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國際整流器公司(international rectifier,ir)推出針對ir2086s dc總線轉(zhuǎn)換器控制ic及directfet功率mosfet芯片組的參考設(shè)計irdc2086-330w。 該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v(35a)非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet,其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet,4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全橋式控制器在高頻率(可高達(dá)500khz)下工作,可利用
國際整流器公司(international rectifier,ir)推出針對ir2086s dc總線轉(zhuǎn)換器控制ic及directfet功率mosfet芯片組的參考設(shè)計irdc2086-330w。 該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v(35a)非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet,其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet,4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全橋式控制器在高頻率(可高達(dá)500khz)下工作,可利用一個集成的軟啟
國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)推出最新芯片組解決方案,適用于多元化的通用電信輸入(36v至75v)及48v固定輸入系統(tǒng)。 新芯片組專為隔離式或非隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計,可提升系統(tǒng)層面的電源性能,如220w以下系統(tǒng)主機(jī)板的大型48v轉(zhuǎn)換,或用以驅(qū)動基站系統(tǒng)的無線電放大器。 ir2086s 控制器集成電路采用初級全橋布置,可簡化隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器電路。它特別針對總線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,并采用自振式50% 固定工作周期。相比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計,該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間,并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個集成軟啟動電容器,能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%,以限制在啟動階段輸入的電流;同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。 設(shè)計師可從100v irf6644或i
流總線變換器設(shè)計 為了得到這種新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的最大優(yōu)點,直流總線變換器需要新半橋和全橋控制器,以及優(yōu)化的功率mosfet技術(shù)。 作為新類型控制器例子,國際整流器公司的ir2085s 集成了50%占空比振蕩器,與100v,1a半橋驅(qū)動ic到單一so-8封裝內(nèi),具有外部可調(diào)節(jié)的頻率和死區(qū)時間以用于各種應(yīng)用要求。提供了使能端和電流限制控制端。內(nèi)部軟啟動特性極限在啟動期間的浪涌電流,通過大約在門驅(qū)動信號的最初2000 個脈沖期間逐漸增加占空比到50%。相類似的方法可用于全橋直流總線變換器,使用新型的ir2086s,對于高達(dá)240w,在相似的波形因素下,在滿載電流下具有大約96.4%的效率。 圖1顯示了48v直流輸入的原理圖,它可用于36到75v輸入電壓寬范圍、220w直流總線變換器電路。在初級,ir2085s 控制器和驅(qū)動器ic 驅(qū)動兩個irf6644 低電荷directfet封裝功率mosfet,它是100v 的n-溝道功率mosfet。初級的偏置電壓通過一個線性穩(wěn)壓器來獲得,并用于啟動,然后在穩(wěn)態(tài)下由變壓器獲得。irf7380,是雙80v n-溝道功率mosfet,集成在so-8封裝內(nèi),被用于獲
國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路,使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案,在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上,實現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v及36v到60v輸入橋式電路拓?fù)洹⑼浇祲悍歉綦x式dc-dc電路拓?fù)洹⑨槍σ苿油ㄐ诺?8v到36v輸入正激及推挽式轉(zhuǎn)換器,以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級同步整流。 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的300w四分之一磚設(shè)計往往包含多達(dá)10個mosfet(4個初級和6個次級)、1個脈寬調(diào)制(pwm)集成電路及2個半橋驅(qū)動器集成電路。ir的新芯片組方案則只有6個mosfet(4個初級和2個次級)及1個單獨的集成電路,節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。 此外,以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間,更可提升工作效率1
適用于ir2086全橋控制ic和directfet mosfet芯片組 (電子市場網(wǎng)訊) 國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)近日推出針對ir2086s dc總線轉(zhuǎn)換器控制ic及directfet功率mosfet芯片組的參考設(shè)計irdc2086-330w。 該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v(35a)非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet,其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet,4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆irf6621 30v小罐式directfet
國際整流器公司(international rectifier,ir)近日推出針對ir2086s dc總線轉(zhuǎn)換器控制ic及directfet功率mosfet芯片組的參考設(shè)計irdc2086-330w。 該款參考設(shè)計簡化了用于網(wǎng)絡(luò)、通信和高端服務(wù)器應(yīng)用的48v輸入磚和嵌入式電源的開發(fā)。irdc2086-330w是一款工作效率高達(dá)97%的48v至9.6v(35a)非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet,其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet,4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全橋式控制器在高頻率(可高達(dá)500khz)下工作,可利用一個集成的軟啟動電容器
國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片組。新品可配合ir近期發(fā)布的ir2086s全橋總線轉(zhuǎn)換器集成電路,使直流總線轉(zhuǎn)換器達(dá)到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉(zhuǎn)換器解決方案,在比四分之一磚轉(zhuǎn)換器還要小29%的電路板面積上,實現(xiàn)效率高達(dá)97%的336w功率。 irf6646和irf6635適用于隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器總線轉(zhuǎn)換器的固定48v和36v到60v輸入橋式電路拓?fù)?、同步降壓非隔離式dc-dc電路拓?fù)洹⑨槍σ苿油ㄐ诺?8v到36v輸入正激和推挽式轉(zhuǎn)換器,以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式dc-dc應(yīng)用中的次級同步整流。ir的新芯片組方案只有6個mosfet (4個初級和2個次級)和1個單獨的集成電路,節(jié)省功率半導(dǎo)體零件數(shù)達(dá)46%。此外,以這種芯片組制成的隔離式總線轉(zhuǎn)換器dc-dc能有效節(jié)省多達(dá)29%的占板空間,更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為9.5mω,可針對初級橋式電路拓?fù)溥M(jìn)行定制。irf6635 30v mosfet的最大導(dǎo)通電阻為1.8mω ,是
國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)推出最新芯片組解決方案,適用于多元化的通用電信輸入(36v至75v)及48v固定輸入系統(tǒng)。 新芯片組專為隔離式或非隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計,可提升系統(tǒng)層面的電源性能,如220w以下系統(tǒng)主機(jī)板的大型48v轉(zhuǎn)換,或用以驅(qū)動基站系統(tǒng)的無線電放大器。 ir2086s 控制器集成電路采用初級全橋布置,可簡化隔離式dc-dc轉(zhuǎn)換器電路。它特別針對總線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,并采用自振式50% 固定工作周期。相比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計,該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間,并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個集成軟啟動電容器,能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%,以限制在啟動階段輸入的電流;同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。 設(shè)計師可從100v irf664