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TSOP48/2403+
主營內(nèi)存.閃存全系列 ，歡迎咨詢
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NA/1+
全新原裝現(xiàn)貨，實(shí)單來談
K9F5608U0C-YCB0
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公司現(xiàn)貨進(jìn)口原裝優(yōu)勢價(jià)格熱賣
K9F5608U0C-YCB0
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TSOP/03+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢
K9F5608UOD-PIBO
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全新原裝熱賣歡迎來電咨詢
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TSOP48/0904
原裝
K9F5608U0C-PCB0
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TSOP48/23+
長期經(jīng)營各類電子芯片，只做原裝20年老牌供應(yīng)商
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TSOP48/06+
原裝現(xiàn)貨 假一賠十
K9F5608U0C
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TSOP48/05+
全新原裝現(xiàn)貨
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FBGA63/23+
100%原裝現(xiàn)貨
K9F5608R0C-JIBO
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BGA/2024+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單
K9F5608U0D-PCB0
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TSOP48/904
原裝現(xiàn)貨 力挺實(shí)單
K9F5608U0D-PCB0
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市場價(jià)原廠原裝假一罰十
K9F5608U0D-PCB0
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原裝現(xiàn)貨，高端渠道
K9F5608UOC-DIBO
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特惠現(xiàn)貨只做原廠原裝假一罰十
K9F5608U0C-DIB0
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BGA/2010
全新原裝特價(jià)熱賣.
K9F5608U0A-YCB0
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原裝優(yōu)勢有貨
K9F5608U0D-PCBO
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
K9F5608UOD-PCBO
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TSSOP/21+
原裝現(xiàn)貨 假一罰十
K9F5608UOD-JIBO
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BGA/12+
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K9F5608U0
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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K9F5608U0
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9F5608D0C
32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flas...
SAMSUNG
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K9F5608D0C
32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flas...
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K9F5608D0D
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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K9F5608D0D
