K9K2G08U0M-VCB0
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl...
SAMSUNG
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256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Fl...
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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電源電壓：Vcc＝2.7～3.6V； 結(jié)構：存儲器單元陣列：(256M十8192K)X8位﹐數(shù)據(jù)存儲器：(2K+64)X8位﹐緩存存儲器：(2K+64)X8位； 自動編程和擦除：頁編程：(2K+64)字節(jié)﹐塊擦除：(128K+4K)字節(jié)； 頁讀操作：頁大?。?KB﹐隨機存?。?5μs(最大值)﹐串行訪問：30ns(最小值)； 快速寫周期時間：編程時間：200μs(典型值)﹐塊擦除時間：2ms(典型值)； 指令/地址/數(shù)據(jù)復用I/O端口；硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定； 可靠的CMOS準浮柵技術﹐100k次編程/擦除周期﹐10年的數(shù)據(jù)保留時間；指令存儲器操作；上電自讀操作；封裝：48引腳的TSOP封裝； 工作溫度：-10～＋125℃
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