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HIGH AND LOW SIDE DRIVER
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HIGH AND LOW SIDE DRIVER
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HIGH AND LOW SIDE DRIVER
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IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP
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HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
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Half-Bridge Gate Driver IC Inverting...
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的電壓由r1和r3分壓得到，而反向輸入端的電壓由穩(wěn)壓管箝位在＋7.5v，當(dāng)蓄電池的電壓下降超過(guò)預(yù)定值后，運(yùn)算放大器開(kāi)始工作，輸出跳轉(zhuǎn)為負(fù)，led燈亮，同時(shí)三級(jí)管v截止，向sg3524的sd端輸出高電平，封鎖ir2110的輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 過(guò)流保護(hù)電路如圖6所示，它監(jiān)測(cè)輸出電流狀況，預(yù)設(shè)為1.5a。方波逆變器的輸出電流經(jīng)過(guò)采樣進(jìn)入運(yùn)算放大器的反向輸入端，當(dāng)輸出電流大于1.5a后，運(yùn)算放大器的輸出端跳轉(zhuǎn)為負(fù)，經(jīng)過(guò)cd4011組成的rs觸發(fā)器后，使三級(jí)管v1基級(jí)的信號(hào)為低電平，三級(jí)管截止，向ir2011的sd1端輸出高電平，達(dá)到保護(hù)的目的。 調(diào)試過(guò)程遇到的一個(gè)較為重要的問(wèn)題是關(guān)于ir2110的自舉電容的選擇。ir2110的上管驅(qū)動(dòng)是采用外部自舉電容上電，這就使得驅(qū)動(dòng)電源的路數(shù)大大減少，但同時(shí)也對(duì)vb和vc之間的自舉電容的選擇也有一定的要求。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)后，最終采用1μf的電解電容，可以有效地滿足自舉電壓的要求。 圖8、9、10(略) 5 試驗(yàn)結(jié)果及輸出波形 dc/dc變換輸出電壓穩(wěn)定在320v，控制開(kāi)關(guān)管的半橋驅(qū)動(dòng)器ir2110開(kāi)關(guān)頻率為50hz，實(shí)驗(yàn)的電路波形如圖7～圖
mosfet驅(qū)動(dòng)電路的選擇: 1、ir21系列:因?yàn)橹麟娐返膍osfet開(kāi)關(guān)頻率要達(dá)到100khz,原先ir21系列的最短開(kāi)通關(guān)斷的時(shí)間是1.35us,達(dá)不到100khz的開(kāi)關(guān)要求.ir最新的驅(qū)動(dòng)ic已經(jīng)突破這一限制,如ir2011、ir221x系列,均可工作在100khz以上.同類型的高壓板橋驅(qū)動(dòng)ic有很完善的保護(hù)機(jī)制,可以很好的應(yīng)用于半橋、全橋、三項(xiàng)全橋等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu). 2、應(yīng)用隔離光耦驅(qū)動(dòng),也是因?yàn)轭l率的原因,達(dá)不到要求.在開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí),會(huì)產(chǎn)生顯著的延時(shí),而且需要一組獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電源.使用高速光耦,其驅(qū)動(dòng)能力不足. 3、脈沖驅(qū)動(dòng)變壓器:延時(shí)較小,但是輸出驅(qū)動(dòng)波形不易控制,輸出驅(qū)動(dòng)脈沖的寬度不能大范圍調(diào)節(jié),而且輸出寬脈沖時(shí),脈沖變壓器容易飽和,因此主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)頻率較高的電路. 來(lái)源:ks99