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9F5608Q0C
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
SAMSUNG
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32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flas...
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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K9F5608Q0C
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
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K9F5608R0D
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
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源標(biāo)簽兩種類型。讀寫器可以發(fā)送射頻信號到電子標(biāo)簽，并接收電子標(biāo)簽返回的射頻信號，從而獲取標(biāo)簽數(shù)據(jù)信息。不論是讀寫器還是應(yīng)答器，它們都有一個(gè)重要的構(gòu)成部分，即微型天線。微型天線可使讀寫器和應(yīng)答器之間進(jìn)行有效的信號和能量傳輸。 如圖1所示，射頻應(yīng)答器和射頻讀寫器的組成均包括微型天線、射頻信號收發(fā)器、數(shù)據(jù)處理器和存儲器。除此之外，讀寫器還包括存儲器的讀寫控制、與計(jì)算機(jī)的通信、顯示器控制等。 本讀寫器采用nrf2401作為射頻信號的收發(fā)器，w77e58作為總控制器，并負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的處理，選用非易失性的k9f5608作為存儲器。同時(shí)選用了時(shí)鐘芯片ds1302、串行口顯示器fyd12864和rs-232驅(qū)動／接收器max233。 本系統(tǒng)的主控芯片w77e58指令執(zhí)行速度快、讀寫速度快、功能龐大且設(shè)計(jì)方便。首先，根據(jù)鍵盤鍵人的指令，通過w77e58的控制，nrf2401向?qū)?yīng)編號的電子標(biāo)簽進(jìn)行查詢，再將查詢結(jié)果存入k9f5608中，同時(shí)將ds1302即時(shí)產(chǎn)生的時(shí)刻信息，也就是查詢時(shí)刻信息存入k9f5608中，由fyd12864顯示整個(gè)查詢過程。系統(tǒng)可通過max233與計(jì)算機(jī)通信，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)上傳與下載。
b) 按頁寫，按塊擦除。 c) 寫操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行。 d) 塊的擦寫壽命有次數(shù)限制。 e) 塊擦除時(shí)間與頁讀寫時(shí)間相比十分長。 需要通過軟件的支持來消除這些特性導(dǎo)致的不足，使得能象操作普通磁盤一樣進(jìn)行flash操作。 2 ccm3118操作nand flash工作原理 ccm3118提供多達(dá)72個(gè)通用輸入輸出引腳，擴(kuò)展與flash的接口非常簡單、方便，ccm3118與k9f5608 nand flash的接口電路圖如圖三所示： &nb sp; （圖三，k9f5608與ccm3118接口電路圖） 通過軟件把ccm3118相關(guān)引腳設(shè)置為gpio功能，并設(shè)置其方向。按照flash讀、寫、擦除操作時(shí)序要求操作這些i/o引腳。圖四、圖五、圖六分別是k9f5608系列小塊flash的讀、寫、擦除操作時(shí)命令、地址、數(shù)據(jù)部分的序列：
普及，基于nand閃存的文件系統(tǒng)yaffs(yet another flash file system)正逐漸被應(yīng)用到各種嵌入式系統(tǒng)中。本文將詳細(xì)闡述yaffs文件系統(tǒng)在c51系統(tǒng)上的實(shí)現(xiàn)過程。 1 nand flash的特點(diǎn) 非易失性閃速存儲器flash具有速度快、成本低、密度大的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)中。flash存儲器主要有nor和nand兩種類型。nor型比較適合存儲程序代碼;nand型則可用作大容量數(shù)據(jù)存儲。nand閃存的存儲單元為塊和頁。本文使用的samsung公司的k9f5608包括2 048塊，每一塊又包括32頁，一頁大小為528字節(jié)，依次分為2個(gè)256字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)，最后是16字節(jié)的備用空間。 k9f5608具有以下特點(diǎn)： 以頁為單位進(jìn)行讀/寫操作，而擦除操作以塊為單位，讀、寫和擦除操作均通過命令完成；不能字節(jié)擦除，在每次改寫操作之前需要先擦除一整塊；出廠時(shí)有一定比例的壞塊存在；每一塊的擦除次數(shù)有限，為10萬次左右[1]。 2 yaffs文件系統(tǒng)簡介 yaffs是第一個(gè)專門為nand flash存儲器設(shè)計(jì)的嵌入式文件系統(tǒng)，適用于大容量的存儲設(shè)備；并且是
