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K9F5608U0M-YCB0
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TSOP/2024+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨支持實單
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低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十
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N/A/2024
上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢
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TSOP/2024+
代理分銷，原裝現(xiàn)貨
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原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
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N/A/25+
回收此型號K9F5608U0M-YCB0
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100%原裝深圳現(xiàn)貨
K9F5608U0M-YCB0
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TSOP48/11+
原裝長期大量供貨
K9F5608U0M-YCB0
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真實數(shù)量訂貨一周來確認(rèn)
K9F5608U0M-YCB0
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原裝現(xiàn)貨，只做自己優(yōu)勢
K9F5608U0M-YCB0
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TSOP56/-
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K9F5608U0M-YCB0
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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。(4)具有較多的智能外設(shè)。除了標(biāo)準(zhǔn)的串行口和時分復(fù)用(tdm)串行口外，還提供了自動緩沖串行口bsp和與外部處理器通信的hpi(host port interface)接口。bsp可提供2k字?jǐn)?shù)據(jù)緩沖的讀寫能力，從而可以降低處理器的額外開銷，即使在idle方式下，bsp也可以全速工作。hpi可以與外部標(biāo)準(zhǔn)的微處理器直接接口。同時，還具有i/o口等控制信號。nand flash在移動存儲設(shè)備中，由于nand的存儲容量大，因此得到了廣泛的應(yīng)用。本系統(tǒng)采用samsung公司的nand flash芯片k9f5608u0m-ycb0進(jìn)行存儲。該芯片存儲容量為32mb，其中主數(shù)據(jù)區(qū)為32mb，輔助數(shù)據(jù)區(qū)為1mb，工作電壓為2.7~3.6v，i/o端口寬度為8位。nand flash芯片的內(nèi)存按頁和塊的結(jié)構(gòu)組織，其中每個數(shù)據(jù)頁內(nèi)有528個字節(jié)，前512個字節(jié)為主數(shù)據(jù)存儲器，存放用戶數(shù)據(jù)，后16個字節(jié)為輔助數(shù)據(jù)存儲器，存放ecc代碼，壞塊信息和文件系統(tǒng)代碼。每個數(shù)據(jù)塊包含32個頁，一片k9f5608u0m包括2048個塊。nand flash芯片內(nèi)有一個容量為528字節(jié)的靜態(tài)寄存器，稱為頁寄存器，用來在數(shù)據(jù)存取時作為緩沖區(qū)使用。
請幫忙!我正在做個u盤，32m的flash（型號k9f5608u0m-ycb0），在向flash進(jìn)行寫入的操作時，我需要將某個block中若干個page的內(nèi)容拷貝到另一個block的相同位置的page中，其中芯片提供了一個copy-back的操作時序正好符合我的要求，并且不用占用內(nèi)存空間，但我寫的代碼始終不能正常工作，部分?jǐn)?shù)據(jù)被寫壞了，請教使用這個操作時有什么需要注意的地方嗎？如果您做過相關(guān)的項目，可以把這部分代碼發(fā)給我參考一下嗎？hero_hyg123@163.com 謝謝！
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