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250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on) 加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導(dǎo)損耗和出色的開關(guān)性能。器件極低的導(dǎo)通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個優(yōu)勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可靠性。 飛兆半導(dǎo)體功率產(chǎn)品部副總裁taehoon kim表示：“飛兆半導(dǎo)體的fdb2614和fdb2710 mosfet具有領(lǐng)先的fom及采用緊湊
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on) 加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導(dǎo)損耗和出色的開關(guān)性能。器件極低的導(dǎo)通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個優(yōu)勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可靠性。 飛兆半導(dǎo)體功率產(chǎn)品部副總裁taehoon kim表示：“飛兆半導(dǎo)體的fdb2614和fdb2710 mosfet具有領(lǐng)先的fo
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供良好的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on)加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導(dǎo)損耗和良好的開關(guān)性能。器件極低的導(dǎo)通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個優(yōu)勢是能夠承受高速電壓(dv/dt)和電流(di/dt)開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和優(yōu)勢包括： 最低導(dǎo)通阻抗rds(on)及低柵極電荷，具備同級產(chǎn)品最佳的fom(rds(on)xqg
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