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20
TO2632/14+
QQ詢價(jià)原裝真實(shí)庫存現(xiàn)貨熱賣
FDB2614
20
TO2632/14+
QQ詢價(jià)原裝真實(shí)庫存現(xiàn)貨熱賣
FDB2614
68500
SOT263/24+
假一罰十，原裝進(jìn)口現(xiàn)貨供應(yīng)，只做原裝
FDB2614
150000
NA/23+
原裝/優(yōu)勢出
FDB2614
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費(fèi)送樣
FDB2614
15000
D2PAK/21+
一級代理 現(xiàn)貨在庫
FDB2614
168000
SMD/23+
原裝
FDB2614
5896
TO263/13+
優(yōu)勢庫存，特價(jià)出售 一站式配單服務(wù)
FDB2614
7000
SOT263/23+
只做原裝現(xiàn)貨
FDB2614
20000
LQFP/2024+
13%原裝
FDB2614
5000
TO263/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
FDB2614
1211
TO263/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
FDB2614
5000
D2PAK/22+
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FDB2614
258200
FSC/2021
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FDB2614
10000
-/23+
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FDB2614
668495
D2PAK3/TO2632/22+
原裝可開發(fā)票
FDB2614
4565
NA//23+
優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票
FDB2614
89000
TO263/25+
原裝認(rèn)證有意請來電或QQ洽談
FDB2614
5000
D2PAK/-
有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務(wù)
FDB2614
182
2021+/TO263
只做原裝現(xiàn)貨假一罰十
FDB2614
200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD
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FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
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FDB2614
200V N-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on) 加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導(dǎo)損耗和出色的開關(guān)性能。器件極低的導(dǎo)通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個(gè)優(yōu)勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可靠性。 飛兆半導(dǎo)體功率產(chǎn)品部副總裁taehoon kim表示：“飛兆半導(dǎo)體的fdb2614和fdb2710 mosfet具有領(lǐng)先的fom及采用緊湊
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on) 加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導(dǎo)損耗和出色的開關(guān)性能。器件極低的導(dǎo)通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個(gè)優(yōu)勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可靠性。 飛兆半導(dǎo)體功率產(chǎn)品部副總裁taehoon kim表示：“飛兆半導(dǎo)體的fdb2614和fdb2710 mosfet具有領(lǐng)先的fo
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供良好的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on)加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導(dǎo)損耗和良好的開關(guān)性能。器件極低的導(dǎo)通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個(gè)優(yōu)勢是能夠承受高速電壓(dv/dt)和電流(di/dt)開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和優(yōu)勢包括： 最低導(dǎo)通阻抗rds(on)及低柵極電荷，具備同級產(chǎn)品最佳的fom(rds(on)xqg
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