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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>irf7832zpbf 更新時間:2025-08-30 08:40:54

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歷史最低報價:¥0.9500 歷史最高報價:¥13.9000 歷史平均報價:¥5.3166

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  • IR最新MOSFET芯片組提升兩相DC-DC降壓轉換器效率

    國際整流器公司(ir)近日推出兩款新型30v hexfet功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉換器mosfet解決方案的輕負載效率提升2%,用來驅動筆記本電腦及其他高性能計算應用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導、開關和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉換器應用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當重要?!?新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設計,以發(fā)揮其最大效能??刂苖osfet具有更低的開關損耗(柵電荷),同步mosfet則具有低傳導損耗(低導通電阻)

  • IR最新MOSFET芯片組提升兩相DC-DC降壓轉換器效率..

    國際整流器公司(ir)近日推出兩款新型30v hexfet功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉換器mosfet解決方案的輕負載效率提升2%,用來驅動筆記本電腦及其他高性能計算應用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導、開關和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉換器應用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當重要?!?新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設計,以發(fā)揮其最大效能。控制mosfet具有更低的開關損耗(柵電荷),同步mosfet則具有低傳

  • IR新型HEXFET® MOSFET芯片可將兩相降壓轉換器效率提升2%

    (電子市場網(wǎng)訊) 世界功率管理技術領袖國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)近日推出兩款新型30v hexfet®功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉換器mosfet解決方案的輕負載效率提升2%,用來驅動筆記本電腦及其他高性能計算應用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導、開關和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉換器應用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當重要?!?新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設計,以發(fā)揮其最大效能??刂?/p>

  • IR功率MOSFET用于驅動處理器,效率提升2%

    國際整流器公司(ir)近日推出兩款新型30v hexfet功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉換器mosfet解決方案的輕負載效率提升2%,用于驅動筆記本電腦及其他高性能計算應用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導、開關和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉換器應用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當重要。” 新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設計,以發(fā)揮其最大效能??刂苖osfet具有更低的開關損耗(柵電荷),同步mosfet則具有低傳導損耗(低導通電阻)及低逆向恢復電荷。 irf

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