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當(dāng)前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>irf7823pbf 更新時間:2025-10-16 13:11:51

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irf7823pbf中文資料

  • IR最新MOSFET芯片組提升兩相DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器效率

    國際整流器公司(ir)近日推出兩款新型30v hexfet功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器mosfet解決方案的輕負(fù)載效率提升2%,用來驅(qū)動筆記本電腦及其他高性能計算應(yīng)用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導(dǎo)、開關(guān)和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅(qū)動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當(dāng)重要?!?新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設(shè)計,以發(fā)揮其最大效能。控制mosfet具有更低的開關(guān)損耗(柵電荷),同步mosfet則具有低傳導(dǎo)損耗(低導(dǎo)通電阻

  • IR最新MOSFET芯片組提升兩相DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器效率..

    國際整流器公司(ir)近日推出兩款新型30v hexfet功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器mosfet解決方案的輕負(fù)載效率提升2%,用來驅(qū)動筆記本電腦及其他高性能計算應(yīng)用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導(dǎo)、開關(guān)和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅(qū)動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當(dāng)重要?!?新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設(shè)計,以發(fā)揮其最大效能??刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗(柵電荷),同步mosfet則具有低

  • IR功率MOSFET用于驅(qū)動處理器,效率提升2%

    國際整流器公司(ir)近日推出兩款新型30v hexfet功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器mosfet解決方案的輕負(fù)載效率提升2%,用于驅(qū)動筆記本電腦及其他高性能計算應(yīng)用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導(dǎo)、開關(guān)和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅(qū)動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當(dāng)重要?!?新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設(shè)計,以發(fā)揮其最大效能。控制mosfet具有更低的開關(guān)損耗(柵電荷),同步mosfet則具有低傳導(dǎo)損耗(低導(dǎo)通電阻)及低逆向恢復(fù)電荷。 ir

  • IR新型HEXFET® MOSFET芯片可將兩相降壓轉(zhuǎn)換器效率提升2%

    (電子市場網(wǎng)訊) 世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)近日推出兩款新型30v hexfet®功率mosfet,可將30v/45a兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器mosfet解決方案的輕負(fù)載效率提升2%,用來驅(qū)動筆記本電腦及其他高性能計算應(yīng)用中的intel和amd最新型處理器。 這兩款新型無鉛器件分別是irf7823pbf和irf7832zpbf,通過優(yōu)化傳導(dǎo)、開關(guān)和體二極管損耗,可實現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步mosfet的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路芯片組。這組新型so-8 mosfet 還適用于其他采用pwm控制的dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“中低功率水平下,高效率對筆記本電腦非常重要,因為它們是最主流的電池驅(qū)動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要,在5-15a的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點對便攜式計算也相當(dāng)重要?!?新的芯片組包含一個控制mosfet和一個同步mosfet,每個器件都經(jīng)過專門設(shè)計,以發(fā)揮其最大效能???/p>

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