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足導(dǎo)通di/dt 的需求,可能需要進(jìn)行電路內(nèi)部測試與驗證,然后根據(jù)mosfet轉(zhuǎn)換曲線可以確定大概的值 (見圖3)。 圖3 mosfet的轉(zhuǎn)移特性 假定在導(dǎo)通時,fet電流上升到10a,根據(jù)圖3中25℃的那條曲線,為了達(dá)到10a的值,柵極電壓必須從5.2v轉(zhuǎn)換到6.7v,平均gfs為10a/(6.7v-5.2v)=6.7mω。 公式1 獲得所需導(dǎo)通di/dt的柵極驅(qū)動阻抗 把平均gfs值運(yùn)用到公式1中,得到柵極驅(qū)動電壓vdrive=10v,所需的 di/dt=600a/μs,fcp11n60典型值vgs(avg)=6v,ciss=1200pf;于是可以計算出導(dǎo)通柵極驅(qū)動阻抗為37ω。由于在圖3的曲線中瞬態(tài)gfs值是一條斜線,會在eon期間出現(xiàn)變化,意味著di/dt也會變化。 同樣的,igbt也可以進(jìn)行類似的柵極驅(qū)動導(dǎo)通阻抗計算,vge(avg) 和 gfs可以通過igbt的轉(zhuǎn)換特性曲線來確定,并應(yīng)用vge(avg)下的cies值代替ciss。計算所得的igbt導(dǎo)通柵極驅(qū)動阻抗為100ω,該值比前面的37ω高,表明igbt gfs較高,而cies較低。 傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎 在
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