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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0...
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0...
IRF [International Rectifier]
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MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
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HEXFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRFD9210, SiHFD9210
Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRFD9210, SiHFD9210PDF下載
ms時導通；在vc等于7．4 v時q2導通，即在q1導通后的330 ms時導通。這樣長的時間，足以保證電源需要的穩(wěn)定時間和使q1與q2緩慢地導通。因為要把啟動電流保持在一個最小值，所以fet(場效應管)的緩慢導通是至關重要的。若fet轉(zhuǎn)換太快，有可能產(chǎn)生一個大的浪涌電流，失去軟啟動電路的效用。 3 注意事項 (1)軟啟動電路的增加是有代價的。從整體來講，這種電路可看作是電源的一部分，它要消耗功率，使電源的效率降低。大部分功率損失是由于輸出傳遞場效應管q2的導通電阻不為零所造成的。這種irfd9210的導通電阻為0．6 ω。在500 ma輸出電流時，q2將消耗300 mw功率。如果不允許這樣大的損耗時，可以采用導通電阻更小的fet(但往往價格很高)。 (2)因為開關電源電壓的感測是取自場效應管q2的輸入端，所以這種穿過q2的電阻也影響負載電壓的穩(wěn)定。只要負載電流是相對恒定的，這個問題并不嚴重。如果輸出電壓的變化較大，可以選用導通電阻低的fet來改善，也可以在軟啟動電路工作完成以后，在q2的輸出端加一個電壓感測電路來改善。 4 結(jié)論 以上詳細論述了“軟啟動電路”是如何消除開關
ms時導通；在vc等于7．4 v時q2導通，即在q1導通后的330 ms時導通。這樣長的時間，足以保證電源需要的穩(wěn)定時間和使q1與q2緩慢地導通。因為要把啟動電流保持在一個最小值，所以fet(場效應管)的緩慢導通是至關重要的。若fet轉(zhuǎn)換太快，有可能產(chǎn)生一個大的浪涌電流，失去軟啟動電路的效用。 3 注意事項 (1)軟啟動電路的增加是有代價的。從整體來講，這種電路可看作是電源的一部分，它要消耗功率，使電源的效率降低。大部分功率損失是由于輸出傳遞場效應管q2的導通電阻不為零所造成的。這種irfd9210的導通電阻為0．6 ω。在500 ma輸出電流時，q2將消耗300 mw功率。如果不允許這樣大的損耗時，可以采用導通電阻更小的fet(但往往價格很高)。 (2)因為開關電源電壓的感測是取自場效應管q2的輸入端，所以這種穿過q2的電阻也影響負載電壓的穩(wěn)定。只要負載電流是相對恒定的，這個問題并不嚴重。如果輸出電壓的變化較大，可以選用導通電阻低的fet來改善，也可以在軟啟動電路工作完成以后，在q2的輸出端加一個電壓感測電路來改善。 4 結(jié)論 以上詳細論述了“軟啟動電路”是如何消除開關
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