帶電流檢測(cè)的門極驅(qū)動(dòng)ICs: IR212X

帶電流檢測(cè)的門極驅(qū)動(dòng)ics: ir212x 1） 器件介紹 ir有四款單通道驅(qū)動(dòng)器具有電流檢測(cè)功能。ir2121和ir2125分別為低端和高端驅(qū)動(dòng)器，它們具有較高的驅(qū)動(dòng)能力（1a出/2a 入）。這兩款器件內(nèi)的電流檢測(cè)電路使用一個(gè)定時(shí)電路，由err 腳來確定從檢測(cè)出過流到關(guān)閉輸出的延遲時(shí)間。ir2127 和ir2128 都是高端驅(qū)動(dòng)器（ir2127 的輸入為高有效，ir2128的輸入為低有效），它們的輸出能力較低（200ma出/420ma入），電流檢測(cè)電路也比較簡(jiǎn)單。 對(duì)于那些需要長(zhǎng)時(shí)間輸出為高，或者負(fù)載阻抗較大（>500 ohm）的應(yīng)用，自舉電容上的電壓就會(huì)下降。這種情況下就需要一個(gè)充電泵電路（見應(yīng)用指南an978）。如何選擇自舉元件請(qǐng)看dt98-2“驅(qū)動(dòng)自舉元件的選擇”。 2） 電流檢測(cè)原理 ir2127/ir2128 電流檢測(cè)功能 圖一給出了ir2127/ir2128 的典型接線圖。cs 腳即是用來檢測(cè)電流的。檢測(cè)電路有一段間隙時(shí)間以確定在器件開通時(shí)cs不被誤觸發(fā)（在緊接輸出變高后的一段與間隙時(shí)間相等的時(shí)間里，標(biāo)么值為750ns，ic最初忽略cs腳上的電壓）。過了

由IR2127組成的欠飽和檢測(cè)電路原理圖

　　本電路是由IR2127組成的欠飽和檢測(cè)電路原理圖。

• 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117

  使用獨(dú)立電源時(shí)，接用戶提供的電源，此時(shí)vb的參考地為vs而vcc的參考地為com。在兩電源之間，電位應(yīng)隔離。當(dāng)vb與vcc利用自舉技術(shù)產(chǎn)生時(shí)，此端分別通過一電容及二極管接vs及vcc 2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 ir2117的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理框圖如圖2所示。它在內(nèi)部集成有一個(gè)施密特觸發(fā)器，一個(gè)脈沖增益電路，兩個(gè)欠壓檢測(cè)及保護(hù)電路，一個(gè)電平移位網(wǎng)絡(luò)，一個(gè)與非門，一個(gè)由兩個(gè)mosfet組成的互補(bǔ)功放輸出級(jí)、一個(gè)rs觸發(fā)器以及一個(gè)脈沖濾波器共九個(gè)單元電路。 正常工作時(shí)，若ir2127的邏輯電源部分及輸出電源部分不欠壓，則來自用戶控制脈沖形成單元的信號(hào)先由施密特觸發(fā)器整形，再經(jīng)脈沖增益環(huán)節(jié)放大后，由電平移位網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電平移位與匹配，再經(jīng)rs觸發(fā)器觸發(fā)后由互補(bǔ)推挽輸出級(jí)輸出驅(qū)動(dòng)外接的mosfet或igbt。一旦輸入邏輯部分電源或輸出功放級(jí)懸浮電源中有一個(gè)出現(xiàn)欠壓，則兩部分中將有一個(gè)輸出信號(hào)被封鎖而使輸出驅(qū)動(dòng)脈沖變?yōu)榈碗娖健?3 主要設(shè)計(jì)特點(diǎn)和參數(shù) 3.1 主要設(shè)計(jì)特點(diǎn) ir2117在設(shè)計(jì)上很有特點(diǎn)，現(xiàn)述如下： （1）采用懸浮通道設(shè)計(jì)，內(nèi)部自舉工作可用來驅(qū)動(dòng)從低壓到600v

欠飽和檢測(cè)電路原理圖

本電路是由ir2127組成的欠飽和檢測(cè)電路原理圖。 圖中所示的電流檢測(cè)電路是所謂的欠飽和檢測(cè)電路。它起初用于igbt，用來檢測(cè)由于過流而過飽和的 igbt 的電壓。這就是說，它也可以用于mosfet。對(duì)于 mosfet，原理相似，因?yàn)檫^載時(shí) fet 上的電壓將會(huì)顯著增加。 圖中欠飽和檢測(cè)電路圖計(jì)算電阻值用下面的方法。 rg 是門極電阻，選擇適當(dāng)阻值以優(yōu)化開關(guān)速度和開關(guān)損耗。 r1 典型值為 20k；高的阻值有助于最大限度地減小由于二極管 d1 而增加的彌勒電容，確保沒有顯著電流從 ho 流出。注意二極管 d1 應(yīng)具有和自舉二極管一樣的特性。 當(dāng) ho 輸出為高時(shí)，mosfet（也可以是 igbt）q1 開通。則圖 6 中的 x點(diǎn)被拉低至一個(gè)電壓，此電壓等于 fet 上的壓降 vds 加上二極管 d1 壓降。所以，當(dāng) fet q1 上的壓降達(dá)到你所設(shè)定的指示過載故障的限值時(shí)，我們將關(guān)掉驅(qū)動(dòng)器輸出。 所以 q1 上 vds 電壓為 10v。一個(gè)的超快恢復(fù)二極管的典型電壓值為1.2v。 vx=vd1+vdsvx=1.2+10vx=11.2vir2127 cs 端開啟電壓為 25

求助：關(guān)于過流保護(hù)，不知道有那位高人用過IR2127這個(gè)芯片？

求助：關(guān)于過流保護(hù)，不知道有那位高人用過ir2127這個(gè)芯片？我們將ir2127用于我們輸出電路中的過流保護(hù)，但是我們按照數(shù)據(jù)手冊(cè)上的標(biāo)準(zhǔn)接法如圖所示，ir2127并不能正常工作，ho端不能驅(qū)動(dòng)mosfet，cs端也不能檢測(cè)過流。只有我們將4腳和5腳短接起來的時(shí)候，芯片才能正常工作，這樣的話每一路我們都需要給2127單獨(dú)提供一個(gè)電源，不知道有那位高人有好的解決方法。

有高人嗎？一個(gè)電路研究了好久還沒研究明白。

有高人嗎？一個(gè)電路研究了好久還沒研究明白。我們將ir2127用于我們輸出電路中的過流保護(hù)，但是我們按照數(shù)據(jù)手冊(cè)上的標(biāo)準(zhǔn)接法如圖所示，ir2127并不能正常工作，ho端不能驅(qū)動(dòng)mosfet，cs端也不能檢測(cè)過流。只有我們將4腳和5腳短接起來的時(shí)候，芯片才能正常工作，這樣的話每一路我們都需要給2127單獨(dú)提供一個(gè)電源。 后來就是不連起來，充電回路能工作，vs和vb之間也有15伏，雖然不是很穩(wěn)定。但是ho沒有輸出，不知是什么原因？附原帖地址：http://bbs.21ic.com/club/bbs/list.asp?boardid=6&t=1993868&tp=%u6c42%u52a9%uff1a%u5173%u4e8e%u8fc7%u6d41%u4fdd%u62a4%uff0c%u4e0d%u77e5%u9053%u6709%u90a3%u4f4d%u9ad8%u4eba%u7528%u8fc7ir2127%u8fd9%u4e2a%u82af%u7247%uff1f