電路，其優(yōu)點是可以抑制射頻干擾，而且這方面的改善比現(xiàn)有的設(shè)計高20db。放大器的輸出端像天線一樣，本身也有接收能力，不但會自動接收外來噪音，還會

國半推出兩款小型封裝Boomer AB類音頻放大器
美國國家半導體公司(national semiconductor corporation)日前宣布推出兩款boomer ab類放大器，其特點是采用間距只有0.4mm的micro smd封裝，據(jù)稱是目前全球最小巧的音頻放大器。型號為lm4941的1.25w音頻放大器及型號為lm4985的立體聲耳機放大器不但具有低靜態(tài)電流及高輸出功率的優(yōu)點，還可以延長mp3播放機、移動電話以及其他便攜式電子產(chǎn)品的電池壽命。美國國家半導體的0.4mm間距封裝占用印制電路板極少的板面空間，因此即使電路板空間有限，工程師也可輕易完成線路設(shè)計。美國國家半導體于1999年便已率先推出先進的micro smd封裝，后來更以此為基礎(chǔ)成功開發(fā)間距只有0.4mm的新一代micro smd封裝。新封裝除了采用生產(chǎn)硅芯片所必要的先進工藝技術(shù)之外，也引進新一代的焊接和硅基體研磨技術(shù)。型號為lm4941的1.2w ab類音頻放大器內(nèi)置美國國家半導體獨有的射頻信號抑制電路，其優(yōu)點是可以抑制射頻干擾，而且這方面的改善比現(xiàn)有的設(shè)計高20db。放大器的輸出端像天線一樣，本身也有接收能力，不但會自動接收外
國半推出兩款Boomer AB類音頻放大器，采用業(yè)界最小封裝
美國國家半導體公司(national semiconductor corporation)日前宣布推出兩款boomer ab類放大器，其特點是采用間距只有0.4mm的micro smd封裝，據(jù)稱是目前全球最小巧的音頻放大器。型號為lm4941的1.25w音頻放大器及型號為lm4985的立體聲耳機放大器不但具有低靜態(tài)電流及高輸出功率的優(yōu)點，還可以延長mp3播放機、移動電話以及其他便攜式電子產(chǎn)品的電池壽命。美國國家半導體的0.4mm間距封裝占用印制電路板極少的板面空間，因此即使電路板空間有限，工程師也可輕易完成線路設(shè)計。美國國家半導體于1999年便已率先推出先進的micro smd封裝，后來更以此為基礎(chǔ)成功開發(fā)間距只有0.4mm的新一代micro smd封裝。新封裝除了采用生產(chǎn)硅芯片所必要的先進工藝技術(shù)之外，也引進新一代的焊接和硅基體研磨技術(shù)。型號為lm4941的1.2w ab類音頻放大器內(nèi)置美國國家半導體獨有的射頻信號抑制電路，其優(yōu)點是可以抑制射頻干擾，而且這方面的改善比現(xiàn)有的設(shè)計高20db。放大器的輸出端像天線一樣，本身也有接收能力，不但會自動接收
NS推出最小巧的Boomer AB類音頻放大器
美國國家半導體公司宣布推出兩款 boomer® ab 類放大器，其特點是采用間距只有 0.4mm 的 micro smd 封裝，是目前全球最小巧的音頻放大器。型號為 lm4941 的 1.25w 音頻放大器及型號為 lm4985 的立體聲耳機放大器不但具有低靜態(tài)電流及高輸出功率的優(yōu)點，還可以延長 mp3 播放機、移動電話以及其他便攜式電子產(chǎn)品的電池壽命。美國國家半導體的 0.4mm 間距封裝占用印制電路板極少的板面空間，因此即使電路板空間有限，工程師也可輕易完成線路設(shè)計。美國國家半導體于 1999 年便已率先推出先進的 micro smd 封裝，后來更以此為基礎(chǔ)成功開發(fā)間距只有 0.4mm 的新一代 micro smd 封裝。新封裝除了采用生產(chǎn)硅芯片所必要的先進工藝技術(shù)之外，也引進新一代的焊接和硅基體研磨技術(shù)。型號為 lm4941 的 1.2w ab 類音頻放大器內(nèi)置美國國家半導體獨有的射頻信號抑制電路，其優(yōu)點是可以抑制射頻干擾，而且這方面的改善比現(xiàn)有的設(shè)計高 20db。放大器的輸出端像天線一樣，本身也有接收能力，不但會自動接收外來噪音，還會將其傳送回放
采用micro SMD封裝的音頻放大器
lm4941和lm4985是兩款boomer ab類放大器，采用了間距只有0.4mm的micro smd封裝，是目前全球最小巧的音頻放大器。 lm4941為1.2w ab類音頻放大器，內(nèi)置射頻信號抑制電路，可以消除大部分系統(tǒng)常見的共模噪聲，而且以5v供電操作時，其靜態(tài)電流只有1.7ma。lm4985則是低噪聲立體聲耳機放大器，設(shè)有通過i2c兼容接口控制的32步級非線性音量控制功能，因此無需通過軟件提高系統(tǒng)的音量控制分辨度。若以5v的電源供應操作，lm4941的總諧波失真及噪聲只有0.04%。若輸入噪音為217hz，它的電源抑制比(psrr)高達95db(典型值)；若輸入噪音為1khz，其信噪比則高達108db。此外，這款放大器也設(shè)有單聲道的揚聲器輸出。若以3.6v的電源供應操作，而總諧波失真設(shè)定為1%，lm4985可為每聲道連續(xù)提供平均高達68mw的輸出功率，驅(qū)動16w的負載；若采用無輸出電容器模式，則可為每聲道提供38mw的輸出功率，驅(qū)動32w的負載。若采用無輸出電容器模式，而輸入噪音為217hz，這款芯片的電源抑制比可達77db。兩款芯片都無需加設(shè)輸出耦合電容器或啟動電容器，并設(shè)有內(nèi)部過

疑問!關(guān)于手機接打電話對音頻信號的干擾.
查了一下我想用ns的lm4941或是ti的tpa6203a1,剛?cè)ネ觌娮邮袌?找不到.不過已經(jīng)托一個熟悉的供應商幫我買了,他說要后天到.過兩天看我的結(jié)果吧 ! 冬瓜啊,我不是玩收音機的.不過我對你的ask模塊很感興趣,如果有發(fā)射模塊,我更感興趣.

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國半超小型AB類放大器采用0.4mm間距封裝

國半推出兩款小型封裝Boomer AB類音頻放大器

國半推出兩款Boomer AB類音頻放大器，采用業(yè)界最小封裝

NS推出最小巧的Boomer AB類音頻放大器

采用micro SMD封裝的音頻放大器

疑問!關(guān)于手機接打電話對音頻信號的干擾.

lm4941替代型號

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