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商(ir)推出iraudamp1 d類音頻放大器參考設(shè)計(jì)，當(dāng)中的額定200v ir2011s高速柵驅(qū)動(dòng)器集成電路，能針對(duì)功率級(jí)的每個(gè)聲道驅(qū)動(dòng)一對(duì)irfb23n15d hexfet mosfet，提供放大音頻脈寬調(diào)制 (pwm) 波形。 iraudamp1參考設(shè)計(jì)是一個(gè)完整的模擬輸入 d類音頻功率放大器，具有4 ω的峰值500w + 500w立體聲輸出。它以一個(gè)自振式脈寬調(diào)制器為基礎(chǔ)，有利于最大限度減少組件數(shù)目并實(shí)現(xiàn)耐用設(shè)計(jì)，兼具多項(xiàng)保護(hù)功能和內(nèi)務(wù)操作電源，有助簡(jiǎn)化使用。該參考設(shè)計(jì)的主要作用，是展示ir2011s的應(yīng)用方法，實(shí)施保護(hù)電路功能并設(shè)計(jì)出最完善的印板布局。 iraudamp1的性能特點(diǎn)如下： * 在1khz、100w、4ω下thd+n=0.008% * 在350w、1khz、4ω下效率高達(dá)93% * 工作電源的電壓范圍十分寬廣，介乎 ±25 ~ 60v 參考設(shè)計(jì)中的保護(hù)電路包括過(guò)壓和過(guò)電流保護(hù)功能，兼具輸出直流電壓保護(hù)，能避免直流電損壞揚(yáng)聲器。 ir中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“我們的目標(biāo)是
在過(guò)去的一周我一直在閱讀了關(guān)于D類（CLASS-D放大器設(shè)計(jì)）設(shè)計(jì)了以下電路圖，借用來(lái)自網(wǎng)絡(luò)的各種理念。
正向輸入端的電壓由r1和r3分壓得到，而反向輸入端的電壓由穩(wěn)壓管箝位在＋7.5v，當(dāng)蓄電池的電壓下降超過(guò)預(yù)定值后，運(yùn)算放大器開(kāi)始工作，輸出跳轉(zhuǎn)為負(fù)，led燈亮，同時(shí)三級(jí)管v截止，向sg3524的sd端輸出高電平，封鎖ir2110的輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 過(guò)流保護(hù)電路如圖6所示，它監(jiān)測(cè)輸出電流狀況，預(yù)設(shè)為1.5a。方波逆變器的輸出電流經(jīng)過(guò)采樣進(jìn)入運(yùn)算放大器的反向輸入端，當(dāng)輸出電流大于1.5a后，運(yùn)算放大器的輸出端跳轉(zhuǎn)為負(fù)，經(jīng)過(guò)cd4011組成的rs觸發(fā)器后，使三級(jí)管v1基級(jí)的信號(hào)為低電平，三級(jí)管截止，向ir2011的sd1端輸出高電平，達(dá)到保護(hù)的目的。 調(diào)試過(guò)程遇到的一個(gè)較為重要的問(wèn)題是關(guān)于ir2110的自舉電容的選擇。ir2110的上管驅(qū)動(dòng)是采用外部自舉電容上電，這就使得驅(qū)動(dòng)電源的路數(shù)大大減少，但同時(shí)也對(duì)vb和vc之間的自舉電容的選擇也有一定的要求。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)后，最終采用1μf的電解電容，可以有效地滿足自舉電壓的要求。 5 試驗(yàn)結(jié)果及輸出波形 dc/dc變換輸出電壓穩(wěn)定在320v，控制開(kāi)關(guān)管的半橋驅(qū)動(dòng)器ir2110開(kāi)關(guān)頻率為50hz，實(shí)驗(yàn)的電路波形如圖7～圖14所示。 6 結(jié)語(yǔ) 在逆變電源的發(fā)展
跪求ir2011芯片的應(yīng)用資料誰(shuí)用過(guò)ir2011,我們現(xiàn)在需要用ir2011芯片作一系列功放,第一次做class d 功放,不知需注意什么?誰(shuí)有ir2011芯片的應(yīng)用資料,能否發(fā)給我們看看,深表感謝!!!
用ir2011ic做的d類功放問(wèn)題用ir2011做的d類功放，如果只做低頻，怎么樣可以提高其功率（1歐時(shí)）？在空載時(shí)，其輸出電壓有四十多伏，但加載后（2歐），輸出電壓降到了二十多伏，是電源問(wèn)題呢，還是功放問(wèn)題？或是驅(qū)動(dòng)問(wèn)題？
請(qǐng)問(wèn)：edanzg用ir2011做的class d的短路保護(hù)可以用lm393做電壓比較器嗎？
q3,q7的g極波形幅度有多高?相對(duì)于ir2011的com端應(yīng)有100v+vcc.
急需ir2011s.html">ir2011s和ir20124s應(yīng)用資料 哪位大俠能否提供數(shù)字功放控制ir2011 ir20124s的應(yīng)用資料電路圖,在下急需,多多感謝.
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