圖1所示。系統(tǒng)以s3c2410及其外圍電路為硬件平臺，以嵌入式linux和設(shè)備驅(qū)動程序作為系統(tǒng)的軟件平臺，為上層mplayer播放器和用戶應(yīng)用程序提供用戶接口支持[1]。在這三層結(jié)構(gòu)的支持下，共同來實(shí)現(xiàn)嵌入式網(wǎng)絡(luò)收音機(jī)的全部功能。 圖1 系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)圖 系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示。本系統(tǒng)選用的arm處理器是sumsing(三星)公司的一款arm9系列的芯片，型號為s3c2410。網(wǎng)卡芯片采用的是cirrus logic公司的一顆網(wǎng)絡(luò)處理芯片cs8900。flash芯片采用的是 k9f5608，用來存儲啟動引導(dǎo)程序u-boot、內(nèi)核及文件系統(tǒng)，sdram芯片采用的是hy57v281620，作為該系統(tǒng)的內(nèi)存。16*4的字符型液晶顯示模塊用來顯示網(wǎng)絡(luò)電臺、音頻文件名等相關(guān)信息。音頻d/a轉(zhuǎn)換芯片選用的是飛利浦公司的uda1341芯片，該芯片具有iis接口，可以方便的與s3c2410連接。 圖2 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)框圖 系統(tǒng)在linux提供的tcp/ip協(xié)議的支持下，通過應(yīng)用程序和mplayer控制，經(jīng)過網(wǎng)卡連接到internet上指定的網(wǎng)絡(luò)電臺服務(wù)器，下載網(wǎng)絡(luò)電臺列表。系統(tǒng)支持
整個(gè)軟件系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性。 fram+flash數(shù)據(jù)存儲 為了提高flash存儲空間的利用率以及數(shù)據(jù)的安全性，數(shù)據(jù)在進(jìn)行存儲之前要經(jīng)過壓縮和加密。每次任務(wù)設(shè)置過程中，加密基數(shù)不同。為了方便對記錄數(shù)據(jù)的管理，數(shù)據(jù)在存儲器中按記錄來存儲，每條記錄為固定的32個(gè)字節(jié)，每條記錄包含日期、時(shí)間、經(jīng)度、緯度、速度、方位角、傳感信息、控制信息、電源信息。數(shù)據(jù)的記錄可以通過事件觸發(fā)或定時(shí)設(shè)置觸發(fā)，這需要通過任務(wù)設(shè)置信息的具體要求來判斷。 數(shù)據(jù)的存儲采用了兩級硬件結(jié)構(gòu)，并結(jié)合了指針管理技術(shù)。本設(shè)計(jì)采用了三星k9f5608 flash。flash的一頁為528個(gè)字節(jié)，其中512個(gè)字節(jié)用于正常數(shù)據(jù)存儲，其余16個(gè)字節(jié)用于錯(cuò)誤處理。寫和讀以頁為單位，而擦除以塊為單位，由于記錄數(shù)據(jù)每條為32個(gè)字節(jié)，因此存儲夠16條記錄（16*32=512 bytes）后才能將數(shù)據(jù)寫入flash，這就需要采用緩存機(jī)制。緩存機(jī)制的選擇可以采用以下三種： ram+flash：這種機(jī)制是存取速度快，但要占大量的微控制器資源，而且掉電后數(shù)據(jù)會丟失，這會導(dǎo)致關(guān)鍵數(shù)據(jù)無法獲?。?eeprom+flash：這種機(jī)制雖然能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)，但存取
及，基于nand閃存的文件系統(tǒng)yaffs(yet another flash file system)正逐漸被應(yīng)用到各種嵌入式系統(tǒng)中。本文將詳細(xì)闡述yaffs文件系統(tǒng)在c51系統(tǒng)上的實(shí)現(xiàn)過程。 1 nand flash的特點(diǎn) 非易失性閃速存儲器flash具有速度快、成本低、密度大的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)中。flash存儲器主要有nor和nand兩種類型。nor型比較適合存儲程序代碼;nand型則可用作大容量數(shù)據(jù)存儲。nand閃存的存儲單元為塊和頁。本文使用的samsung公司的k9f5608包括2 048塊，每一塊又包括32頁，一頁大小為528字節(jié)，依次分為2個(gè)256字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)，最后是16字節(jié)的備用空間。 k9f5608具有以下特點(diǎn)： 以頁為單位進(jìn)行讀/寫操作，而擦除操作以塊為單位，讀、寫和擦除操作均通過命令完成；不能字節(jié)擦除，在每次改寫操作之前需要先擦除一整塊；出廠時(shí)有一定比例的壞塊存在；每一塊的擦除次數(shù)有限，為10萬次左右[1]。 2 yaffs文件系統(tǒng)簡介 yaffs是第一個(gè)專門為nand flash存儲器設(shè)計(jì)的嵌入式文件系統(tǒng)，適用于大容量的存儲設(shè)備；并且是
