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ihw20n120r2供應商優(yōu)質現(xiàn)貨

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歷史最低報價:¥6.3000 歷史最高報價:¥24.0000 歷史平均報價:¥9.3839

ihw20n120r2中文資料

  • 采用新型IGBT優(yōu)化軟開關應用中的損耗

    圖1:應用trenchstop技術的rc-igbt 圖2 :rc-igbt芯片(ihw20n120r)前視圖 圖3:基于trenchstop技術的最新一代rc2-igbt的溝槽柵截面圖(溝槽柵里的洞是為分析準備) 圖4 :igbt和二極管晶圓厚度變化 在典型飽和壓降vce(sat)=1.6v@25℃/1.85v@175℃和典型正向電壓vf=1.25v@175℃(額定電流)的條件下,功率損(特別是軟開關應用的導通損耗)可大幅度降低。由ihw20n120r2的下降時間的切線可看出高速度—tf=24ns@25℃和rg=30ω(44ns@175℃)。ihw30120r2在下降時間方面是最為出色的:tf=33ns@25℃,rg=30ω;tf=40ns@175℃。(在硬開關條件下測量,參見帶有eoff曲線的圖6和圖7)。 圖5 :來自英飛凌科技的最新一代rc2-igbt(ihwxxn120r2,xx=15a、20a、25a和30a)。采用無鉛電鍍to-247封裝 圖6 : 在硬開關條件下,175℃結溫以及室溫下ihw20n120

ihw20n120r2替代型號

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