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IGP10N60T
300000
TO2203/23+
一級(jí)代理商可提供技術(shù)方案支持
IGP10N60T
22500
TO220/16+RoHS
保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價(jià)好給你
IGP10N60T
1245
PGTO2203/22+
匯融科技/價(jià)格給力/實(shí)單必成
IGP10N60T
175691
TO220/24+
原裝不僅銷售也回收
IGP10N60T
12500
TSSOP/24+
16年老牌企業(yè) 原裝低價(jià)現(xiàn)貨
IGP10N60T
47328
TO220/21+
低價(jià)出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十
IGP10N60T
41800
TSSOP/24+
原裝現(xiàn)貨，可開(kāi)專票，提供賬期服務(wù)
IGP10N60T
5495
TO220/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
IGP10N60T
52701
TO220/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
IGP10N60T
68500
TO220/2025+
一級(jí)代理，原裝假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
IGP10N60T
56500
TO220/2025+
一級(jí)代理品牌，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，原廠原裝，量大可以發(fā)貨訂
IGP10N60T
15988
TO220/25+
助力國(guó)營(yíng)二十余載，一站式BOM配單
IGP10N60T
20000
N/A/19+
原裝正品熱賣，價(jià)格優(yōu)勢(shì)
IGP10N60T
7764
TO220/23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開(kāi)票
IGP10N60T
48000
PGTO2203/2022+
只做原裝，原裝，假一罰十
IGP10N60T
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NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開(kāi)票
IGP10N60T
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TSSOP/23+
優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品大量庫(kù)存原裝現(xiàn)貨
IGP10N60T
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TSSOP/23+
科大訊飛戰(zhàn)略投資企業(yè)，提供一站式配套服務(wù)
IGP10N60T
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TO220/23+
終端可免費(fèi)供樣，支持BOM配單
IGP10N60T
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fiel...
INFINEON [Infineon Technologies AG]
IGP10N60TPDF下載
技術(shù)的基準(zhǔn) 兩種帶二極管的ig bt的單位安培功率損耗平衡情況如圖4所示。左條形圖顯示的是最新推出的emcon3技術(shù)與trenchstop-igbt(igbt3技術(shù))結(jié)合的結(jié)果。如上所述， emcon3技術(shù)是針對(duì)更低開(kāi)關(guān)損耗以及稍高正向壓降進(jìn)行優(yōu)化的。右條形圖顯示的是emcon2技術(shù)與trenchstop-igbt結(jié)合的結(jié)果。本基準(zhǔn)中使用的emcon2二極管是英飛凌fast-igbt系列中的反并聯(lián)二極管。該二極管針對(duì)低正向壓降進(jìn)行了優(yōu)化。在圖4中使用的是igp10n60t, 熱阻rthhs =4.2 k/w的散熱器, 環(huán)境溫度ta = 50℃, 使結(jié)溫升高至125℃左右。開(kāi)關(guān)頻率fp為16 khz，證明了igp10n60t和emcon3技術(shù)結(jié)合的性能。從圖5中可以看出，正如預(yù)期的那樣，igbt導(dǎo)通損耗根本不受二極管影響。vf優(yōu)化型二極管的qrr提高對(duì)igbt的動(dòng)態(tài)損耗pvsi和二極管的動(dòng)態(tài)損耗pvsd有很大影響。兩種影響合在一起：二極管本身動(dòng)態(tài)損耗的提高及其對(duì)igbt的影響，超越了vf優(yōu)化型二極管導(dǎo)通期間的優(yōu)勢(shì)。該特性在開(kāi)關(guān)頻率為5 khz 左右時(shí)已經(jīng)非常明顯，
圖)時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗 emcon3與emcon2技術(shù)的基準(zhǔn)兩種帶二極管的igbt的單位安培功率損耗平衡情況如圖4所示。左條形圖顯示的是最新推出的emcon3技術(shù)與trenchstop-igbt(igbt3技術(shù))結(jié)合的結(jié)果。如上所述， emcon3技術(shù)是針對(duì)更低開(kāi)關(guān)損耗以及稍高正向壓降進(jìn)行優(yōu)化的。右條形圖顯示的是emcon2技術(shù)與trenchstop-igbt結(jié)合的結(jié)果。本基準(zhǔn)中使用的emcon2二極管是英飛凌fast-igbt系列中的反并聯(lián)二極管。該二極管針對(duì)低正向壓降進(jìn)行了優(yōu)化。在圖4中使用的是igp10n60t, 熱阻rthhs =4.2 k/w的散熱器, 環(huán)境溫度ta = 50℃, 使結(jié)溫升高至125℃左右。開(kāi)關(guān)頻率fp為16 khz，證明了igp10n60t和emcon3技術(shù)結(jié)合的性能。從圖5中可以看出，正如預(yù)期的那樣，igbt導(dǎo)通損耗根本不受二極管影響。vf優(yōu)化型二極管的qrr提高對(duì)igbt的動(dòng)態(tài)損耗pvsi和二極管的動(dòng)態(tài)損耗pvsd有很大影響。兩種影響合在一起：二極管本身動(dòng)態(tài)損耗的提高及其對(duì)igbt的影響，超越了vf優(yōu)化型二極管導(dǎo)通期間的優(yōu)勢(shì)。該特性在開(kāi)關(guān)頻率為5 khz 左右時(shí)已經(jīng)非常明顯，
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