貼上來了/********************************************************************本程序大部分功能調(diào)試通過，沒有調(diào)試或沒有通過已在功能模塊里說明 注: 本程序只供學(xué)習(xí)使用，未經(jīng)作者允許，不能用于其它任何用途 //模 塊 名：單片機(jī)控制k9f5608的讀寫程序//創(chuàng) 建 者：電子伙伴 日期:2006-4-10 15:47//修 改 者: 日期://功能描述：//其他說明：50mhz晶振，雙倍數(shù)振蕩頻率 單指令周期為0.12us//芯片型號: stc89c58rd //配 置: //版 本：v1.0********************************************************************/ unsigned char readbyte(unsigned int blockadd,unsigned char pageadd
儲介質(zhì)的普及，基于nand閃存的文件系統(tǒng)yaffs(yet another flash file system)正逐漸被應(yīng)用到各種嵌入式系統(tǒng)中。本文將詳細(xì)闡述yaffs文件系統(tǒng)在c51系統(tǒng)上的實(shí)現(xiàn)過程。1 nand flash的特點(diǎn) 非易失性閃速存儲器flash具有速度快、成本低、密度大的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)中。flash存儲器主要有nor和nand兩種類型。nor型比較適合存儲程序代碼;nand型則可用作大容量數(shù)據(jù)存儲。nand閃存的存儲單元為塊和頁。本文使用的samsung公司的k9f5608包括2 048塊，每一塊又包括32頁，一頁大小為528字節(jié)，依次分為2個(gè)256字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)，最后是16字節(jié)的備用空間。 k9f5608具有以下特點(diǎn)： 以頁為單位進(jìn)行讀/寫操作，而擦除操作以塊為單位，讀、寫和擦除操作均通過命令完成；不能字節(jié)擦除，在每次改寫操作之前需要先擦除一整塊；出廠時(shí)有一定比例的壞塊存在；每一塊的擦除次數(shù)有限，為10萬次左右[1]。2 yaffs文件系統(tǒng)簡介 yaffs是第一個(gè)專門為nand flash存儲器設(shè)計(jì)的嵌入式文件系統(tǒng)，適用于大容量的存儲設(shè)備；并且是在gpl（g
nand flash忽悠記 21ic上剛剛出了個(gè)i2c總線忽悠記，偶最近在調(diào)sumsung的nand flash，也被忽悠了一下，發(fā)出來免得大家接著被忽悠了。我調(diào)的是k9f5608（32mb），mcu為stc89c516rd+。 忽悠一：讀器件忙。在對flash的很多操作中都要對器件狀態(tài)進(jìn)行判斷，最硬件設(shè)計(jì)時(shí)為了節(jié)約i/o口，偶把r/b信號腳沒有連mcu，通過讀flash狀態(tài)字來判斷忙。這種方法，在復(fù)位等操作后是可以的，但是在read1等操作中就不行了，在發(fā)送完讀地址后再讀忙，內(nèi)部寄存器內(nèi)的數(shù)據(jù)就變?yōu)闋顟B(tài)字了，所以不管你如何讀，都只能讀到c0h?；仡^再細(xì)看時(shí)序圖，判斷忙確實(shí)是對r/b引腳的判斷。 忽悠二：寫數(shù)據(jù)前一定要明確被寫單元為ffh，和eeprom不一樣，對k9f5608的寫只能將為1的位寫為0，如果在你寫之前該單元不為ffh，你寫入的數(shù)據(jù)將會錯(cuò)誤。 忽悠三：塊擦除。datasheet上的介紹是k9f5608的block數(shù)目為2408，且每次擦除32個(gè)page，比較容易讓人誤解為使用2048個(gè)連續(xù)地址就能完成對整個(gè)ic的擦除，但是在時(shí)序圖上擦除時(shí)輸入的地址卻是16位的，
atmeag128 與 k9f5608 接口例子atmeag128 與 k9f5608 接口, 應(yīng)該如何連接, 有沒有可以參考的電路圖和代碼?
請教k9f5608的編程問題這塊nand flash讀id是正確的，編程時(shí)返回的狀態(tài)和標(biāo)志也正確，但是編程后讀出的數(shù)據(jù)不對，全為0xff； 以前用的是smartarm2200的板子，上面nand flash是k9f2808（讀寫是正常的），干脆將它換成了k9f5608，還是只能讀id ，編程后讀出的數(shù)據(jù)不對仍然全為0xff；比較二者的datasheet ,時(shí)序幾乎是一樣的，好纏人啊，還可能會是哪兒有問題？
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