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K9K1G08U0M
48000
SOP/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)
K9K1G08U0M
52701
TSOP48/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
K9K1G08U0M
63422
SOP/2215+
原裝現(xiàn)貨，可提供一站式配套服務(wù)
K9K1G08U0M
50000
-/2024+
原廠原裝現(xiàn)貨庫存支持當(dāng)天發(fā)貨
K9K1G08U0M
41101
SOP/-
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
K9K1G08U0M
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費送樣
K9K1G08U0M
2199
TSOP48/-
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K9K1G08U0M 128MB
20000
SLC/13+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
K9K1G08U0M -YCB0
28000
-/-
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
K9K1G08U0M-FIB0
20000
WSOP/2022+
只做原裝進口現(xiàn)貨.假一罰十
K9K1G08U0M-FIB0
20000
WSOP/2022+
只做原裝進口現(xiàn)貨.假一罰十
K9K1G08U0M-PCB0
47328
TSOP48/21+
低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十
K9K1G08U0M-PCB0
1050
TSOP/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
K9K1G08U0M-PCB0
15988
LGA/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單
K9K1G08U0M-PCB0
12500
TSOP/23+
全新原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢
K9K1G08U0M-PCB0
3615
TSOP/2025+
全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣
K9K1G08U0M-PCB0
1200
09+/17+
代理直銷，公司原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
K9K1G08U0M-PCB0
1
N/A/25+
回收此型號K9K1G08U0M-PCB0
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原廠原裝 正品/假一罰十
K9K1G08U0M-PCB0
26000
TSOP48/21+
一級代理 現(xiàn)貨在庫
K9K1G08U0M-YCB0
128M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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128M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9K1G08U0M-YIB0
128M x 8 Bit NAND Flash Memory
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摘 要： 提出一種使用xilinx 公司生產(chǎn)的低功耗cpld芯片xcr3032來實現(xiàn)微控制器與大容量fl ash存儲器相接口的方法。文中在介紹xcr3032 cpld和flash存儲器k9k1g08u0m的基礎(chǔ)上，給 出了接口電路、工作原理和verilog hdl實現(xiàn)方法。 關(guān)鍵詞：xcr3032；flash存儲器；k9k1g08u0m；verilog hdl flash存儲器（flash memory）是非易失存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息， 可以對存儲器單元塊進行擦除和再編程，并且不需要額外的編程電壓。flash存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。近年 來，flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)代碼存儲和大容量數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文 介紹了使用xcr3032實現(xiàn)k9k1g08u0m與微控制器的接口原理，給出了veriloghd l實現(xiàn)程序。對大容量flash存儲器的接口設(shè)計具有一定的參考價值。 1xcr3032 xcr3032是xilinx公司生產(chǎn)的coolrunner xpla3系列cpld。他具有如下特
因素 1、頁數(shù)量 前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁越多、頁越大，尋址時間越長。但這個時間的延長不是線性關(guān)系，而是一個一個的臺階變化的。譬如128、256mb的芯片需要3個周期傳送地址信號，512mb、1gb的需要4個周期，而2、4gb的需要5個周期。 2、頁容量 每一頁的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存（4gb）提高了頁的容量，從512字節(jié)提高到2kb。頁容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m為例，前者為1gb，512字節(jié)頁容量，隨機讀（穩(wěn)定）時間12μs，寫時間為200μs；后者為4gb，2kb頁容量，隨機讀（穩(wěn)定）時間25μs，寫時間為300μs。假設(shè)它們工作在20mhz。 讀取性能 nand型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器（隨機讀穩(wěn)定時間）→數(shù)據(jù)傳出（每周期8bit，需要傳送512+16或2k+64次）。 k9k1g08u0m讀一個頁需要： 5個命令、尋址周期×50ns+12μs+（512+16）
些？ 1．頁數(shù)量 前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁越多、頁越大，尋址時間越長。但這個時間的延長不是線性關(guān)系，而是一個一個的臺階變化的。譬如128、256mb的芯片需要3個周期傳送地址信號，512mb、1gb的需要4個周期，而2、4gb的需要5個周期。 2．頁容量 每一頁的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存(4gb)提高了頁的容量，從512字節(jié)提高到2kb。頁容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m為例，前者為1gb，512字節(jié)頁容量，隨機讀(穩(wěn)定)時間12μs，寫時間為200μs；后者為4gb，2kb頁容量，隨機讀(穩(wěn)定)時間25μs，寫時間為300μs。假設(shè)它們工作在20mhz。 讀取性能：nand型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器(隨機讀穩(wěn)定時間)→數(shù)據(jù)傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m讀一個頁需要：5個命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50
電源電壓：Vcc＝2.7—3.6V； 結(jié)構(gòu)：存儲器單元陣列：,(128M+4096K)X8位﹐數(shù)據(jù)存儲器：(512+16)X8位； 自動編程和擦除：頁編程：(512+16)字節(jié)﹐塊擦除：(16K+512)字節(jié)； 528字節(jié)頁讀操作：隨機存?。?2μs(最大值)，串行訪問：50ns (最小值)； 快速寫周期時間：編程時間：200μs(典型值),塊擦除時間：2ms(典型值)； 指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口； 硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定； 可靠的 CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù)﹐100k次編程/擦除周期﹐10年的數(shù)據(jù)保留 時間； 指令存儲器操作； 封裝：48引腳的TSOP封裝； 同時4頁/塊編程/擦除
摘 要： 提出一種使用xilinx 公司生產(chǎn)的低功耗cpld芯片xcr3032來實現(xiàn)微控制器與大容量fl ash存儲器相接口的方法。文中在介紹xcr3032 cpld和flash存儲器k9k1g08u0m的基礎(chǔ)上，給 出了接口電路、工作原理和verilog hdl實現(xiàn)方法。 關(guān)鍵詞：xcr3032；flash存儲器；k9k1g08u0m；verilog hdl interface design of mass flash memory based on xcr3032 men yabin， han jiaxin (national ocean technology center,tianjin, 300111, china) abstract： this paper puts forward an interface method of mass flash memory based on ultra low power cpld chip xcr3032 manufactured by xilinx. after introduced th e xcr3032 cpld chip
1．頁數(shù)量 越大容量閃存的頁越多、頁越大，尋址時間越長。但這個時間的延長不是線性關(guān)系，而是一個一個的臺階變化的。譬如128、256mb的芯片需要3個周期傳送地址信號，512mb、1gb的需要4個周期，而2、4gb的需要5個周期。 2．頁容量 每一頁的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存(4gb)提高了頁的容量，從512字節(jié)提高到2kb。頁容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m為例，前者為1gb，512字節(jié)頁容量，隨機讀(穩(wěn)定)時間12μs，寫時間為200μs；后者為4gb，2kb頁容量，隨機讀(穩(wěn)定)時間25μs，寫時間為300μs。假設(shè)它們工作在20mhz。 讀取性能：nand型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器(隨機讀穩(wěn)定時間)→數(shù)據(jù)傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m讀一個頁需要：5個命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；k9k1g08u0
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